SU415800A1 - MINIMAX CIRCUIT - Google Patents

MINIMAX CIRCUIT

Info

Publication number
SU415800A1
SU415800A1 SU1744464A SU1744464A SU415800A1 SU 415800 A1 SU415800 A1 SU 415800A1 SU 1744464 A SU1744464 A SU 1744464A SU 1744464 A SU1744464 A SU 1744464A SU 415800 A1 SU415800 A1 SU 415800A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
circuit
transistors
minimax
source
voltage
Prior art date
Application number
SU1744464A
Other languages
Russian (ru)
Original Assignee
В. И. Калашников , А. Калашникова
Харьковский ордена Ленина политехнический институт В. И. Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В. И. Калашников , А. Калашникова, Харьковский ордена Ленина политехнический институт В. И. Ленина filed Critical В. И. Калашников , А. Калашникова
Priority to SU1744464A priority Critical patent/SU415800A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU415800A1 publication Critical patent/SU415800A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

1one

Схема относитс  к устройствам тех/нической кибернетики .и может быть использована в качестве указател  наибольшего или наименьшего напр жени  из заданной совокупности в устройствах экстремального регулировани , считывани  графиков, выбора направлени  движени  пр.и оптимизации и распознавани , -а также персептронах.The scheme relates to devices of technical cybernetics. And it can be used as a pointer to the highest or lowest voltage of a given set in devices of extreme control, reading graphs, choosing the direction of the pp optimization and recognition, and also perceptrons.

Из(Бестна минимаксна  схема, содерлсаща  транзисто ры, базы ;которых объединены, а коллекторы через резисторы подключены к источнику питани . Така  схема требует дл  реализации много оборудовани , кро-ме того, ее быстродействие ограничиваетс  там, что иопользуетс  Ш|Иротно-и тульсное .представление входных сигналов.From (Bestna minimax circuit containing transistors, the bases; which are combined, and the collectors are connected via resistors through a power source. Such a circuit requires a lot of equipment to realize, besides, its speed is limited there, and it uses representation of input signals.

Предлагаема  схема отличаетс  от известной тем, что в ней, в цел х упрощени , базы транзисторов через резистор подключены к источнику пр мого смещени  и через дкод к источни1ну сигналов запуска, а эмиттеры транзисторов соединены с и:сточника1Ми сигналов.The proposed scheme differs from that in that, for the sake of simplification, the bases of the transistors are connected via a resistor to the source of direct bias and through the dc to the source of trigger signals, and the emitters of the transistors are connected to and from the source.

На чертеже показана предлагаема  схема. Минимаксна  схема дл  выделени  наибольщего напр жени  нз совокупности напр жений , ..-,Фл1 и передачи их на соответствующие выходы в (виде напр женийThe drawing shows the proposed scheme. Minimax circuit for isolating the highest voltage across the aggregate of voltages, ..-, Fl1 and transferring them to the corresponding outputs in (as voltages

{ Фь.-.,Ф„) , если последние удовлетвор ют соотношению{Fh .-., F „), if the latter satisfy the relation

ff) мин г m макс. I „ Iff) min g m max. I „I

.« Р 1ем 4ejj. "P 1em 4ejj

М 1 1, 2,..., /г,M 1 1, 2, ..., / g

содержит n транзисторов 1,2,.. ., 3, базы которых соединены вместе и через общий резистор 4 лодключены к источнику пр мого смещени  t/cu . к эмиттерам ((Коллекторам) в зависимости от использовани  норМального или инверсного включени  транзисторов подключаетс  источник сопоставл емых напр жений фь ф2. . ., фл, а к коллекторам (эмиттерам ), которые  вл ютс  выходаМИ, через нагрузочные сопротивлени  5, 6, ..., 7 подключаетс  источник питаюнхего напр жени  и„ того же знака, что и смещение. Базовые цепи транзисторов через полупрО|ВОДс-11 ковый диод 8 под ключены к источнику сигналов XB, осущест1вл ющему включение схемы в работу. В выключенном состо нап сигнал Х„ больше ожидаемых ;MalJ«:Иlмaльныx значен-нй входных напр жений, а во включенном меньше ожидаемых им минимальных значений .contains n transistors 1,2, ..., 3, the bases of which are connected together and through a common resistor 4 connected to the source of direct bias t / cu. depending on the use of normal or inverse switching of the transistors, the emitters ((collectors) are connected to the source of comparable voltages ff f2.., fl, and to the collectors (emitters) that are outputs, through the load resistances 5, 6, .. ., 7 connects the power source and the voltage of the same sign as the offset. The basic transistor circuits through the semiconductor | VODs-11 diode 8 are connected to the signal source XB, which brings the circuit into operation. In the off state, the X signal "More expected; MalJ": Ilm There are single-valued input voltages, and in the included one there are less than the minimum values expected by it.

После Включени  схемы наибольшее из входных напр жений фь фг,..., фп увеличивает эмиттер.ный (коллекторный дл  инверсного «ключени ) ток соотаетствующего гра нэнстора , и ввиду того, что сопротивлени  5, 6,..., 7 больше или равны сапроти.влснию смещени , этот тра.нзистор насыщаетс . Избыток тока посгупает в базовую цепь ipan ИСтора , вызыва  увеличение падени  на-пр жени  на рези1сто1ре 4. В результате траизисгоры с нанр л вни :ми на эмиттерах («оллекгорах ) меньши-ми, чем полученное налр жеиле в базовой цап-и, закрьшают/с . Так, ка« в режиме насыщени  (собственно в инверсном включени ) падение на транзисторе мало, то на выходе открытого транзистора по вл етс  напр жение практически равное напр жению на его входе. На (выходах остальных транзисторов напр жение отсутствует, так ка.к они закрыты.After switching on the circuit, the largest of the input voltages ff phg, ..., fp increases the emitter. (Collector for inverse “switch”) current of the corresponding granulator, and since the resistances 5, 6, ..., 7 are greater than or equal to Saprotic displacement, this transistor transistor is saturated. An excess of current is absorbed into the ipan of the base circuit, causing an increase in the voltage across the resistor 4. As a result, the trajectory with the detector on the emitters ("hollers") smaller than the one received in the base pin, will end /with . So, if in the saturation mode (actually in inverse switching) the drop on the transistor is small, then at the output of the open transistor there appears a voltage almost equal to the voltage at its input. There is no voltage on the outputs of the other transistors, as they are closed.

Если на входах двух ил-и более т ранзисторов напр жени  одинаковы или близки друг к другу, то эти транзисторы оказываютс  одновременно открытыми. Регулировкой величины напр жени  смещени  можно задавать дианазон допустимых отклонений наибольших напр жепий друг от друга, т. е. измен ть , разрешающую способность схемы.If at the inputs of two or more and more voltage sensors are the same or close to each other, these transistors are simultaneously open. By adjusting the magnitude of the bias voltage, it is possible to set the maximum permissible deviations of the maximum voltages from each other, i.e., to change the resolution of the circuit.

П р е д м е т и з о б р е т е и и  PRIOR DIRECTORSHIP and

Минимаксна  схема, содержаща  транзисторы , базы которых объединены, а коллекторы через резисторы подключены к источнику питани , отличающа с  тем, чю, с целью упрощени , в ней базы транзисторов через резистор подключены к источнику пр мого смещени  и через диод к источнику сигналов запуска, а эмиттеры транзисторов соединены с источниками входных сигналов.A minimax circuit containing transistors, the bases of which are combined, and the collectors are connected via resistors to a power source, which, in order to simplify, in it, the bases of transistors are connected via a resistor to a source of direct bias and through a diode to a source of trigger signals, and The emitters of the transistors are connected to the input sources.

SU1744464A 1972-02-02 1972-02-02 MINIMAX CIRCUIT SU415800A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1744464A SU415800A1 (en) 1972-02-02 1972-02-02 MINIMAX CIRCUIT

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1744464A SU415800A1 (en) 1972-02-02 1972-02-02 MINIMAX CIRCUIT

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU415800A1 true SU415800A1 (en) 1974-02-15

Family

ID=20502126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1744464A SU415800A1 (en) 1972-02-02 1972-02-02 MINIMAX CIRCUIT

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU415800A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3784844A (en) Constant current circuit
US3597633A (en) Diode bridge type electronic switch
US3104323A (en) Light sensitive two state switching circuit
SU415800A1 (en) MINIMAX CIRCUIT
US3117308A (en) Control system
US3471714A (en) Operational amplifier analog logic functions
US3585407A (en) A complementary transistor switch using a zener diode
US3028507A (en) Transistor bistable multivibrator with back-biased diode cross-coupling
US4258276A (en) Switching circuit for connecting an AC source to a load
GB932510A (en) Function generator
US3184609A (en) Transistor gated switching circuit having high input impedance and low attenuation
US2955265A (en) Signal wave-form converter
US3165640A (en) D. c. controlled semiconductor switch for a. c. current
US3590285A (en) Voltage controlled phase shift network
US4047056A (en) Voltage-frequency converter
US3243607A (en) Low-level transistor switch
US3187197A (en) Transistor controlled tunnel diode switching network
SU374741A1 (en) TEAM DEVICE FOR INSTRUMENTS DIMENSIONAL MONITORING SOUTH 'rD' ^ GKGUL - ^ i - ^? -: .- .-. .. .. / •! ^ - ^ - • si ^ .SliiU ^^? •, y ^ C: ^ J ;; J; • ;; 0
US3448290A (en) Variable-width pulse integrator
JPS58225727A (en) Darlington circuit
SU721916A1 (en) Switching device
US3469178A (en) Voltage level shift circuit controlled by resistor ratios
US2948473A (en) Static analogue divider
US3178585A (en) Transistorized trigger circuit
SU386389A1 (en) CONSTANT VOLTAGE REGULATOR