SU411478A1

SU411478A1 -

Info

Publication number: SU411478A1
Application number: SU1721665A
Authority: SU
Priority date: 1971-12-06
Filing date: 1971-12-06
Publication date: 1974-01-15

Description

1one

Изобретение относитс к области автоматики .This invention relates to the field of automation.

Известен импульсный термосигнализатор, содержандий источники посто нного и импульсного напр жени , имеюн;ие общую шину питани и подключепный на выход источника импульсного напр жени электрический мост, выполненный в виде двух делителей на резисторах , врем задающую С-цепь и исполнительное реле.A pulsed thermal detector, containing sources of constant and pulsed voltage, has a common power supply bus and an electrical bridge connected to the output of a source of pulsed voltage, made in the form of two dividers on resistors, the time setting C-circuit and the executive relay.

Предлагаемый импульсный термосигналнзатор отличаетс от известного тем, что в него введены две пары транзисторов разного типа проводимости, причем эмиттеры одной пары транзисторов подключены к общей шине питани , их базы нодключены к соответствующим коллекторам транзисторов другой пары и через резисторы - к шине питани , а коллекторы - к средней точке делителей и базам другой нары транзисторов, эмиттеры которых через врем задающую / С-цепь подключены к общей шине питани , а обмотки исполнительного реле подключены между щиной питани и базами второй пары транзисторов.The proposed pulse thermosignalizer differs from the well-known one in that it introduced two pairs of transistors of different conductivity types, the emitters of one pair of transistors are connected to the common power bus, their bases are connected to the corresponding collectors of the transistors of the other pair and through resistors to the power bus, and the collectors are to the middle point of the dividers and to the bases of another bunk of transistors, the emitters of which are connected to the common power bus through time of the master / C-circuit, and the windings of the executive relay are connected between the power level and bases of the second pair of transistors.

Это позвол ет повысить чувствительность и точность работы устройства.This makes it possible to increase the sensitivity and accuracy of the device.

Схема предлагаемого импульсного термосигнализатора представлена на чертеже и содержит один делитель на резисторах Ri и Rz, другой делитель на резисторах Кз и Rt, однуThe scheme of the proposed pulse thermosignator is shown in the drawing and contains one divider on the resistors Ri and Rz, another divider on the resistors Кз and Rt, one

пару транзисторов Tt и TZ, другую пару Тз и T,t, врем задающую .цепь на резисторах , и конденсаторе Ci, исполнительное реле с двум обмотками Wi и Wz.a pair of transistors Tt and TZ, another pair of Tz and T, t, the time setting circuit on the resistors, and the capacitor Ci, the executive relay with two windings Wi and Wz.

Импульсы нанр жени с большой скважностью следовани поступают от автогенератора (на чертеже не показан) на термочувствительный мост. Амнлитуда этих импульсов посто нна на резисторе 2 и следует за изменениемPulses with a high porosity following follow from the oscillator (not shown) to the thermosensitive bridge. The impedance of these pulses is constant across resistor 2 and follows the change in

температуры па резисторе R.ftemperature pa resistor R.f

Пусть нанр жени на эмиттерных переходах транзисторов Гз и Ti, при которых происходит переход мультивибраторов на транзисторах Тз, TI и Г.4, TZ в открытое состо ние, равны.Let the nanometers on the emitter transitions of the Gz and Ti transistors, at which the transition of the multivibrators on the Tz, TI and G.4 transistors, to the open state occurs, are equal.

Тогда если ,, где 6 -амплитуда импульсного напр жени па резисторе Rz, UR. - амплитуда импульсного нанр жени па резисторе , то работает мультивибратор на транзисторах Гз, Т, нагрузкой которогоThen, if, where is the 6-amplitude of the pulse voltage on the resistor Rz, UR. - the amplitude of the pulsed nanopa pa resistor, then the multivibrator works on the transistors Gz, T, the load of which

вл етс включающа обмотка реле с самоудержанием . А если и 1 ик, , то работает мультивибратор на транзисторах 74, TZ, нагрузкой которого вл етс отключающа обмотка уном нутого реле, поскольку врем задающа ценочка на резисторах R, Re, и конденсаторе С у них обща , нри этом частота следовани импульсов автогенератора должна быть много больще частоты следовани имнульсов мультивибраторов.is a self-holding relay turn-on winding. And if there are 1 ik, then the multivibrator works on transistors 74, TZ, the load of which is the disconnecting winding of the unified relay, since the time setting of the cochlector on the R, Re resistors and the capacitor C is common, while the auto-pulse pulse frequency should be much larger than the frequency of following the pulses of multivibrators.

В общем случае мост молсет быть не уравновешенпым , но, так как его настройка на необходимую темнературу срабатывани ведетс с помощью переменного резистора то нрии тое выше допущение несущественно.In general, the bridge is molset to be unbalanced, but since its adjustment to the required response temperature is maintained with a variable resistor, the above assumption is not essential.

Чувствительность и точность срабатывани предложенного порогового устройства выше, чем чувствительность и точность срабатывани триггера, так как оно имеет больщое входное сопротивление, малую петлю гистерезиса , а вли ние тепловых токов мультивибраторов уменьшено за счет их взаимно компенсирующего воздействи . Точность срабатывани можно еще более увеличить, если брать мультивибраторы с равными тепловыми токами . Энергопотребление такого устройства мало из-за импульсного характера работы.The sensitivity and accuracy of the proposed threshold device is higher than the sensitivity and accuracy of the trigger, since it has a large input resistance, a small hysteresis loop, and the effect of thermal currents of multivibrators is reduced due to their mutually compensating effect. The accuracy of operation can be further increased by taking multivibrators with equal thermal currents. The power consumption of such a device is small due to the pulsed nature of the work.

Предмет изобретени Subject invention

Импульсный термосигнализатор, содержащий источники посто нного и импульсного напр жени , имеющие общую шину питани и подключенный на выход источника импульсного напр жени электрический мост, выполненный в виде двух делителей на резисторах, врем задающую С-цень и исполнительное реле, о т л и ч а ю щ и и с тем, что, с целью повышени чувствительности и точности работы устройства, в него введеиы две пары транзисторов разного типа проводимости, причем эмиттеры одной пары трапзисторов подключены к общей щиие нитани , их базы подключены к соответствующим коллекторам транзисторов другой пары и через резисторы - к шине питани , а коллекторы - к средней точке делителей и базам другой нары транзисторов , эмиттеры которых через врем задаюшую / С-цепь подключены к общей шине питани , а обмотки исполнительного реле подключены между щиной нитани и базами второй нары транзисторов.A pulse thermal detector containing sources of DC and pulsed voltage, having a common power bus and an electrical bridge connected to the output of a source of pulsed voltage, made in the form of two dividers on resistors, the time setting C-center and the execution relay, about l and h so that, in order to increase the sensitivity and accuracy of the device, two pairs of transistors of different types of conductivity are introduced into it, and the emitters of one pair of trapsistors are connected to common threads, their bases are connected to the corresponding collectors of the transistors of the other pair and through the resistors to the power bus, and the collectors to the midpoint of the dividers and bases of the other bunks of the transistors, the emitters of which, through time, the driver / C-circuit are connected to the common power bus, and the windings of the executive relay are connected between the thread and the bases of the second bunker of transistors.

«r-f"R-f