SU436303A1

SU436303A1 - METHOD OF MEASURING THE RESISTANCE OF STRESSING CONTACTS

Info

Publication number: SU436303A1
Application number: SU1705068A
Authority: SU
Original assignee: Е. В. Кумис; Институт физики полупроводников Литовской ССР
Priority date: 1971-10-12
Filing date: 1971-10-12
Publication date: 1974-07-15

Description

1one

Изобретение относитс к -измерительной технике и может быть применено при определенни свойств симметричных контактов с полупроводниковыми материалами.The invention relates to measurement techniques and can be applied in determining the properties of symmetrical contacts with semiconductor materials.

Известен способ вы влени вьшр мл ющих контактов, основанный на подаче переменного напр жени на два контакта образца , измерении .посто нной составл ющей тока , протекающето через образец, и вычислении эффективного коэффициента выпр млени контакто1в. Однако в известном способе эффективный коэффициент не дает возможности непосредственно вычислить величину сопротивлени симметричных вьгпр мл ющих контактов.The known method of detecting high voltage contacts is based on applying alternating voltage to two contacts of a sample, measuring the constant component of the current flowing through the sample, and calculating the effective rectification factor of the contacts. However, in the known method, the effective coefficient does not make it possible to directly calculate the resistance value of symmetric contact contacts.

Цель изобретени - повышение точности измерений.The purpose of the invention is to improve the measurement accuracy.

Это достигаетс тем, что леремевное напр жение на исследуемый образец подают симметрично, затем на середине образца олредел ют амплитуду высшей, например второй , гармоники и ВЫЧИСЛЯЮТ величину сопротивлени симметричных вьшр мл ющих контактов по формулеThis is achieved by providing the leremovic voltage to the sample under investigation symmetrically, then in the middle of the sample the amplitude of the highest, for example second, harmonics is determined and the resistance value of the symmetric expander contacts is calculated by the formula

где R - сопротивление образца; Vo - амплиЙда подаваемого на образец напр жени ; ;.„ - алшлитуда второй гармоники.where R is the sample resistance; Vo is the amplitude of the voltage applied to the sample; ;. „Is the altitude of the second harmonic.

На чертеже показана схема, 1по сн юш,а предлагаемый способ.The drawing shows a diagram, 1 by default, and the proposed method.

Здесь: 1 и 2 - сопротивлени выпр мл ющих контактов образца со значени ми ri(V) и rz(V) соответственно, 3 - сопротивлениеHere: 1 and 2 are the resistances of rectifying contacts of the sample with the values of ri (V) and rz (V), respectively, 3 is the resistance

образца со значением R, 4-генератор, симметричные выходные напр жени которого У И Vz наход тс ъ противофазе, и Vsmo-напр жение высших гармоник, измер емое на середине образца вольтметром 5.a sample with a R value, a 4-generator, whose symmetrical output voltages Y and Vz are antiphase, and Vsmo high harmonic voltage, measured at the middle of the sample with a voltmeter 5.

Рассмотрим зависимость измер емого напр жени высших гармоник от сопротивлени выпр мл ющих контактов образца. ПримемConsider the dependence of the measured voltage of higher harmonics on the resistance of the rectifying contacts of the sample. Will take

V, V.,V V,.V, V., V V ,.

(1)(one)

2020

Тогда путем несложных выкладок можно показать , чтоThen by simple calculations it can be shown that

I/. у r,(V)-r,(V)I /. r, (V) -r, (V)

2525

(2)(2)

2R + ri(V)+r,(V)2R + ri (V) + r, (V)