SU438947A1

SU438947A1 - The method of quality control of semiconductor devices

Info

Publication number: SU438947A1
Application number: SU1825764A
Authority: SU
Inventors: Евгения Иосифовна Модель
Original assignee: Предприятие П/Я Г-4149
Priority date: 1972-09-07
Filing date: 1972-09-07
Publication date: 1974-08-05

Description

1one

Изоб;ретение относитс к способам контрол качества кремниевых полупроводниковых приборов.The invention relates to quality control methods for silicon semiconductor devices.

Известны способы контрол качества полупроводниковых приборов с помощью климатических испытаний.Known methods of quality control of semiconductor devices using climate tests.

Известные способы «е позвол ют точно прогнозировать параметрические отказы приборов , потому что испытание при повышенной температуре предшествует испытанию лри пониженной температуре, а при воздействии повышенной температуры происходит временной отжиг дефектов, определ ющих параметрические отказы приборов в холоде и при длительной эксплуатации.The known methods do not accurately predict the parametric failures of devices, because testing at elevated temperatures precedes testing at low temperatures, and when exposed to elevated temperatures, temporary annealing of defects that determine the parametric failures of devices in cold and long-term operation occurs.

Целью изобретени вл етс повышение эффективности прогнозировани отказов при длительной эксплуатации приборов.The aim of the invention is to improve the efficiency of prediction of failures during long-term operation of devices.

Эта цель достигаетс благодар тому, что климатические испытани начинают с испытани на холодостойкость, причем приборы выдерживают при температуре -60°С в течение нескольких (пор дка шести) часов, после чего измер ют их электрические параметры при любой температуре.This goal is achieved because climate tests begin with a cold-resistance test, and the instruments are kept at -60 ° C for several (about six) hours, after which their electrical parameters are measured at any temperature.

Во избежание потери информации о возможных отказах начинают испытани с воздействи холодом, поскольку пониженна температура вл етс форсирующим фактором дл ускоренного вы влени основной массы параметрических отказов приборов, обусловленных инверсионными сло ми и каналами сIn order to avoid the loss of information about possible failures, they begin testing with exposure to cold, since the lowered temperature is a forcing factor for the accelerated detection of the main mass of parametric failures of devices caused by inversion layers and channels

близкой к нулю энергией активизации.near zero activation energy.

Выдержку в камере холода предлагаетс проводить в ужесточенном временном и электрическом режимах (в течение нескольких часов при предельно допустимой по напр жекию электрической нагрузке, так как наличие электрического пол может витьс дополнительным фактором, ускор ющим вы вление скрытого брака на «холоде).The exposure in the cold chamber is proposed to be carried out in a tightened time and electric modes (for several hours at the maximum permissible electric load, since the presence of an electric field can be an additional factor accelerating the detection of latent defects in the "cold").

1515

Предмет изобретени Subject invention

Способ контрол качества полупроводниковых приборов с помощью климатических испытаний на холодо- и теплостойкость, отличающийс тем, что, с Целью повышени эффективности прогнозировани отказов, климатические испытани начинают с испытаний на холодостойкость, причем приборы выдержиВают при температуре -60°С в течение нескольких часов, после чего измер ют их электрические параметры при этой температуре .The method of quality control of semiconductor devices using climate tests for cold and heat resistance, characterized in that, in order to improve the efficiency of prediction of failures, climate tests begin with cold resistance tests, and the devices are maintained at a temperature of -60 ° C for several hours what their electrical parameters are measured at this temperature.