SU415493A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU415493A1
SU415493A1 SU1610118A SU1610118A SU415493A1 SU 415493 A1 SU415493 A1 SU 415493A1 SU 1610118 A SU1610118 A SU 1610118A SU 1610118 A SU1610118 A SU 1610118A SU 415493 A1 SU415493 A1 SU 415493A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
resistive layer
resistive
light source
photoconductivity
Prior art date
Application number
SU1610118A
Other languages
Russian (ru)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1610118A priority Critical patent/SU415493A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU415493A1 publication Critical patent/SU415493A1/ru

Links

Landscapes

  • Position Input By Displaying (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к области вычислительной техники.This invention relates to the field of computing.

Известно координатно-чувствительное устройство , содержащее полусферическую стекловолоконную планшайбу с бесконечно малой угловой апертурой, на плоскую поверхность которой нанесены первый резистивный слой и слой фотопровод щего материала с максимумом фотопроводимости в коротковолновой области спектра.A coordinate-sensitive device is known that contains a hemispherical fiberglass faceplate with an infinitely small angular aperture, on the flat surface of which a first resistive layer and a layer of photoconductive material with a photoconductivity maximum in the short-wave region are deposited.

Известное устройство обладает низкой разрешающей способностью.The known device has a low resolution.

Предложенное устройство отличаетс  тем, что содержит нанесенные на слой фотопровод щего материала с максимумом фотопроводимости в коротковолновой области спектра прозрачный то.копровод щий слой, слой фотопровод щего материала с максимумом фотопроводимости в длинноволновой области спектра и второй резистивный слой, электрическое поле которого ориентировано перпендикул рно электрическому полю первого резнстивного сло .The proposed device is characterized in that it contains a transparent current conducting layer deposited on a layer of photoconductive material with a photoconductivity maximum in the short wavelength region, a photoconductive material layer with a photoconductivity maximum in the long wavelength region, and a second resistive layer whose electric field is oriented perpendicular to the electric field. the field of the first reznstivny layer.

Это позволило повысить разрешающую способность устройства.This allowed to increase the resolution of the device.

На чертеже изображена схема предлагаемого координатно-чувствительного устройства.The drawing shows a diagram of the proposed coordinate-sensitive device.

На плоской поверхности полусферической планшайбы 1 последовательно размещены прозрачный резистивный слой 2, например On the flat surface of the hemispherical faceplate 1, a transparent resistive layer 2 is sequentially placed, for example

высокоомна  пленка SnO2, слой фотопровод щего материала 3, максимум фотопроводимости которого находитс  в коротковолновой области, например CdS, прозрачный токопровод щий слой 4, например CdO,  вл ющийс  коллектором. Поверх коллектора размещены слой фотопровод щего материала 5, максимум фотопроводимости которого находитс  в длинноволновой области, например CdTe, и резистивный слой 6. Указанный пор док нанесени  слоев обеспечивает необходимую прозрачность устройства.a high resistivity SnO2 film, a layer of photoconductive material 3, the photoconductivity maximum of which is in the short wavelength region, for example CdS, a transparent conductive layer 4, for example CdO, which is a collector. A layer of photoconductive material 5 is placed over the collector, the photoconductivity maximum of which is in the long wavelength region, for example CdTe, and the resistive layer 6. The specified layer deposition procedure provides the necessary transparency of the device.

Электрическое поле резистивного сло  2 ориентируют вдоль оси X, т. Q. эквипотенпиальпые линии, представл ющие собой спстещ параллельных отрезков, направлены перпендикул рно этой оси. Электрическое ио:ie резнсгпзного сло  6 направл ют вдоль осп г/. При этом эквипотенциальные линии этого пол  перпендикул рны оси //. Раснределеипо потепциала на резиставных сло х 2 и б носпт линейны) характер, что обусловливает линейную зависимость выходного напр жени  устройства от смещени  источника света 7.The electric field of the resistive layer 2 is oriented along the X axis, since Q. The equipotential lines, representing the space of parallel segments, are directed perpendicular to this axis. Electrical Io: Ie of the resilient layer 6 is directed along the smallpox g /. Moreover, the equipotential lines of this field are perpendicular to the axis //. The distribution of the resistance on the resistive layers x 2 and b of the laser is linear) character, which determines the linear dependence of the output voltage of the device on the displacement of the light source 7.

Коордннатно-чувствительное устройство работает следхющим образом.The coordine sensitive device works in the following way.

Вследствие сферичности входной поверхности плани1айбы 1 каждое волокно с бесконечно малой угловой апертурой имеет различно скощенные входные торцы, орнентированные вDue to the sphericity of the entrance surface of Plani-1A, each fiber with an infinitely small angular aperture has differently curved inlet ends, oriented in

33

разные точки пространства, ограниченного углом полусферы. Световой поток от перемещающегос  Источника света 7, наход щегос  Б некоторых пространственных координатах, попадает на поверхность ллапщайбы 1, улавливаетс  определенным волокном, торцова  поверхность которого ориептирована такиМ образом, что после преломлени  лучи движутс  параллельно оптической оси данного волок ia , и направл етс  к нижерасположенным сло м 2, 3, 4, 5 и 6. Остальные волокна, дл  которых не выполн ютс  рассмотренные выше услови , ноглощают падающее излучение.different points of space bounded by the angle of the hemisphere. The luminous flux from the moving Light Source 7, which is used in some spatial coordinates, hits the surface of lap 1, is caught by a certain fiber, the front surface of which is oriented in such a way that after refraction the rays move parallel to the optical axis of the fiber ia, and are directed to the lower layer m 2, 3, 4, 5, and 6. The remaining fibers, for which the conditions discussed above are not fulfilled, absorb incident radiation.

Часть светового потока, излученного источником света 7, пройд  через соответствующее стекловолокно и прозрачный резистивный слой 2, освещает локальную область фотосло  3. Вследствие  влени  внутреннего фотоэффекта сопротивление освеп1,ептюго участка фотосло  3 резко падает, что приводит к созданию токопровод щего мостика между резистивным слоем 2 и коллектором 4, «оторый при этом зар жаетс  до потенциала освещенного участка резистивного сло  2. Фотослой 3 поглощает коротковолновую составл ющую спектра излучени  источника света 7, пропуска  длиниоволновую составл ющую через прозрачный коллектор 4 к фотослою 5, максимум фотопроводимости которого расположен в длинноволновой области спектра. Сопротивление освещенной локальной области фотосло  5 резко падает, что приводит к создапню токопровод щего мостика между резистивным слоем 6 и коллектором 4, вследствие чего коллектору сообщаетс  потенциал ocBcnieHHoro участка резистивного сло  6.Part of the luminous flux emitted by the light source 7, passing through the corresponding glass fiber and transparent resistive layer 2, illuminates the local area of the photo layer 3. As a result of the appearance of the internal photo effect, the resistance of the photo section 3 of the photo section 3 drops sharply, which leads to the creation of a conductive bridge between the resistive layer 2 and a collector 4, "which is thus charged up to the potential of the illuminated portion of the resistive layer 2. Photo layer 3 absorbs the shortwave component of the emission spectrum of the light source 7, prop The wavelength component is transmitted through transparent collector 4 to photo layer 5, the photoconductivity maximum of which is located in the long wavelength region of the spectrum. The resistance of the illuminated local area of the photo layer 5 drops sharply, which leads to the creation of a conductive bridge between the resistive layer 6 and the collector 4, as a result of which the potential of the ocBcnieHHoro region of the resistive layer 6 is communicated to the collector.

Дл  того чтобы разделить сигналы от резистивных слоев 2 и 6, последние запитывают переменным напр жением различной частоты. Суммарное выходное напр жение с 1имают с общего коллектора 4 и с помощью соответствующим образом настроенных фильтров раздел ют сигналы от резистивных слоев 2 и 6.In order to separate the signals from the resistive layers 2 and 6, the latter are supplied with alternating voltages of different frequencies. The total output voltage is 1m from the common collector 4 and the signals from the resistive layers 2 and 6 are separated using appropriately adjusted filters.

При двилсении источника света 7 вдоль осиWhen moving the light source 7 along the axis

4four

X измен етс  составл  оща  выходного напр жени , определ ема  потенциалами освещенных участков резистивного сло  2, так как изображение источника света движетс  перпендикул рно эквипотенциальным лини м электрического нол  резистивного сло  2. В то же врем  составл юща  выходного напр жени  от резистивного сло  6 не измен етс , так как изображение источника света движетс X varies as the output voltage determined by the potentials of the illuminated areas of the resistive layer 2, since the image of the light source moves perpendicular to the equipotential lines of the electrical nol of the resistive layer 2. At the same time, the component of the output voltage of the resistive layer 6 does not change since the image of the light source is moving

параллельно эквипотенциальным лини мparallel to the equipotential line

электрического нол  этого резистивного сло .electrical zero of this resistive layer.

При движении источника света 7 вдоль осиWhen moving the light source 7 along the axis

Y картина противоположна описанной выщеY picture is opposite to that described above.

Составл юща  выходного напр жени  от реЗистивного сло  2 в этом слое неизменна, а составл юща  от резистивного сло  6 мен етс  в соответствии с движением источника света 7. Если источник света движетс  произвольньш образом, то составл ющие выходного напр жени  от резистивных слоев 2 и 6 соответствуют составл ющим смещени  источника света относительно координатных осей.The output voltage component of the resistive layer 2 in this layer is unchanged, and the component of the resistive layer 6 varies in accordance with the movement of the light source 7. If the light source moves in an arbitrary manner, then the output voltage components of the resistive layers 2 and 6 correspond to the components of the displacement of the light source relative to the coordinate axes.

Предмет изобретени Subject invention

Координатно-чувствительное устройство, содержащее полусферическую стекловолоконную планщайбу с бесконеч:но малой угловой апертурой , на плоскую поверхность которой нанесены первый резистивный слой и слой фотопровод щего материала с максимумом фотопроводимости в коротковолновой области спектра, отличающеес  тем, что, с целью повыщени  разрещающей способности устройства , оно содержит наа1есенные «а слой фотопровод ш .его материала с максимумом фотопроводимосри в коротковолновой области спектра прозрачный токопровод щий слой, слой фо опрлвод щего материала с максимумом фотопроводимости Б длипповолноьой области спектра и второй резистивиый слой, электрическое поле которого ориентировано перпендикул рно электрическому полю первого резистивного сло .A coordinate-sensitive device containing a hemispherical fiberglass plate with an infinite: but a small angular aperture, on a flat surface of which a first resistive layer and a layer of photoconductive material are applied with a maximum of photoconductivity in the short-wave region of the spectrum, characterized in that, in order to increase the resolution of the device, it contains a layered photovoltaic layer of its material with a photoconduction maximum in the short-wave region of the spectrum; a transparent conductive layer, pho minutes oprlvod conductive material with high photoconductivity dlippovolnooy B region and a second resistive layer, the electric field which is oriented perpendicularly to the electric field of the first resistive layer.

У////У7//////7/7/7//////.U //// Y7 ////// 7/7/7 //////.

ТT

SU1610118A 1971-01-06 1971-01-06 SU415493A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1610118A SU415493A1 (en) 1971-01-06 1971-01-06

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1610118A SU415493A1 (en) 1971-01-06 1971-01-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU415493A1 true SU415493A1 (en) 1974-02-15

Family

ID=20463396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1610118A SU415493A1 (en) 1971-01-06 1971-01-06

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU415493A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08166460A (en) Radiation imaging device for computer tomography (ct)
US5311033A (en) Layered imaging stack for minimizing interference fringes in an imaging device
GB998911A (en) Arrangement for producing an electroluminescent light spot, controllably variable in its position
SU415493A1 (en)
JPH0746823B2 (en) Image sensor
US4298669A (en) Electrophotographic process and apparatus
US2824986A (en) Increasing contrast of the image intensifier
US3601468A (en) Optical light wave modulator for representing a first color light wave as a second color light wave
JPH0415630B2 (en)
US4010321A (en) Light modulating device using schlieren lens system
US4143399A (en) Imaging device
US3524064A (en) Image intensifier using photoconductive and electro-optic materials
JPS6426835A (en) Non-destructive reading of electrostatic latent image formed on insulating material
US3510660A (en) Method for visual comparison of information
DE4017201A1 (en) Transparent photoelectric light detector - has partial absorption of light by thin sensitive layer, and substantial transmission
US4049963A (en) Photoelectric measuring device
SU378906A1 (en) OPTOELECTRONIC PANEL
US3162860A (en) Light radiation sensitive variable resistance device
JP2769812B2 (en) Document reading device
JPH0393344A (en) Image reader
US3853553A (en) Method for image transfer using persistent internal polarization
SU1764020A1 (en) Adaptive reflector
SU1202078A1 (en) Device for converting image to electric signal
SU1490664A1 (en) Device for automatic adjusting to sharpness
SU399819A1 (en) ELECTROPHOTOGRAPHIC LIGHT-SENSITIVE