SU445153A1 - Быстродействующий фототранзисторный оптрон - Google Patents

Быстродействующий фототранзисторный оптрон

Info

Publication number
SU445153A1
SU445153A1 SU1916893A SU1916893A SU445153A1 SU 445153 A1 SU445153 A1 SU 445153A1 SU 1916893 A SU1916893 A SU 1916893A SU 1916893 A SU1916893 A SU 1916893A SU 445153 A1 SU445153 A1 SU 445153A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
phototransistor
speed
optocoupler
key
signal
Prior art date
Application number
SU1916893A
Other languages
English (en)
Inventor
Вадим Алексеевич Горохов
Original Assignee
Всесоюзный Заочный Электротехнический Институт Связи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный Заочный Электротехнический Институт Связи filed Critical Всесоюзный Заочный Электротехнический Институт Связи
Priority to SU1916893A priority Critical patent/SU445153A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU445153A1 publication Critical patent/SU445153A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к полупроводниковой автоматике и может примен тьс  в тех случа х, когда необходимо осуществл ть коммутацию электрических цепей с высокой частотой переключени .
Известны фототранзисторные опторны, содержащие фототранзистор, оптически св занный с основным светоизлучателем, например светодиодом.
Однако известные фототранзисторные оптроны обладают сравнительно невысоким быстродействием .
Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  оптрона.
С этой целью введены дополнительно вспомогательный светоизлучатель, например светодиод , оптически св занный с фотодиодом, который включен параллельно эмиттерно-базовому переходу фототранзистора, и схема управлени , инверсный и неинверсный выходы которой подсоединены к основному и вспомогательному светоизлучателю,, соответственно.
На чертеже приведена схема быстродействующего фототранзисторного оптроиа.
Предлагаемый оптрон содержит фототранзистор 1, например п-р-п типа, подключенный коллектором 2 и эмиттером 3 к коммутируемой цепи, состо щей из иагрузки 4 и источника 5 коммутируемого сигнала, фотодиод 6
подключен анодом к эмиттеру 3, а катодом - к базе 7 фототранзистора 1.
Схема 8 управлени  содержит два светоизлучател , нанример светодиода, основной 9,
онтически св занный с фототранзистором 1, и вспомогательный 10, оптически св занный с фотодиодом 6, два ключа И и 12, подключающих светодиоды к источнику 13 питани  и блок 14 управлени , управл ющий состо нием
ключей 9 и 10.
Устройство работает следующим образом. Пусть в исходном состо нии управл ющий сигнал отсутствует. Тогда блок 14 выдает такой сигнал, что ключ 11 разомкнут, а ключ 12
может быть как в разомкнутом, так и в замкнутом состо нии. В этом случае фототранзистор I имеет больщое сопротивление, и нагрузка 4 оказываетс  отключенной от источника 5 коммутируемого сигнала.
Пусть подан управл ющий сигнал. Тогда блок 14 выдает такой сигнал, что ключ 11 замыкаетс , а ключ 12 об зательно переходит в разомкнутое состо ние. В этом случае фототранзистор 1 освещаетс  и имеет малое сопротивление , а фотодиод 6 не освещаетс  и имеет больщое сопротивление, преп тствующее возникновенню запирающего базового тока фототранзистора , что обеспечивает больщую светочувствительность фототранзистора. Нагрузка 4 оказываетс  подключенной к источнику 5 коммутируемого сигнала.
Пусть в определенный момент to управл ющий сигнал уменьшаетс  до нул . Тогда блок 14 выдает такой сигнал, что ключ 11 размыкаетс , а ключ 12 об зательно замыкаетс . Врем  замыкани  ключа должно быть больше времени рассасывани  избыточных носителей из базы фототранзистора. В этом случае в момент tn фототранзистор имеет по прежнему малое сопротивление, так как избыточные носители в базе не исчезают мгновенно, а рекомбинируют и рассасываютс  током базы фототранзистора за определенное врем , равное рас, т. е. нагрузка 4 оказываетс  подключенной к источнику 5 коммутируемого сигнала. В момент 0 сопротивление фотодиода 6 резко уменьшаетс  и на нем возникает фото-э. д. с., привод ща  к возникновению рассасывающего тока базы, что существенно уменьщает врем  рас но сравнению со случаем, когда этот
ток равен нулю. Величина рассасывающего тока базы равна фототоку фотодиода. Таким образом, в нредложенном оптроне существенно повышаетс  быстродействие без снижени  чувствительности фототранзисюра к освещению .
Предмет изобретени 
Быстродействующий фототранзисторный оптрон , содержащий фототранзистор, оптически св занный с основным светоизлучателем, например светодиодом, отличающийс  тем, что, с целью повышени  быстродействи , в оптроп дополнительно введены вспомогательный светоизлучатель, например светодиод, оптически св занный с фотодиодом, который включен параллельно эмиттерно-базовому переходу фототранзистора, и схема управлени , инверсный и неинверсный выходы которой подсоединены к основному и вспомогательному светоизлучателю, соответственно.
SU1916893A 1973-05-10 1973-05-10 Быстродействующий фототранзисторный оптрон SU445153A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1916893A SU445153A1 (ru) 1973-05-10 1973-05-10 Быстродействующий фототранзисторный оптрон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1916893A SU445153A1 (ru) 1973-05-10 1973-05-10 Быстродействующий фототранзисторный оптрон

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU445153A1 true SU445153A1 (ru) 1974-09-30

Family

ID=20552173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1916893A SU445153A1 (ru) 1973-05-10 1973-05-10 Быстродействующий фототранзисторный оптрон

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU445153A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2799113C1 (ru) * 2022-03-18 2023-07-04 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК" (КБНЦ РАН) Способ повышения быстродействия транзисторов и транзисторных интегральных схем

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2799113C1 (ru) * 2022-03-18 2023-07-04 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК" (КБНЦ РАН) Способ повышения быстродействия транзисторов и транзисторных интегральных схем

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1089016A (en) Electro-optical digital system
SU445153A1 (ru) Быстродействующий фототранзисторный оптрон
SU839058A1 (ru) Оптоэлектронный ключ
CS196933B1 (en) Integrated logical circuit
SU450362A1 (ru) Оптоэлектронный ключ
SU439921A1 (ru) Оптоэлектронный коммутатор
SU790315A1 (ru) Оптоэлектронный переключатель
SU1014129A1 (ru) Триггер
SU370713A1 (ru) Двоичная ячейка
SU450360A1 (ru) Фотодиодный оптрон
RU1780183C (ru) Оптоэлектронный переключатель
SU1191898A2 (ru) Источник электропитани посто нного тока
SU1156249A1 (ru) Оптоэлектронный ключ
SU371686A1 (ru) Переключающее устройство
GB899519A (en) Improvements in and relating to switching rings
SU1193795A1 (ru) Оптоэлектронный переключатель
SU1506541A1 (ru) Оптоэлектронный ключ
SU970652A1 (ru) Инжекционный Д-триггер
SU786002A1 (ru) Оптоэлектронный переключатель
RU1795541C (ru) Интегральный фотоэлектрический преобразователь
SU1635252A1 (ru) Оптоэлектронна бистабильна чейка
SU1056459A1 (ru) Ключ с гальванической разв зкой
SU1660149A1 (ru) Формирователь импульсов
SU1051716A1 (ru) Полупроводниковый ключ
SU1732460A1 (ru) Логический элемент