SU446111A1 - Ячейка пам ти - Google Patents

Ячейка пам ти

Info

Publication number
SU446111A1
SU446111A1 SU1765697A SU1765697A SU446111A1 SU 446111 A1 SU446111 A1 SU 446111A1 SU 1765697 A SU1765697 A SU 1765697A SU 1765697 A SU1765697 A SU 1765697A SU 446111 A1 SU446111 A1 SU 446111A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
thyristor
memory cell
anode
cell
diode
Prior art date
Application number
SU1765697A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Андреевич Чубарев
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6891
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6891 filed Critical Предприятие П/Я Р-6891
Priority to SU1765697A priority Critical patent/SU446111A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU446111A1 publication Critical patent/SU446111A1/ru

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Description

Предлагаема   чейка пам ти относйтс  к области автоматических устройств и, в частности, может быть применена дл  одновременного построеии  двух видов запоминающих устройств посто нного на трансформаторах  чеек (ПЗУ) и оперативного на тиристорах тех же  чеек (ОЗУ), Число разр дов каждого вида ЗУ равно числу используемых  чеек. В известных автоматических устройствах считанна  информаци  с (ПЗУ) переноситс  в (ОЗУ), собранные обычно, на триггерах с выходными усилител ми после каждого триг гера. Функции триггера и выходного усилител  в ОЗУ может выполн ть  чейка пам ти на тиристоре. Схемы таких ОЗУ значительно проще. Однако известные  чейки пам ти на тиристорах имеют низкую помехоустойчивость из-за большого выброса входных параметров тиристоров. Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости  чейки пам ти на тиристоре, В предлагаемой  чейке пам ти эта цель достигаетс  тем,что она содержит стабистор, включенный между катодом тиристора и шиной питани , стабилитрон, анод которого подключен к аноду диода, а катод - к четвертому резистору, и резистор, подключенный к точке соединени  анодц ЦПода и анода стабилитрона и к шине питани . Помехоустойчивость  чейки поБЫБ1аето  благодар  пороговым напр женшш , возникающим на стабисторе и стабилитроне при прохождении импульсного сигнала в цепи управлени  тиристора. Схема  чейки пам ти представлена на чертеже. Ячейка содержит резисторы 1-5; трансформатор 6, стабилитрон7.диод 8, тиристор 9 и стабистор 10. Резистор I обеспечивает ыиниальный ток, необходимый дл  поддерани  тиристора во включенном соото НИИ . Резистор 3 и диод В предохран  ют управл ющий электрод тиристора о импульсов отрицательной пол рности. Резисторы 2 и 5 обеспечивают необходимые режимы работы стабистора 10 и стабилитрона 7. Резистор 4 уменьшает входное сопротивление  чейки дл  малых сигналов и помех,. Через сердечник трансформатора 6 провод тс  шины ПЗУ, построенного на  чейках. Размер трансформатора определ етс  проход щих через него шин и зависит от числа слов ПЗУ. Конструктивно  чейка выполнена в виде модул  с печатным монтажом. Ячейка пам ти работает следующим образом.. При пропускании импульса тока считывани  по шине, образующей первичную обмотку трансформатора в один виток, на его вторичной обмотке по вл етс  импульс, который через стабилитрон 7 и диод 8 поступает на управл ющий электрод тиристора 9. Тиристор срабатывает и остаетс  во включенном состо нии по окончании импульса. Таким образом, производитс  передача информации из ПУУ, построенного на трансформаторах  чеек, в ОЗУ построенное на тиристорах тех же  чеек. Помехи, по вл ющиес  на шинах ПЗУ, не вызывают срабатывани  тиристора  чейки, так как их величина недостаточна дл  преодолени  на.п1Ь жени  стабилизации стабилитрона 7 и стабистора 10. Сброс информации (выключение тиристора ) может осуществл тьс  путем подачи отрицательного импульса на анод тиристора или путем замыкани  анода тиристора с пшной питани . ПРЕдаЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ Ячейка пам ти, содержаща  тиристор , анод и катод которого через первый и второй резисторы подключены к одной из шин питани , управл ющий электрод тиристора подключен к катоду диода и через третий резистор к катоду тиристора, тпа.нсформа ,, параллельдо вторичной обмотке которого включен четвертый резистор , от ли чающа с  тем.что,с целью повыщени  помехоустойчивости и надежности работы  чейки, она содержит стабистор,включенний между катодом тиристора и другой шиной питани , стабитрон, анод которого подключен к аноду диода, а катод - к четвертому резистору, и п тый резистор, подключенный к точке соединени  анода диода и анода стабилитрона и к другой шине питани .
Q
:j
SU1765697A 1972-03-30 1972-03-30 Ячейка пам ти SU446111A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1765697A SU446111A1 (ru) 1972-03-30 1972-03-30 Ячейка пам ти

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1765697A SU446111A1 (ru) 1972-03-30 1972-03-30 Ячейка пам ти

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU446111A1 true SU446111A1 (ru) 1974-10-05

Family

ID=20508459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1765697A SU446111A1 (ru) 1972-03-30 1972-03-30 Ячейка пам ти

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU446111A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5227781A (en) Mosfet switch matrix
JPS5786190A (en) Semiconductor device
SU1223850A3 (ru) Инвертор
SU446111A1 (ru) Ячейка пам ти
US3663949A (en) Current sensing of indicator current in series with transformer winding
US2957145A (en) Transistor pulse generator
GB1054784A (ru)
US3106649A (en) Sensing circuit employing two tunnel diodes to provide proper current distribution upon one being switched
US3233119A (en) Pulse sensing circuit for bipolarity signals utilizing a tunnel diode
GB1076212A (en) Selection apparatus
US2786137A (en) Pulse standardizer circuit
ATE29634T1 (de) Schaltungsanordnung zur potentialfreien erfassung von binaeren elektrischen signalen.
US3482118A (en) Current driver
US3121800A (en) Pulse generating circuit
SU503293A1 (ru) Элемент пам ти
SU834939A1 (ru) Счетчик
US4488059A (en) Semiconductor switch device
US3137797A (en) Electrical switching for selection lines of a memory circuit
SU377888A1 (ru) Запоминающее устройство
SU416878A1 (ru)
SU801183A1 (ru) Импульсное электромагнитное коммута-циОННОЕ уСТРОйСТВО
SU362483A1 (ru) Переключатель импульсов
SU460579A1 (ru) Накопитель информации посто нного запоминающего устройства
SU1287234A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство
US3609409A (en) Data transmission circuit