SU438065A1 - Состав дл изготовлени активного сло порогового элемента - Google Patents
Состав дл изготовлени активного сло порогового элементаInfo
- Publication number
- SU438065A1 SU438065A1 SU1821494A SU1821494A SU438065A1 SU 438065 A1 SU438065 A1 SU 438065A1 SU 1821494 A SU1821494 A SU 1821494A SU 1821494 A SU1821494 A SU 1821494A SU 438065 A1 SU438065 A1 SU 438065A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- manufacture
- active layer
- composition
- threshold element
- threshold
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к электронной технике и может использоватьс при изготовлении пороговых элементов.
В насто щее врем дл изготовлени активного сло пороговых элементов примен ютс различные составы, .обладающие эффектом переключени . Например, широко известны составы, включающие теллур, селен и элементы IV группы (германий, кремний). Пороговые элементы, изготовленные с применением таких составов, имеют сопротивление в закрытом состо нии ом, в открытом состо нии 10-10 ом и выдерживают 10 -10 циклов переключени в частотном диапазоне 50-10 гц.
Такие составы не дают возможности увеличени количества циклов переключени и расширени частотного диапазона пороговых элементов.
Цель изобретени - увеличение количества циклов переключени порогового элемента и расширение его частотного диапазона.
Эта цель достигаетс тем, что предлагаетс состав, включающий теллур, селен, один из элементов IV группы (кремний, германий), и содерл ащий в качестве ионной добавки один из щелочных металлов (калий, натрий, цезий, рубидий, литий) или соль одного из указанных щелочных - металлов (хлорид, нитрит).
При опробовании лучшие результаты показал состав, содержащий теллур, селен, кремний, нитрит натри при следующем соотношении компонентов (в вес. %): Теллур30
Селен62
Кремний3
Нитрит натри 5
Предлагаемый состав позвол ет увеличить количество циклов переключени порогового элемента до 10 циклов и расширить частотный диапазон до 20-S-IO гц.
Предмет изобретени
1. Способ дл изготовлени активного сло порогового элемента, содержащий теллур, селен , элемент IV группы периодической системы , например кремний, отличающийс тем, что, с целью увеличени количества циклов переключени порогового элемента п расщирени его частотного диапазона, он дополнительно содержит ионную добавку при следующем соотношении исходных комгголснтов (в вес. %):
Теллур25-45
Селен45-70
Элемент IV группы периодической системы
Ионна добавка2-15. 3 2. Состав по п. 1, отличающийс тем, что в качестве ионной добавки использован щелочной металл, способный к образованию ионной соли, например натрий. . 4 3. Способ по п. 1, отличающийс тем, что в качестве ионной добавки использована соль щелочного металла, например нитрит натри .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1821494A SU438065A1 (ru) | 1972-08-23 | 1972-08-23 | Состав дл изготовлени активного сло порогового элемента |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1821494A SU438065A1 (ru) | 1972-08-23 | 1972-08-23 | Состав дл изготовлени активного сло порогового элемента |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU438065A1 true SU438065A1 (ru) | 1974-07-30 |
Family
ID=20525054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1821494A SU438065A1 (ru) | 1972-08-23 | 1972-08-23 | Состав дл изготовлени активного сло порогового элемента |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU438065A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988000625A1 (en) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Gte Laboratories Incorporated | Method of epitaxially growing compound semiconductor materials |
-
1972
- 1972-08-23 SU SU1821494A patent/SU438065A1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988000625A1 (en) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Gte Laboratories Incorporated | Method of epitaxially growing compound semiconductor materials |
| US4891091A (en) * | 1986-07-14 | 1990-01-02 | Gte Laboratories Incorporated | Method of epitaxially growing compound semiconductor materials |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Seitz | Influence of plastic flow on the electrical and photographic properties of the alkali halide crystals | |
| JPS5241612A (en) | Granular or powdered detergent compositions | |
| SU438065A1 (ru) | Состав дл изготовлени активного сло порогового элемента | |
| JPS52139108A (en) | Granulated detergent composition | |
| JPS5337129A (en) | Conductible spring material | |
| FI102908B (fi) | Korroosionkestävä kupariseos | |
| SU107420A1 (ru) | Материал дл отрицательной ветви термоэлемента | |
| JPS5286490A (en) | Unsaturated polyester resin compositions | |
| GB1117211A (en) | Glass compositions and solid state switchings devices using these compositions | |
| JPS5230795A (en) | Composition for bleaching agent | |
| SU241949A1 (ru) | Низкотемпературной бесфлюсовойпайки | |
| JPS51126028A (en) | Demodulation circuit | |
| JPS5258579A (en) | Temperature detector | |
| SU241950A1 (ru) | Н. В. Кургузов, И. К. Скл ров и А. И. Голубев | |
| JPS5367344A (en) | Relay control circuit | |
| JPS5249759A (en) | Timer circuit | |
| JPS5247516A (en) | Process for producing material for contact compound spring material | |
| GB987914A (en) | Thermoelectric compositions and devices | |
| JPS5211700A (en) | Spring cooler | |
| SU436714A1 (ru) | Припой дл низкотемпературной пайки | |
| JPS5367345A (en) | Relay control circuit | |
| JPS51120907A (en) | Method to add additives to molten metal | |
| JPS5249413A (en) | Motor control circuit | |
| JPS5262353A (en) | High polymer compositions | |
| JPS51129976A (en) | Filter wire-netting for fluid or the like |