SU421955A1 - DEVICE FOR MEASURING THE HEAT RESISTANCE OF TRANSISTORS - Google Patents
DEVICE FOR MEASURING THE HEAT RESISTANCE OF TRANSISTORSInfo
- Publication number
- SU421955A1 SU421955A1 SU1474377A SU1474377A SU421955A1 SU 421955 A1 SU421955 A1 SU 421955A1 SU 1474377 A SU1474377 A SU 1474377A SU 1474377 A SU1474377 A SU 1474377A SU 421955 A1 SU421955 A1 SU 421955A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- measuring
- transistor
- pulses
- transistors
- heat resistance
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к области электронной техники и может быть пснользовано дл контрол параметров нолуироводниковь1Х приборов.The invention relates to the field of electronics and can be used to control the parameters of newer devices.
Известны устройства дл измерени теплового сопротивлени транзисторов, содержащие генератор импульсов греющего тока, генератор измерительных импульсов и источник коллекторного напр жени .Devices are known for measuring the thermal resistance of transistors, comprising a heating current pulse generator, a measurement pulse generator, and a source of collector voltage.
Однако при использовании известных устройств точность измерений температуры перехода ограничена погрешностью импульсных измерений зависимого от температуры параметра - пр мого падени напр жени на переходе транзистора; кроме того, измерени весьма трудоемки.However, when using known devices, the accuracy of the measurement of the junction temperature is limited by the accuracy of the pulse measurements of the temperature-dependent parameter — the direct voltage drop across the junction of the transistor; besides, measurements are very laborious.
Цель изобретени - повышение точноеги и обеспечение возможности автоматизацпи измерений.The purpose of the invention is to increase accuracy and ensure the possibility of automating measurements.
Цель достигаетс тем, что предлагаемое устройство содержит регулирующий нуль-орган , вход которого соединен с клеммой дл подключени базы испытуемого транзистора и с токосъемным резистором, а выход соединен с генератором импульсов греюпдего тока.The goal is achieved by the fact that the proposed device contains a regulating null organ, the input of which is connected to a terminal for connecting the base of the tested transistor and to a collector resistor, and the output is connected to a generator of pulses of current.
На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства. Оно содержит генератор / импульсов греющего тока, генератор 2 измерительных импульсов, испытуемый транзистор 3, источник 4 коллекторного напр жени , клеммы 5, 6, 7 дл подключени испытуемого транзистора, токосъемный резистор 8, регулирующий нуль-орган 9, цепь синхронизации 10.The drawing shows a block diagram of the proposed device. It contains a heating current generator / pulses, a measuring pulse generator 2, a transistor 3 under test, a collector voltage source 4, terminals 5, 6, 7 for connecting a transistor under test, a collector resistor 8, a zero-control regulator 9, a synchronization circuit 10.
Известно, чтоIt is known that
Тп - ТTn - T
йth
где - температура перехода, Г(.р- температура среды, Р - моплность, рассеиваема where is the transition temperature;
тракзистором . (2)traction sensor. (2)
Р UJ,a,P uj, a,
е UK- коллекторное напр жение на транe UK- trans collector voltage
зисторе,zistor,
/к - коллекторный ток, ст - скважность импульсов разогрева. При const/ K - collector current, st - the duty cycle of the heating pulses. With const
,,
,-., -.
л l
Испытуемый прибор устанавливают в режимы , отличающиес температурой среды и мощностью, рассеиваемой на транзисторе, и одинаковые по величине температуры перехода .The device under test is installed in modes that differ in medium temperature and power dissipated in the transistor, and the same in terms of the transition temperature.
При подключении испытуемого транзистора 5 к клеммам 5, 5, 7 при некоторой температуре окружающей среды Гр,,, напримерWhen connecting the test transistor 5 to the terminals 5, 5, 7 at a certain ambient temperature Gr ,, for example
комнатной, через эмиттер транзистора течет эмиттерный ток за счет работы генераторов /, 2 и цепи синхронизации 10. Источник 4 обеспечивает напр жение t/,; , и на транзисторе выдел етс мощность в соответствии с фор-мулой (2). Во врем измерительных импульсов эмиттерного тока возникают соответственные импульсы тока базы, и сигнал, пропорциональный им, выдел етс на токосъемном резисторе 8. Этот сигнал вл етс входным дл регулирующего нуль-органа 9. Сигнал синхронизации , поступа по цепи 10 к регулирующему нуль-органу, обеспечивает реакцию последнего только на импульсы тока базы, соответствующие измерительным импульсам. Регулирующий нуль-орган автоматически мен ет величину импульсов тока разогрева генератора 1, а следовательно, и мощность разогрева испытуемого транзистора. Изменение мощности производитс до тех пор, пока импульсы тока базы во врем измерительных импульсов не станов тс равными нулю. По окончании регулировани , зна t/ и установившуюс величину /к , высчитать мощность PI по формуле (2). При изменении температуры среды, например при нагреве транзистора в термостате, процесс регулировани автоматически повтор етс , причем лучаетс другое значение мощности Р.room, through the emitter of the transistor emitter current flows due to the operation of the generators I, 2 and the synchronization circuit 10. Source 4 provides the voltage t / ,; and the power is released on the transistor in accordance with formula (2). During the measuring pulses of the emitter current, the corresponding base current pulses occur, and a signal proportional to them is released on the collector resistor 8. This signal is input to the regulating zero-organ 9. The synchronization signal supplied through the circuit 10 to the regulating zero-organ provides the latter's response only to base current pulses corresponding to the measuring pulses. The control zero-body automatically changes the magnitude of the heating current pulses of the generator 1, and hence the heating power of the tested transistor. The power change is made until the base current pulses during the measurement pulses become zero. At the end of the regulation, t / and the steady-state value / k, calculate the power PI by the formula (2). When the temperature of the medium changes, for example when the transistor is heated in a thermostat, the control process automatically repeats, and a different value of the power P is received.
Затем определ ют величину теплового противлени исследуемого транзистора формулеThen determine the value of thermal resistance of the investigated transistor by the formula
п Гер - 7ср2nGer - 7cp2
(4)(four)
Описываемое устройство применимо дл исследовани только дл тех транзисторов, у которых эффект равенства нулю тока базы (поворот фазы базового тока) зависит от температуры .The described device is applicable for research only for those transistors, in which the effect of the base current being equal to zero (the phase rotation of the base current) depends on the temperature.
Предмет изобретени Subject invention
Устройство дл измерени теплового сонротивлени транзисторов, содержащее генератор имнульсов греющего тока, генератор измерительных импульсов и источник коллекторного напр жени , отличающеес тем, что, с целью повышени точности и автоматизации измерений, оно содержит регулирующий нульорган , вход которого соединен с клеммой дл A device for measuring the thermal resistance of transistors, comprising a generator of heating current pulses, a generator of measuring pulses, and a source of collector voltage, characterized in that, in order to improve accuracy and automate measurements, it contains a regulating null organ, whose input is connected to a terminal
одключени базы испытуемого транзистора и с токосъемным резистором, а выход соединен с генератором импульсов греющего тока.Connecting the base of the test transistor and with a collector resistor, and the output is connected to a generator of pulses of heating current.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1474377A SU421955A1 (en) | 1970-09-08 | 1970-09-08 | DEVICE FOR MEASURING THE HEAT RESISTANCE OF TRANSISTORS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1474377A SU421955A1 (en) | 1970-09-08 | 1970-09-08 | DEVICE FOR MEASURING THE HEAT RESISTANCE OF TRANSISTORS |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU421955A1 true SU421955A1 (en) | 1974-03-30 |
Family
ID=20457145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1474377A SU421955A1 (en) | 1970-09-08 | 1970-09-08 | DEVICE FOR MEASURING THE HEAT RESISTANCE OF TRANSISTORS |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU421955A1 (en) |
-
1970
- 1970-09-08 SU SU1474377A patent/SU421955A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3939687A (en) | Temperature calibration system | |
SU421955A1 (en) | DEVICE FOR MEASURING THE HEAT RESISTANCE OF TRANSISTORS | |
RU2685769C1 (en) | Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control | |
GB2044491A (en) | Automatic control of temperature | |
US1482091A (en) | Apparatus for determining and also indicating the total available heat of a flow of combustible fluid | |
SU771576A1 (en) | Method of determining the temperature of local overheating zone of transistor structure | |
SU574633A1 (en) | Difeerential scanning microcalorimeter | |
SU1675862A1 (en) | Thermostating device | |
SU488068A1 (en) | Calorimetric Flowmeter | |
SU1173284A1 (en) | Device for measuring air humidity | |
SU1318818A1 (en) | Method and apparatus for measuring vacuum | |
SU382940A1 (en) | METHOD OF CONTROL OF TEMPERATURE | |
SU598056A1 (en) | Parametric thermocompensated dc voltage stabilizer | |
SU1705808A1 (en) | Temperature regulator | |
SU614371A1 (en) | Method and apparatus for determining heat conductivity | |
SU447579A1 (en) | Temperature measuring device | |
SU1335820A1 (en) | Device for measuring temperature of p - n-junction of bipolar transistors | |
SU726443A1 (en) | Heat flowmeter | |
SU1016747A1 (en) | Hot-wire anenometer | |
SU255407A1 (en) | SELF-BALANCING THERMISTOR BRIDGE FOR MEASURING UHF-POWER | |
SU851352A1 (en) | Temperature controller | |
SU377748A1 (en) | ||
SU504943A1 (en) | Thermal sensor | |
SU365654A1 (en) | AUTOMATIC DEVICE FOR WORKING WITH SENSORS | |
SU1682827A1 (en) | Device for temperature measurements |