SU438044A1

SU438044A1 - Photodiode switching matrix storage element

Info

Publication number: SU438044A1
Application number: SU1834110A
Authority: SU
Inventors: Игорь Анатольевич Шилов; Виктор Константинович Гусев
Original assignee: Предприятие П/Я А-3162
Priority date: 1972-10-04
Filing date: 1972-10-04
Publication date: 1974-07-30

Description

(54) ЗАПОЛ ННАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ КОММУТИРУЕМОЙ МАТРИЦЫ ФОТОДИОДОВ(54) COMPLETE KNOWN ELEMENT FOR COMMUTED MATRIX OF PHOTO DIODES

1one

Изобретение относитс к устройствам счиЧывани оптической информации, записанной в двоиЧНом коде.The invention relates to devices for reading optical information recorded in a binary code.

Известна коммутируема фотодиодна матрица, каждым элементом которой вл ютс последовательио соединенные коммутирующий диод и фотодиод, работающий -в режиме накоплени зар да, причем коммутирующий диод и фотодиод включены встречаю друг ДрЗгу.A known switched photodiode array, each element of which is a series of connected switching diode and photodiode, operating in charge accumulation mode, with the switching diode and photodiode being switched on meeting each other.

Однако в р де случаев чувствительность такого элемента может быть недостаточной. Так, при малой величине зар да, накоплен-ного на емкости фотодиода, коммутирующий диод оказываетс слабо смещенным в пр мом направлении во врем действи опрашиваюп;его элемент матрицы импульса, п ток, протекающий через пего, может быть недостаточны .м дл передачи за врем действи этого импульса всего накопленного зар да через шину считывани к усилителю с пороговым устройством. Сигнал, получае.мый в этом случае , может оказатьс слишком малым дл падежного срабатывани порогового устройства .However, in some cases the sensitivity of such an element may be insufficient. So, with a small amount of charge accumulated on the photodiode capacitance, the switching diode is slightly biased in the forward direction during the interrogation; its element of the pulse matrix, the current flowing through it, may be insufficient for transmission in time the effect of this impulse of all accumulated charge through the readout bus to the amplifier with a threshold device. The signal received in this case may be too small for the threshold device to be case case.

Целью изобретени вл етс повышение чувствительности запоминающего элемента матрицы дл обеспечени надежного считывани Информации при малых величинах накопленных разр дов. Дл этого к точке соединени коммутирующего диода и фотодиода подключен дополнительный диод, через который перед началом каждого ци.кла накоплени подаетс импульс, смещающий потенциалThe aim of the invention is to increase the sensitivity of the storage element of the matrix to ensure reliable reading of information at small accumulated bits. For this, an additional diode is connected to the junction point of the switching diode and the photodiode, through which, prior to the beginning of each accumulation cycle, a pulse is given, a bias potential

на емкости фотодиода в сторону, облегчающую -последующее открывание коммутирующего диода при опросе матрицы.on the capacity of the photodiode in the direction that facilitates the subsequent opening of the switching diode when polling the matrix.

Схема предлагаемого элемента приведена па чертеже.The scheme of the proposed element shown PA drawing.

Элемент состоит из встречно включенных коммутирующего диода 1 и фотодиода 2, анод которого подключен через п.1ииу опроса 3 к формирователю импульсов опроса 4, общему дл всех элементов одного столбца матрицы.The element consists of counter-switched commutating diode 1 and photodiode 2, the anode of which is connected via p. 3 of interrogation 3 to interrogator of interrogation pulses 4, common to all elements of one column of the matrix.

.А.ПОД ком.мутирующего диода I через шину считывани 5 нодключен к усилителю 6 с пороговым устройством 7, o6nuiM дл элементов одной строки 1матрнцы. К точке соединени ){оммутирующего диода 1 и фотодиода 2 подключей апод дополнительного диода 8, катод которого соединен через шину смещени 9 с источником импульсов смещени 10 и через резистор с источником запираюпдсго напр жени Е..A.POD of the commutating diode I via the read bus 5 is connected to the amplifier 6 with the threshold device 7, o6nuiM for the elements of one line 1 matr. To the connection point {ohmutating diode 1 and photodiode 2, connect the apode of the additional diode 8, the cathode of which is connected via the bias bus 9 to the bias pulse source 10 and through a resistor to the lock source voltage E.

Шина смещени обща дл :5сех элементов матрицы. Пол рность включени диодов .может быть заменена па обратную. При этом мен етс пол рность импульсов и потенциалов . Ко.ммутирзющнй диод и фотодиод могутShift bus common for: 5 all matrix elements. The polarity of the inclusion of the diodes. Can be replaced by the reverse pas. This changes the polarity of the pulses and potentials. A co-current diode and photodiode can

быть взаимно переставлены, при этом следует изменить пол рность импульса опроса.be mutually permuted, and the polarity of the polling pulse should be changed.

При подаче иа элемепт матрицы импульса опроса и оп аплитудой емкость фотодиода зар дитс через коммутирующий диод до напр жени , близкого к Uoi. После прохождени импульса ОПроса на матрицу подаетс оптическое изображение, и начинаетс цикл накоплени фотозар да, во врем которого происходит уменьшение -напр жеирш на емкости фотодиода. Между импульсом опроса и начало .м цикла накоплени от источника импульсов смещени 10 поступает импульс, во врем которого дополнительный диод 8 отпираетс . В остальное врем диод 8 заперт. Величина имп льса смещени выбираетс такой, чтобы после его прохождени напр жение на е-мкости фотодиода было уменьшено на -величину , достаточную дл надежного отпи-рани коммутирующего диода после окончани цикла накоплени во врем опроса независимоWhen an interrogation pulse matrix is applied and the optic capacitance is absorbed, the photodiode capacitance is charged through the switching diode to a voltage close to Uoi. After the passage of the Poll pulse, an optical image is applied to the matrix, and the photozar accumulation cycle begins, during which a decrease occurs in the photochip on the photodiode capacitance. Between the polling pulse and the beginning of the accumulation cycle from the source of the bias pulse 10, a pulse arrives during which the additional diode 8 is unlocked. The rest of the time diode 8 is locked. The magnitude of the bias impulse is chosen so that after its passage the voltage on the photodiode e-capacitance is reduced by a value sufficient to reliably unlock the switching diode after the end of the accumulation cycle during the interrogation

от того, насколько уменьшилось напр жение на емкости фотодиода за счет разр да фототоком . Таким образом, предлагаемый элемент в отличие от известного обеспечивает передачу на шину считывани любого сколь угодно малого накопленного фотозар да.on how much the voltage on the photodiode capacitance has decreased due to the photocurrent discharge. Thus, the proposed element, in contrast to the known, provides for the transfer to the readout bus of any arbitrarily small accumulated photo charge.

Предмет изобретени Subject invention

Запоминающий элемент дл коммутируемой матрицы фотодиодов, содержащий встречно включенные коммутирующий диод и фотодиод , анод которого подключен к щиие опроса , а анод коммутирующего диода через шинуA storage element for a switched matrix of photodiodes containing a switching-on switching diode and a photodiode, the anode of which is connected to the interrogation and the anode of the switching diode via the bus

считывани и усилитель - к пороговому элементу , отличающийс тем, что, с целью увеличени чувствительности элемента, он содержит дополнительный диод, анод которого подключен к катодам коммутирующего диодаreadout and amplifier - to a threshold element, characterized in that, in order to increase the sensitivity of the element, it contains an additional diode, the anode of which is connected to the cathodes of the switching diode

и фотодиода, а катод к источнику отрицательных импульсов, общему дл матрицы.and the photodiode, and the cathode to the source of negative pulses, common to the matrix.

II