SU426582A1 - Полупроводниковый @ -детектор - Google Patents

Полупроводниковый @ -детектор Download PDF

Info

Publication number
SU426582A1
SU426582A1 SU711715812A SU1715812A SU426582A1 SU 426582 A1 SU426582 A1 SU 426582A1 SU 711715812 A SU711715812 A SU 711715812A SU 1715812 A SU1715812 A SU 1715812A SU 426582 A1 SU426582 A1 SU 426582A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
detector
semiconductor
container
semiconductor wafer
mandrel
Prior art date
Application number
SU711715812A
Other languages
English (en)
Inventor
Г.Н. Зорин
Original Assignee
Zorin G N
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zorin G N filed Critical Zorin G N
Priority to SU711715812A priority Critical patent/SU426582A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU426582A1 publication Critical patent/SU426582A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ iE-ДЕТЕКТОР, состо щий из полупроводниковойпластины^ расположенной в контей- . нере, отличающийс  тем, что, с целью повышени  механической прочности и ускорени  сборки, полуг; проводникова  пластина зажата между кольцами из упругого пористого изол ционного материала, например поролона. .

Description

Изобретение относитс  к технологии изготовлени  полупроводниковых детекторов и технике эксперимента в области  дерной физики.
Полупроводниковые Е-детектрры в последние годы используют B3aNraH ионизационных камер в экспериментах по изучению  дерных реакций благодар  простоте эксплуатации и малым размерам входных и выходных окон. Например , эти детекторы примен ют дл  идентификации продуктов  дерных реакций р методике UExE,
Хрупкость полупроводниковых; пластин толщиной 10-150 мкм, а также требование удобства в эксплуатации на кладывают жесткие услови -на конструк цию оправки /SiE-детектора. Известна керамическа  оправка с прикрепленной к ней с помощью эпоксидной смолы полупроводниковой пластинкой. В качестве электрического вывода служит электропровод щий слой, который нанос т на поверхность пластины и близлежащие поверхности оправки.
Однако в известных детекторах жесткое- -крепление полупроводниковой плас тины к корпусу оправки может рривес-
ти к деформации, ухудшающей характет; ристики детектора, а также требует применени  дорогосто щих специальных эпоксвдных смол; имеетс  возможность разрьгоа электропровод щего сло  в результате перепадов температур и механических встр сок; основщ,1е хара;ктеристики детектора плохо воспроизвод тс  из-за вли ни  эпоксидных смол на свойства поверхности полупроводниковой пластины.
Цель изобретени  - повышёние механической прочности детектора при одновременном получении электрической изол ции не мен ющей свойств поверхности полупроводниковой пластины; ускорение сборки оправки.,
Цель достигаетс  тем, что в предлагаемом детекторе полупроводникова  пластина зажата между кольцами из поролона в контейнере.
На чертеже иаображен предлагаемый полупроводниковый Е-детектор, разрез .
Детектор содержит высокочастотный разъем 1, металлическую крьтку 2 внутреннего контейнера, полупроводниковую пластину 3, металлический цилиндр 342 4внешнего контейнера, поролоновые кольца 5 и 6, изол ционное кольцо 7 внутреннегоiконтейнера, изол ционную прокладку 8, металлическую крышку 9 внешнего контейнера. Внутренний-контейнер с ДЕ-детекто ром,.зажатым меаду поролоновыми кольцами , предварительно очищенными в четыреххлористом углероде и спирте, экранируетс  внешним контейнером. Стандартный высокочастотный разьем закреп лен, на внешнем контейнере таким образом , что стержень разъема входит в паз фторопластового кольца внутреннего контейнера дл  предотвращени  разрыва во врем  сборки оправки электрической вью од ной цепи. На крьшгке и кольце внутреннего контейнера имеютс  пазы с двум  отверсти ми, на которых укрепл ют тонкие проволочки перед закреплением их пастой к контактам ,детектора . На торце внешнего контейнера имеетс  цилиндрическое углубле-ние , а На внешней стороне,- резьба, которые обеспечивают установку АЕ-детектора в телескопео Характеристики &Е-де гекторов, сн тые цо упакозкк в оправку и после упаковки, практически не отличались одна от другой. Основные параметры &Е-детекторов не мен лись в течение 13 мае, дл  всех толщин (например,, дл  &Е-детекторов фирмы ORTEC толщиной до 30 мкм гаранти  6 мес.).

Claims (1)

  1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ΑΈ-ДЕТЕК-
    ТОР, состоящий из полупроводниковой пластины; расположенной в контей- . нере, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и ускорения сборки, полупроводниковая пластина зажата между кольцами из упругого пористого изоляционного материала, например поролона.
SU711715812A 1971-11-19 1971-11-19 Полупроводниковый @ -детектор SU426582A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU711715812A SU426582A1 (ru) 1971-11-19 1971-11-19 Полупроводниковый @ -детектор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU711715812A SU426582A1 (ru) 1971-11-19 1971-11-19 Полупроводниковый @ -детектор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU426582A1 true SU426582A1 (ru) 1989-09-07

Family

ID=20493439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU711715812A SU426582A1 (ru) 1971-11-19 1971-11-19 Полупроводниковый @ -детектор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU426582A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2714672A (en) Accelerometer
US3230504A (en) Open hemispherical transducers
US4231112A (en) High-power underwater transducer with improved performance and reliability characteristics and method for controlling said improved characteristics
US3274458A (en) Extremely high voltage silicon device
US3760089A (en) Electrical bushing assembly having resilient means enclosed within sealing means
US2744217A (en) Electrical apparatus
US4126803A (en) X-ray tube and apparatus including an X-ray tube
US3153156A (en) Pressure-proof ceramic transducer
US2305150A (en) Electrical terminal
US3396316A (en) Compression bonded semiconductor device with hermetically sealed subassembly
US2755419A (en) Electromechanical nonlinear capacitor
SU426582A1 (ru) Полупроводниковый @ -детектор
US3474302A (en) Semiconductor device providing hermetic seal and electrical contact by spring pressure
US3717039A (en) Method and means for amplifying the stress and strain in a stress-sensitive component
US3820208A (en) Method of manufacturing a piezoelectric element
US3113288A (en) Supersensitive shielded crystal hydrophone
US3109055A (en) Hermetic seal terminal
US3700983A (en) Variable capacitor having a solid dielectric between its electrodes
US2993153A (en) Seal
US4672507A (en) Electrical wound capacitor with reduced self-inductance
US3319211A (en) Electrical connector
US4054813A (en) Triggered spark-gap discharger
US3290566A (en) Stackable semiconductor rectifier element having seals under compressive stress
US3155770A (en) Entrance seal for electrical conductors extending through the wall of a pressure vessel
US3368193A (en) Deep submergence hydrophone