SU429374A1 - Устройство для бесконтактных измерений параметров полупроводниковых слоев на высокой частоте - Google Patents
Устройство для бесконтактных измерений параметров полупроводниковых слоев на высокой частотеInfo
- Publication number
- SU429374A1 SU429374A1 SU1670633A SU1670633A SU429374A1 SU 429374 A1 SU429374 A1 SU 429374A1 SU 1670633 A SU1670633 A SU 1670633A SU 1670633 A SU1670633 A SU 1670633A SU 429374 A1 SU429374 A1 SU 429374A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- parameters
- high frequency
- semiconductor layers
- contactless measurements
- measurements
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к электронике и может быть использоваио в технике измерений и исследований параметров полупроводниковых слоев (а также тонких образцов полупроводников ) при производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов.
Известны устройства дл бесконтактных измерений параметров полупроводников на высокой частоте, в которых испытуемый образен включаетс в LC-контур ВЧ-генератора или в ВЧ-мост.
Однако известные устройства имеют малую чувствительность и точность.
Целью изобретени вл етс повышение чувствительности и точности измерений иолупроводниковых слоев, в том числе напыленных на металлические подложки, нанесенные на диэлектрические пластинкн (например, мишеней видиконов).
Дл этого между выходом генератора высокой частоты и емкостным зондом включены последовательно соединенные пьезокварцевый резонатор и первична обмотка трансформатора , а вторична обмотка трансформатора соединена с индикатором.
На чертеже приведепа схема устройства.
Устройство дл бесконтактных измерений параметров полупроводниковых слоев на высокой частоте содержит ВЧ-генератор 1 с плавной перестройкой частоты, элемент св зи 2, имеющий малое (менее чем в 10 раз) реактивное сопротивление по сравнению с последовательным реактивным (емкостным) сопротивлением кварцевого резонатора 3, первичную обмотку 4 трансформатора с емкостным зондом 5. Индуктивное сонротивление первичной обмотки 4 трансформатора должно быть во много раз (более 10) менее эквивалентной индуктивности кварцевого резонатора 3, а емкость зонда 5 должна быть большой (более 10 раз) по сравнению с эквивалентной последовательной емкостью кварцевого резонатора 3.
Ка некотором рассто нии от зонда 5 (0,1 мм) находитс испытуемый слой 6, нанесенный на нровод шую подложку 7 стекл нной пластины 8. Вторична обмотка 9 трансформатора подключена к индикатору 10.
Устройство работает следующим образом.
С генератора 1 подаетс сигнал на кварцевый резонатор 3, который резонирует на частоте последовательного резонанса. Через первичную обмотку 4 трансформатора сигнал поступает на индикатор 10. Изменением частоты генератора 1 определ етс ширина резонансной KpHBoii на уровне 0,707, по которой пзмер :от добротности Qi, нагруженного кварцевого резонатора 3. Сопротивление сло Kc:i на частоте fp последовательного резонанса определ етс из формулы
,.,.,(i).c:
Гк - эквивалентное сопротивление ненагруженного кварцевого резонатора на резонансной частоте, Q - добротность ненагруженного кварцевого резонатора,
QH - добротность нагруженного кварцевого резонатора.
Сел - емкость сло полупроводника. Q, Сел определ ют известными способаQH определ ют из данных измерений.
Предмет изобретени
Устройство дл бесконтактных измерений параметров полупроводниковых слоев на высокой частоте, содержащее генератор высокой частоты с элементом св зи, емкостной зонд с испытуемым полупроводниковым слоем и индикатор , отличающеес тем, что, с целью повыщени чувствительности и точности
измерений, между выходом генератора высокой частоты и емкостным зондом включены последовательно соединенные льезокварцевый резонатор и первична обмотка трансформатора , а вторична обмотка трансформатора соединена с индикатором.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1670633A SU429374A1 (ru) | 1971-06-10 | 1971-06-10 | Устройство для бесконтактных измерений параметров полупроводниковых слоев на высокой частоте |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1670633A SU429374A1 (ru) | 1971-06-10 | 1971-06-10 | Устройство для бесконтактных измерений параметров полупроводниковых слоев на высокой частоте |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU429374A1 true SU429374A1 (ru) | 1974-05-25 |
Family
ID=20479448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1670633A SU429374A1 (ru) | 1971-06-10 | 1971-06-10 | Устройство для бесконтактных измерений параметров полупроводниковых слоев на высокой частоте |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU429374A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2465334C2 (ru) * | 2006-04-24 | 2012-10-27 | Хил Текнолоджиз, С.А. Де К.В. | Способ прямого восстановления железа и устройство для его осуществления |
-
1971
- 1971-06-10 SU SU1670633A patent/SU429374A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2465334C2 (ru) * | 2006-04-24 | 2012-10-27 | Хил Текнолоджиз, С.А. Де К.В. | Способ прямого восстановления железа и устройство для его осуществления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2581394A (en) | Method of and apparatus for measuring the thickness of nonconducting coatings or films | |
| US2562575A (en) | Electronic device for measuring physical constants | |
| US5015952A (en) | Apparatus for characterizing conductivity of materials by measuring the effect of induced shielding currents therein | |
| SU429374A1 (ru) | Устройство для бесконтактных измерений параметров полупроводниковых слоев на высокой частоте | |
| Works et al. | A resonant-cavity method for measuring dielectric properties at ultrahigh frequencies | |
| US5268646A (en) | Apparatus for characterizing conductivity of superconducting materials | |
| US2932970A (en) | Capacitance bridge oscillator | |
| US2662408A (en) | Electronic pressure indicator | |
| US2742609A (en) | Measuring apparatus | |
| US2724798A (en) | Apparatus for measuring characteristics of materials | |
| US2906950A (en) | Multiple-tuning type, differentialarrangement device for measuring reactances | |
| Gerber | A review of methods for measuring the constants of piezoelectric vibrators | |
| US3450985A (en) | Eddy current testing system including bridged-t network | |
| US2602838A (en) | Electrical measuring instrument | |
| Works et al. | A resonant-cavity method for measuring dielectric properties at ultra-high frequencies | |
| Slavin | A MOSFET oscillator suitable for measurements of small changes in capacitance or inductance at cryogenic temperatures | |
| US2547650A (en) | Conductance meter | |
| Harrington et al. | A re-entrant cavity for measurement of complex permeability in the very-high-frequency region | |
| Deming et al. | A novel method for characterizing the surface resistance of two conducting plates shorted at both ends of a dielectric resonator | |
| US3621385A (en) | Meter for measuring capacitances of extremely high loss dielectric materials | |
| GB642735A (en) | Improvements in and relating to radio frequency testing apparatus | |
| US2784375A (en) | Circuit resonance indicator | |
| RU1835522C (ru) | Способ бесконтактного измерени удельного электросопротивлени полупроводниковых пленок | |
| Iinuma | A method of measuring the radio-frequency resistance of an oscillatory circuit | |
| SU868662A1 (ru) | Способ измерени магнитной проницаемости жидких ферромагнитных материалов |