SU416866A1

SU416866A1 -

Info

Publication number: SU416866A1
Application number: SU1747877A
Authority: SU
Priority date: 1972-02-02
Filing date: 1972-02-02
Publication date: 1974-02-25

Description

Изобретерше относитс ж коммутации электрических сигналов микро- и наиосекундного диапазона и может быть использовано в системах сбора, накоплени и обработки информации , в электронной вычислительной технике , в дерной радиоэлектронной аппаратуре и т. п.Inventive relates to the switching of electrical signals of the micro- and nanosecond range and can be used in systems for collecting, storing and processing information, in electronic computing technology, in nuclear radio-electronic equipment, etc.

Известны полупроводниковые коммутаторы, содержан.ще ключевой транзистор, база которого подключена :к шине управлени , а коллектор - к месту соединени -резистора гашени , св занного с входной шиной, и резистора нагруэки, св занного с обшей шиной, а также 1резисторы в цеп х iaмeщeни . Однако сравнительно невысокое быстродействие св зано с тем, что ключевой транзистор работает iB режиме насыщени .Known semiconductor switches contain a key transistor, the base of which is connected to the control bus, and the collector to the junction of the quenching resistor connected to the input bus and the load-carrying resistor connected to the common bus, and also resistors in the circuits iam. However, the relatively low speed is due to the fact that the key transistor operates in iB saturation mode.

Целью изобретени вл етс повышение быстродействи .The aim of the invention is to increase speed.

Дл этого коммутатор содержит диоды, причем эмиттер ключевого транзистора через диод и резистор подсоединен к соответствуюш:им шинам питани источников напр жени смещени , а параллельно резистору нагрузки включен диод.For this, the switchboard contains diodes, with the emitter of the key transistor being connected through a diode and a resistor to the corresponding one: their supply voltage busbars, and a diode connected in parallel with the load resistor.

Кроме того, с целью повышени коэффициента передачи, соответствующий вывод резистора гашени подсоединен к эмиттеру дополнительного транзистора, -коллектор которого подсоедннеп к коллектору ключевогоIn addition, in order to increase the transmission coefficient, the corresponding output of the quenching resistor is connected to the emitter of the additional transistor, the collector of which is connected to the collector of the key

транзистора, а база подсоединена « шине питани источника напр жени смещени .transistor, and the base is connected to the "supply voltage bus of the bias voltage source.

На фиг. 1 изображена схема предлагаемого коммутатора; па фиг. 2 - то же, вариант исполнени .FIG. 1 shows a diagram of the proposed switch; pas figs. 2 is the same as the embodiment.

Устройство содержит резистор 1 гашени , ключевой транзистор 2, разделительный конденсатор 3, резисторы 4-7 и диоды 8 и 9.The device contains a quenching resistor 1, a key transistor 2, a coupling capacitor 3, resistors 4-7, and diodes 8 and 9.

В исходном состо нии при отсутствии ИМпульса управлени , подаваемого на базу ключевого транзистора 2, последний открыт и через него протекает ток /к, определ емый номиналами напр жений и ,, а также величн1ной сопротивлени резистора 7. Протекание тока /к поддерживает открытое состо ние диода 9, напр жение на его аноде, а, следовательно, и на нагрузочном резисторе 6, близкое к нулю.In the initial state, in the absence of an impulse of control supplied to the base of the key transistor 2, the latter is open and current flows through it, defined by the voltage values and, as well as the resistance value of the resistor 7. The current flow to the open state of the diode 9, the voltage at its anode, and, consequently, at the load resistor 6, is close to zero.

Поступаюпаде па резистор гашени входные коммутируемые импульсы дел тс на делителе , образованном резистором 1 и сопротивлением диода 9, в открытом направлении/ д откр. и так как / 1 доткр. на нагрузочном резисторе 6 выходные импульсы отсутствуют. Величина входного ком.мутируемого сигнала не должна превышать , в противном случае произойдет закрывание диода 9, что вызысвает увеличение падени напр жени на нагрузочном резисторе 6.The incoming pa resistor damping input switching pulses are divided by the divider formed by the resistor 1 and the resistance of the diode 9, in the open direction / d open. and since / 1 dotcr. the load resistor 6 output pulses are missing. The value of the input commutating signal should not exceed, otherwise the diode 9 will close, which causes an increase in the voltage drop across the load resistor 6.

При подаче через разделительный конденсатор 3 на базу ключевого транзистора 2 управл ющего сигнала последний закрываетс , и Протбкавший через него ранее ток замыкаетс через диод 8, .причем . Диод 9 закрываетс , входной коммутируемый импульс поступает ,на выход и выдел етс на нагрузочном резисторе 6 с коэффициентом передачиWhen a control signal is applied through the coupling capacitor 3 to the base of the key transistor 2, the latter is closed, and the current that has been pierced through it is closed through the diode 8, and at that. The diode 9 is closed, the input switching pulse is fed to the output and allocated to the load resistor 6 with the transfer coefficient

д.закрd. zakr

к to

1 + R II - д-закр1 + R II - d-closed

Схема, образуема ключевым траизистором 2, диодами 9 и 8 и резистором 7, представл ет собой токовый переключатель, т. е. схему, в которой отсутствует насыщение полупроводниковых элементов и .котора обладает высоким быстродействием при переключении, так каа происходит переключение одного и того же тока из одной цепи в .другую при малых управл ющих напр жени х. В качестве диода 9 может быть использован транзистор при условии обеспечени больщого значени запирающего напр жени .The circuit formed by key traisistor 2, diodes 9 and 8, and resistor 7 is a current switch, i.e., a circuit in which there is no saturation of the semiconductor elements and the kotor has a high switching speed, because the same current from one circuit to another at low control voltages. As the diode 9, a transistor can be used provided that a large value of blocking voltage is provided.

На фиг. 2 изображена схема варианта коммутатора , содержащего дополнительный транзистор 10, эмиттер которого подсоединен к резистору 1 гащени , коллектор - к коллектору ключевого транзистора 2, а база - к щине питани источника напр жени смещени - EQ.,. Электрическа цепь, образуема резистором гащени , транзистором 10 и нагрузочным резистором 6, представл ет собой транзисторный каскад с общей базой.FIG. Figure 2 shows a diagram of a variant of a switch containing an additional transistor 10, the emitter of which is connected to the resistor 1, the collector to the collector of the key transistor 2, and the base to the bias voltage supply EQ.,. The electrical circuit formed by the power resistor, the transistor 10 and the load resistor 6 is a common base transistor circuit.

Коэффициент передачи этого каскада определ етс какThe transfer ratio of this stage is defined as

GG

R,R,

ГэйGay

где Гэб - сопротивление перехода эмиттербаза транзистора 10. В этом случае /Спер 1 при Ri Rf, и выполнени услови не требуетс . Номинальные значени резистора 5 нагрузки выбираютс теперь только из услови / б доткр. и при / доткр., рав.ном единицам ом (дл .высокочастотных импульсов диодов RU Может быть выбрано пор дка сотен ом).where Geb is the emitter base junction resistance of transistor 10. In this case, Spur 1 with Ri Rf, and the condition is not required. The nominal values of the resistor 5 of the load are now selected only from the condition of / dcr. and at / dccr. equal to units of ohm (for high-frequency impulses of diodes. RU The order of hundreds of ohm can be chosen).

0 Уменьщение номиналов резисторов RB RI уманьщает посто нные времени перезар да паразитных емкостей, подключенных к выходу и входу схемы, и, тем самым, дополнительно повышает ее быстродействие.0 Decreasing the nominal values of the RB RI resistors reduces the constant recharge times of the parasitic capacitances connected to the output and input of the circuit, and, thereby, further enhances its speed.

Нред.мет изобретени H.M. of the Invention

Claims

1. Semiconductor switch containing a key transistor, the base of which

connected to the control busbar, and the collector is connected to the junction of the thickening resistor connected to the input thickness and the load resistor connected to the total thickness,

5 resistors in the bias circuit, characterized in that, in order to increase speed, it contains diodes, the emitter of the key transistor through the diode and the resistor connected to the corresponding supply voltage of the bias voltage sources,

2. A switch according to claim 1, characterized in that, in order to increase the transmission coefficient, the corresponding output of the resistor

Enhancement is connected to the emitter of an additional transistor, the collector of which is connected to the collector of the key transistor, and the base is connected to the power supply of the bias voltage source.

-fy

eleven

,