SU413413A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU413413A1
SU413413A1 SU1723501A SU1723501A SU413413A1 SU 413413 A1 SU413413 A1 SU 413413A1 SU 1723501 A SU1723501 A SU 1723501A SU 1723501 A SU1723501 A SU 1723501A SU 413413 A1 SU413413 A1 SU 413413A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistance
signal
capacitance
bridge
frequency amplifier
Prior art date
Application number
SU1723501A
Other languages
Russian (ru)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1723501A priority Critical patent/SU413413A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU413413A1 publication Critical patent/SU413413A1/ru

Links

Description

1one

Изобретение относитс  к области дефектоскоиического контрол  и может быть иснользовано , н;:11ри.1ер, при контроле на поверхностные дефекты нзделин тииа шаров.The invention relates to the field of defectoscopy control and can be used, n;: 11ri.1er, when checking for surface defects in the manufacturing units.

Известны электромагнитные дефектоскопы, работающие ио модул ционному методу и содержащие генератор, токовихревон датчик, пороговый блок и исполнительный элемент.Electromagnetic flaw detectors operating in the modulation method and containing a generator, a current sensor, a threshold unit, and an actuator are known.

Предлагаемый дефектоскоп отличаетс  от известных тем, что, с целью повышени  точности измерени  он снабжен диодным мостом, Б одну из диагоналей которого включены соединенные параллельно емкость и сопротивление , вход моста соедииен с токовихревым датчиком, а выход - с усилителем высокой частоты.The proposed flaw detector differs from those known in that, in order to improve measurement accuracy, it is equipped with a diode bridge, B one of which diagonals includes a capacitance connected in parallel and resistance, the input of the bridge is connected to the eddy current sensor, and the output is connected to a high frequency amplifier.

Иа чертеже нредставлена структурна  схема предлагаемого дефектоскопа.The drawing shows the structural scheme of the proposed flaw detector.

Дефектоскоп содержит генератор 1, питающий возбуждающую обмотку токовнхревого датчика 2, предварительный усилитель 3, блок 4, содержащий диодный мост 5, в диагональ которого включены соединенные параллельно емкость 6 и сопротивление 7. Дефектоскоп включает также заземленное сопротивление 8, параллельно которому подсоединены усилитель 9 высокой частоты, детектор 10, усилитель низкой частоты 11, пороговый блок 12 и исполнительный элемент 13.The flaw detector contains a generator 1 supplying the excitation winding of the current sensor 2, preamplifier 3, block 4, containing a diode bridge 5, the diagonal of which includes a parallel-connected capacitance 6 and a resistance 7. The flaw detector also includes a grounded impedance 8, in parallel with which a high-frequency amplifier 9 is connected detector 10, the low-frequency amplifier 11, the threshold unit 12 and the actuating element 13.

Генератор питает возбуждающую обмотку токовихревого накладного датч1н а 2. Сигпал с измерительной обмотки датчика 2 поступает на блок 4, состо щий из диодного моста 5, в диагональ которого включены емкость с параллельно подсоединенным к нему сонротивлением 7 и сонротивление 8. Сигнал на вход усилител  высокой частоты снимаетс  с сонротивлени  8 блока 4. После усилени  ио высокой частоте сигнал поступает на детектор 10, где происходит выделение сигнала, несущего информаннЕО о дефекте. Сигнал с детектора 10 усиливаетс  усилителем низкой частоты 11 и поступает на пороговый блок 12. При превышении сигнала над уровнем порогового блока 12 срабатывает иснолнительный элемент 13, производ щий oi браковку контролируемой деталн.The generator feeds the exciting winding of the eddy-current-slip overhead sensor 2. The sigpal from the measuring winding of the sensor 2 enters the block 4, consisting of a diode bridge 5, the diagonal of which includes a capacitance with a parallel resistance of 7 and a resistance of 8. The signal is removed from the resistance 8 of the block 4. After amplifying a high frequency, the signal arrives at the detector 10, where the signal carrying the information about the defect is extracted. The signal from detector 10 is amplified by low-frequency amplifier 11 and fed to threshold block 12. When the signal exceeds the level of threshold block 12, an extra element 13 is triggered, producing oi rejection of controlled parts.

Включение диодного моста с параллельным включением емкости и сопротивлеии  в одну из его диагоналей нозвол ет повысить относительную модул нню сигнала, поступающего на вход уси.тител  высокой частоты, что позвол ет при сохранении амплитуды модул цпи значительно уменьп1ить амплитуду несущей частоты. Сигнал, нроход  через диодный мост, зар жает емкость до напр жени , которое меньше амплитуды сигнала, посту па юп1,его от датчика, и определ етс  отношением сопротивлени , включенного в диагональ моста, кThe inclusion of a diode bridge with a parallel connection of capacitance and resistance to one of its diagonals does not allow an increase in the relative modulus of the signal arriving at the high frequency amplifier input, which, while maintaining the amplitude of the modulus, reduces significantly the amplitude of the carrier frequency. The signal, which passes through the diode bridge, charges the capacitance to a voltage that is less than the amplitude of the signal, fasting step 1, from the sensor, and is determined by the ratio of the resistance included in the bridge diagonal to

сумме этого сопротивлепнл и сопротивлени , включе иого последовательно с мостом. Можно так подобрать сопротпвлеиие, что емкость зар дитс  до напр жени , составл юпдего примерно 95% амплитуды сигнала. Зар женна  е.мкость занирает днодный мост дл  напр жений , меньши.х напр жений па емкости. Одпако превыгнени  над зар дом емкостей проход т через диодный мост и поступают па сопротпвлепие, последовательно соединенное с мостом. Таким образом, к этому сопротивлению , а следовательно и к выходу усилител  высокой частоты приложено напр жение, состо щее из вершин синусоиды папр женн  датчика. у бсолютна  же велнчика модул нни сохран етс , а относительиа  значительно возрастает . При усилении сигнала и гк)след.ующем детектировании можио получить достаточную амплитуду моду.л ции, кото)а  пропорциональпа величине дефекта, вызвпвиюго модул цию, прп сравиптельио пебольпюй величиие напр жени  несуи;ей частоты. Пели па выходе усилител  папр жеиие песугцей частоты небольшое, то можно поставить усилительthe sum of this resistance and the resistance, in series with the bridge. It is possible to match the resistance so that the capacitance is charged before the voltage, approximately 95% of the amplitude of the signal. A charged capacitance lowers the bottom of the bridge for voltages lower than the voltages on the capacitor. Odpako exceeding above the charge capacitance passes through the diode bridge and arrive at the front, connected in series with the bridge. Thus, a voltage consisting of the vertices of the sine-wave papr of the sensor is applied to this resistance, and therefore to the output of the high-frequency amplifier. In absolute terms, modularity is preserved, and the relative ratio increases significantly. When the signal is amplified and rk), by the subsequent detection, it is possible to obtain a sufficient amplitude of modulation, which is proportional to the magnitude of the defect caused by modulation, the frequency of the voltage applied to it. Sang on the output of the amplifier amp; p p p s roshiii frequency is small, then you can put the amplifier

в такой режим работы, когда он будет работать на линейпой части характеристики ири зпачительиом измепеппи входного сигнала.in such a mode of operation, when it will work on the linear part of the characteristic of the input signal.

Дл  повышени  точности измерени  между предварительным усилителем и основным усилителем высокой частоты включают диодный мост, в одной из диагопалей которого параллельио включеиы емкость и сопротивление .To improve the measurement accuracy, between the pre-amplifier and the main high-frequency amplifier include a diode bridge, in one of which diagonal the capacitance and resistance are parallel.

Предмет изобретени Subject invention

Электромагнитиый высо1 очастотпый дефектоскоп , содержаи1,ий генератор высокой частоты , токовихревой датчик, усил Г1ель высокой частоты, НОрОГОВЫЙ блок П ИСНОЛНПЮЛ)ный элемент, о т л и ч а ю нхи и с   тем, , с нелью повЕ)Пнеии  точности измере1гп , дефектоскоп снабжен диодным мостом, в одну из диагоиалей которого включены соедине1пи 1е нараллельно емкость и сопротивление, вход моста соедииеи с токовихревым датчиком. выход - с усилителем высокой частоты.Electromagnetic high frequency flaw detector, containing high frequency generator, eddy current sensor, high frequency amplifier G, NOG unit P ISNOLNPYULNYY element, about tl and h yu nkhi and so, with precision of accuracy) measuring instrument it is equipped with a diode bridge, in one of the diaoiales of which are connected the capacitor and resistance, the entrance of the bridge with the eddy current sensor. output - with a high frequency amplifier.

9 - - щ9 - - u

SU1723501A 1971-12-10 1971-12-10 SU413413A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1723501A SU413413A1 (en) 1971-12-10 1971-12-10

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1723501A SU413413A1 (en) 1971-12-10 1971-12-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU413413A1 true SU413413A1 (en) 1974-01-30

Family

ID=20495775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1723501A SU413413A1 (en) 1971-12-10 1971-12-10

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU413413A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2622536B2 (en) Eddy current flaw detection method and device
US3636437A (en) Methods for magnetically measuring stress using the linear relationship of the third harmonic to stress
SU413413A1 (en)
US4843318A (en) Distance compensation in magnetic probe testing systems wherein object to probe spacing is employed as an exponent in excitings probes or processing probe outputs
SU1760310A1 (en) Distance noncontact measuring device
SU1490614A1 (en) Probe-type magnetic field flaw detector
SU616573A1 (en) Device for magnetic-noise structuroscopy
SU901959A1 (en) Device for measuring ferromagnetic material static magnetic characteristics
SU794568A1 (en) Method of excitation of ferroprobe transducer
SU1513084A1 (en) Apparatus for determining resistance of soil in static probing
SU1552082A1 (en) Apparatus for magnetic-tape inspection of quality of materials
SU1663530A1 (en) Device for acoustic inspection of structures
SU125310A1 (en) Logging method for prospecting magnetic deposits that are located at the side of the well or below its bottom hole.
SU1017910A1 (en) Strian-gauge device
SU1161891A1 (en) Probe-type magnetic-field magnetometer
SU905890A1 (en) Magnetometer
SU1437679A1 (en) Electromagnetic method and apparatus for complex check of ferromagnetic articles
SU890284A1 (en) Device for measuring magnetisation gap magnetic moments in ferromagnetics
SU1612250A1 (en) Apparatus for inspecting ferromagnetic articles
SU365643A1 (en) YESESOYUNDYA ^ nAAtno-KlNK: ^: "VIVLIOTg;; D" TLOP and "._ _, V. n! -P. I. Beda, N. I. Mozzhegorov, G. A. Bukharova A. S. Kryukov
SU1183883A1 (en) Apparatus for inspecting quality of ferromagnetic article strengthening
SU1257507A1 (en) Ferroprobe flaw detector
SU1188634A1 (en) Arrangement for non-destructive inspection of metal articles
SU896533A2 (en) Two-channel flaw detector
JPH04305171A (en) Method and apparatus for measuring surface charge density