SU420120A1

SU420120A1 - KEY DEVICE

Info

Publication number: SU420120A1
Application number: SU1791284A
Authority: SU
Original assignee: Ю. В. Трусевич О. П. Назаров
Priority date: 1972-05-31
Filing date: 1972-05-31
Publication date: 1974-03-15

Description

1one

Изобретение относитс к области вычислительной техники И дискретной автоматики.The invention relates to the field of computing and discrete automation.

Известно ключевое устройство дл микромощных логических элементов, выполнэнное на транзисторе, база которого, вл юща с входом устройства, подключена к электроду обращенного диода. В таком устройстве сказываетс вли ние тепловых токов, потребл ема ИМ при воздействии разнопол рных импульсов мощность значительна.A key device for micropower logic elements is known, made on a transistor, the base of which, being the input of the device, is connected to the electrode of the inverted diode. In such a device, the effect of thermal currents, consumed by MI under the influence of opposite-polarity pulses, is significant.

Цель изобретени - уменьшение тепловых токов И потребл емой мощности. Дл этого к второму электроду обращенного диода подключен встречно дополнительный обращенный ДИОД, другой электрод которого соединен с эмиттером транзистора.The purpose of the invention is to reduce thermal currents AND power consumption. To do this, an additional reverse diode is connected to the second electrode of the inverted diode, the other electrode of which is connected to the emitter of the transistor.

На чертеже показана принципиальна электрическа схема предлагаемого устройства.The drawing shows a circuit diagram of the device.

Устройство содержит транзистор 1, база которого подключена к электроду (катоду) обращенного диода 2. К аноду последпего подключен анод дополнительного обращенного диода 3, катод которого соединен с эмиттером транзистора и земл ной щиной. Коллектор транзистора подключен к нагрузочному резистору 4 И к выходу 5 устройства.The device contains a transistor 1, the base of which is connected to the electrode (cathode) of the inverted diode 2. The anode of the additional inverted diode 3 is connected to the anode of the latter, the cathode of which is connected to the emitter of the transistor and ground. The collector of the transistor is connected to the load resistor 4 and to the output 5 of the device.

Таким образом, на входе 6 устройства параллельно переходу эмиттер-база транзистора СТОИТ последовательна цепочка из двух встречно включенных обращенных диодов. Thus, at the input 6 of the device parallel to the transition emitter-base of the transistor, the chain of two counter-connected inverse diodes is consistent.

Сопротивление этой цепочки при отсутствии входного сигнала невелико, а при наличии его достигает значительных величин.The resistance of this chain in the absence of an input signal is small, and in the presence of it reaches significant values.

В отсутствие сигнала отрицательной пол рности транзистор находитс под напр жением коллекторного питани , а в его базовой цепи протекает ток /к через цепочку обращенных ДИОДОВ, обратно смещенный переход базаколлектор И резистор 4. Этот ток создает падение напр жени на всех базовых сопротивлени х , как внешних (цепочка диодов), так и внутренних. Это напр жение отпирает переход эмиттер-база транзистора и создает таким образом эффект сигнала. В результате через транзистор течет сквозной ток /скв, который приводит к посто нному потреблению мощности устройством.In the absence of a negative polarity signal, the transistor is under the voltage of the collector power, and in its base circuit current flows to the back-facing diode, backward-shifted transition basacollector And resistor 4. This current creates a voltage drop across all base resistors as external (chain of diodes) and internal. This voltage unlocks the transition emitter-base of the transistor and thus creates a signal effect. As a result, a through current / SLE flows through the transistor, which leads to a constant power consumption by the device.

При увеличении температуры ток /к растет И соответственно растет ток /скв, а потребление МОЩНОСТИ увеличиваетс . Однако незначительное динамическое сопротивление цепочки обращенных диодов не позвол ет транзистору полностью открытьс И сдерживает потребление МОЩНОСТИ.As the temperature increases, the current / k increases and, accordingly, the current / SLE increases, and the power consumption increases. However, the insignificant dynamic resistance of the inverted diode circuit does not allow the transistor to open fully and constrains the power consumption.

При подаче на вход 6 импульсов любой пол рности входное сопротивление каскада возрастает И потребление мощности источника сигнала незначительно. Таким образом, при наличии сигнала ток в цепи утечки транзистора оказываетс очень малым, что позвол етWhen 6 impulses of any polarity are fed to the input, the input impedance of the cascade increases and the power consumption of the signal source is negligible. Thus, in the presence of a signal, the current in the transistor leakage circuit is very small, which allows

уменьшить требование к источнику сигнала и увеличить его нагрузочную способность.reduce the requirement for a signal source and increase its load capacity.

Предмет изобретени Subject invention

Ключевое устройство дл микромощиых логических элементов, выполненное на транзисторе , база которого, вл юща с входомA key device for micropower logic elements, made on a transistor, the base of which is the input

устройства, подключена к электроду обращенного диода, отличающеес тем, что, с целью уменьшени тепловых токов и потребл емой мощности, к второму электроду обращенного диода подключен встречно дополнительный обращенный диод, другой электрод которого соединен с эмиттером транзистора.The device is connected to the electrode of the reversed diode, characterized in that, in order to reduce thermal currents and power consumption, an additional reversal diode is connected to the second electrode of the reversed diode, the other electrode of which is connected to the emitter of the transistor.

Q.HOQ.HO