Предлагаемый способ измерени тепловых полей относитс к тер|Моиз.мерительной тех нике и может примен тьс дл измерени макС1 мальных тепловых полей вблизи выдел ющих теплоэлемептов с учетом локальных перегревов в различных област х техники. Известен способ индика ции теплового пол путем использовани термоиндикаторных покрытий, в котором термоин1аикаторное покрытие нанос т на эластичную пленку н устанавливают в заданных плоскост х исследуемого объема. Однако известным способом невозможно получить нагл дную картину распределени теплового пол в переходном режиме с дискретными уровн ми наблюдени . Целью изобретени вл етс получен-ие нагл дной картины распределени тепловых полей в нестационарном режИМе. Это достигаетс тем, что дискретно измен ют в малых пределах температуру среды, окружающей исследуемые элементы,до предельно допустимых значений и, Соответственно , по (Границам расплавов термоиндикаторного покрыти отмечают после каждого цикла изотермы областей с одинаковым neperpe-i BOM.i Предложенный способ основан на применении термоиндикаторов плавлени . Предлагаемый способ состоит в следую1це .м. Термонндикатор с критической температурой ТКР нанос т ровным тонким слоем на подложку, напрпмер кальку, которую предварительно обезжиривают. После высыхани окрашенный лист кальки помещают в блок в тепловое поле измер емых радиоэлектронных элементов. Блок закрывают кожухом и включают питание. При достижении температуры вблизи измер емых элементов Гц,, на термоиндикаторной бумаге по вл етс расплав . Отмеча границы расплавов и измен дискретно в небольших пределах температуру среды, в которой работает блок, снимают после каждого цикла изотермы и получают нагл дную картину распределени теплового пол в закрытом блоке.. Предложенным способом определ ют, на ример , услови работы элементов плать импульсных усилителей на полупроводниковых триодах в блоке. Точность определени , областей перегрева определ ет с дискретностью значений, придаваемых температурй окружающей среды. 343 Предлагаемый способ по сн етс чертежом . На фиг. 1 указаны эле.менты платы импульсных усилителей на полупроводниковых триодах в блоке; на фиг. 2 изображена нагл дна картина полученных предложенным способом изотерм. Дл блоков, содержащих полупроводниковые элементы, температура испытаний на теплоустойчивость составл ет обычно 60°С. .Исход из этого, выбрана тер.моиндикаторна краска типа ТП60 с критической температурой 60±1°С. Лист кальки вырезают по форме исследуе .мой платы, обезжи-ривают спирто.м, покрывают тонким ровным сл0е.м краски и дают просохнуть 20-40 мин. Готовую термоиндикаторную бумагу прикрепл ют к плате на рассто нии 5-10 .мл от исследуе.мых элементов и закрывают кожухо.м. Затем блок помещают в камеру тепла и устйнашашают номинальный режим работы. Температуру в камере повышают до 50°С и после прогрева блока в течение 1,5-2 час кожух снимают и провер ют состо ние тер.моиндикаторной бумаги. Места с расплавленным индикаторо.м отмечают , на блок снова одевают кожух п те.мпературу в камере повышают на 2°С. И так в течение четырех цикловзпока температура в камере не достигнет +58°С. Ввиду того, что блок прогрет, а дл повышени те.мпературы в камере на 2°С требуетс 3-5 мин, то продолжительность всего цикла не превышает мин (термоиндикатор плавитс практически Мгновенно). Линии, отмечающие по вление новых расплавов после каждого, цикла вл ютс изотермами, ограничивающими области с одинаковым перегревом. В исследуемом блоке первые метки по вились при -f-52°C, что соответствует перегреву в 8°СГ 1 Максимально нагрета. зона находитс в област наиболее мощных и наиболее нагруженных резисторов. В эту же зону попадают р до .ч -расположенные элементы: конденсаторы: н диоды. .. , i Области с те.мпературными перегрева.ми в 6 и 4 градуса определ ютс тепловыделением наход щихс в них менее мощных, резисторов и транзисторами, а также вли ние.м соседних , более мощных элементов. Области с минимальной те.мпературой перегрева (до ) расположены вблизи импульсных трансформаторов и конденсаторов, которые почти не вь1дел ют тепла. Максимальна температура, прн которой работают эле.менты схемы составл ет 68°С, при этом достаточно точно установлены области действи этих температур. Предложенный способ позвол ет получить фиксированную картину пол по отношению к температуре окружающей среды в нестационарном режиме с любой точностью определени областей перегрева. Предмет изобретени Способ измерени тепловых полей, заключающийс в использовании помещенных на подложке в поле термоиндккаторных покрытий , отличающийс те.м, что, с целью получени нагл дной картины распределени теплового пол в нестационарном режи.ме, дискретно ИЗ.меи ют в малых пределах температуру среды, окружающей исследуемые элементы , до предельно допустимых значений и, соответственно , по границам расплавов термоиндикаторного покрыти после каждого цикла оценивают изотермы областей с одинаковым перегревом.The proposed method of measuring thermal fields relates to the term of the measuring technique and can be used to measure the maximum thermal fields near the evolving heat elements taking into account local overheating in various areas of technology. A known method of indicating a thermal floor by using thermal indicator coatings, in which a thermal indicator coating is applied to an elastic film, is installed in predetermined planes of the volume under investigation. However, it is not possible to obtain in a known manner a cumulative picture of the distribution of the thermal field in a transient mode with discrete levels of observation. The aim of the invention is to obtain an in-depth picture of the distribution of thermal fields in non-stationary mode. This is achieved by discretely varying within small limits the temperature of the medium surrounding the elements under study, to the maximum permissible values and, accordingly, along (The boundaries of the thermal indicator coating melts are marked after each cycle of the isotherms of areas with the same neperpe-i BOM.i. The proposed method is based on the use of melting thermal indicators. The proposed method consists in the following 1m. A thermal indicator with a critical TCR temperature is applied in an even thin layer on a substrate, for example a tracing paper, which is pre-degreased After drying, a painted sheet of tracing paper is placed in a block in the thermal field of the measured radio electronic elements. The block is covered with a casing and the power is turned on. When the temperature near the measured elements of Hz is reached, a melt appears on the thermal indicator paper. small limits, the temperature of the medium in which the unit operates is removed after each cycle of the isotherm and an overview picture of the distribution of the thermal field in a closed unit is obtained. For example, Word work board elements pulsed transistorized amplifiers in the block. The accuracy of the determination of overheating areas is determined by the discreteness of the values attributed to the ambient temperature. 343 The proposed method is illustrated in the drawing. FIG. 1 shows the elements of the circuit board of the pulse amplifiers for semiconductor triodes in the block; in fig. Figure 2 shows an indentive picture of the isotherms obtained by the proposed method. For units containing semiconductor elements, the temperature of the heat resistance test is usually 60 ° C. Based on this, a thermal indicator paint type TP60 with a critical temperature of 60 ± 1 ° C was selected. The sheet of tracing paper is cut out according to the form, examine my boards, degrease the alcohol, cover it with thin even sm.m paint and allow to dry for 20-40 minutes. The finished thermal indicator paper is attached to the board at a distance of 5-10 ml from the test elements and closed by the case cover. The unit is then placed in a heat chamber and the nominal mode of operation is maintained. The temperature in the chamber is increased to 50 ° C and after the block has been heated for 1.5-2 hours, the cover is removed and the condition of the thermal indicator paper is checked. Places with molten indicatoro.m. are marked; the casing is again put on the block and the temperature in the chamber is increased by 2 ° C. And so, for four cycles, the temperature in the chamber will not reach + 58 ° C. Due to the fact that the block is heated, and to increase the temperature in the chamber by 2 ° C, it takes 3-5 minutes, the duration of the entire cycle does not exceed a minute (the heat indicator melts almost instantly). The lines marking the appearance of new melts after each cycle are isotherms bounding the regions with the same overheating. In the block under study, the first marks appeared at -f-52 ° C, which corresponds to overheating at 8 ° СГ 1 Maximum heated. the zone is in the region of the most powerful and most loaded resistors. To the same zone fall p to. H-arranged elements: capacitors: n diodes. .., i Areas with thermal overheatings of 6 and 4 degrees are determined by the heat generation of the less powerful resistors and transistors in them, as well as the influence of the neighboring more powerful elements. Areas with a minimum temperature of overheating (up to) are located near pulse transformers and capacitors, which do not generate much heat. The maximum temperature, at which the circuit elements operate, is 68 ° C, and the regions of action of these temperatures are determined quite accurately. The proposed method allows to obtain a fixed picture of the floor with respect to the ambient temperature in a non-stationary mode with any accuracy in determining overheating areas. The subject of the invention. A method of measuring thermal fields, consisting in the use of thermally induced coatings placed on a substrate in a field, characterized by the fact that, in order to obtain a comprehensive picture of the distribution of the thermal field in the transient mode, the temperature of the medium is small. surrounding the elements under study, to the maximum permissible values and, accordingly, the isotherms of areas with the same overheating are evaluated after each cycle of the melts of the thermal indicator coating.
nepetpeS 8°CNepetpeS 8 ° C
Тиг.гTig.g