SU442564A1

SU442564A1 - Мультивибратор

Info

Publication number: SU442564A1
Application number: SU1877642A
Authority: SU
Inventors: Павел Николаевич Димитраки; Чезар Григорьевич Мовиляну
Original assignee: Кишиневский Государственный Педагогический Институт Им.И.Крянгэ
Priority date: 1973-01-25
Filing date: 1973-01-25
Publication date: 1974-09-05

Description

I.

Изобретение относитс к импульсной технике.

- Известен мультивибратор, содержащий два транзистора, эмиттеры которых объ единены и подключены к одному полюсу

источника питани , и R-C-NR структуру.

Цель изобретени - упрощение мультивибратора и повышение его надежности.

В предлагаемом (Мультивибраторе, базы транзисторов подключены к одним разноименным выводам NR структуры, два других одноименных вывода которой подсо; единены ко второму полюсу источника пи- I тани , а коллекторы - к промежуточным выводам R-C-NR структуры.

На чертеже приведена принципиальна схема устройства.

Мультивибратор содержит транзисторы I и 2, эмиттеры которых объединены и подключены к одному полюсу источника пи тани , и . N R структуру 3. ; транзисторов подключены к разноименным выводам 4 и 5 структуры 3 соответственно. Два других разноименных вывода в и: 7 структуры 3 подсоединены

Ко вторюму полюсу источника питани ; (клемма 8). Коллекторы транзисторов подсоединены к промежуточным выводам 9 и Ю структуры 3 соответственно.

Работает мультивибратор следующим образом.

В исходном состо нии транзистор 1 | открыт, а транзистор 2 закрыт. Напр жение на базе 1 близко к нулю.Напр жение н базе транзистора 2 отрицательно. Зто

.напр жение стремитс к значению напр женич источника питани с по- .

,:сто нной времени, завис щей от величины распределенной емкости и сопротивлени резйстивного сло NR структуры 3.

Koi;aa напр жение на базе транзистора 2 достигает порогового напр жени срабатывани , транзистор приоткрываетс и передает через коллектор и распределительную емкость структуры 3 отрицательный скачок на базу транзистора 1 в сторону его запирани . С коллектора транзистора 1 положительный скачок напр жени через распределительную емкость структуры 3 передаетс на базу транзистора 2, еще

ольше приоткрьта , его. Таким образом j развиваетс лавинообразный процесс.

По окончашш регенеративного процесса напр жение на коллекторе транзистора 1 устанавливаетс близким к напр жению источмака пита1Ш . Напр жение на коллекторе транзистора 2 близко к нулю. Напр жение на распределенной емкости (между базой транзистора 1 и коллектором транзистора 2) стремитс к значению напр жени источника питани с посто нной времени , завис щей от сопротивлени , резистивного сло и величины распределенной емкости структуры 3. Когда напр жение на базе транзистора 1 достигает порогового напр жени срабатывани , транзистор начинает открыватьс . Начинаетс регенеративный процесс.. Отрицательный

скачок с коллектора тршнзистора 1 передаетс на базу транзистора 2 через распределенную емкость структуры 3. Далее все процессы повтор ютс .

Предмет изобретени Мультивибратор, содержаний два транзистора , эмиттеры которых объединены и подключены к одному полюсу источника питани , R-C- N R структуру, отличающийс тем, что, с целью его упрощени и повышени надежности, базы транзисторов подключены к одним разно , именным выводам R-C- N Н структуры, два других разноименных вывода которой подсоединены ко второму полюсу источника питани , а коллекторы - к промежуточным выводам R-C- N R структуры.

U

10

Г