SU408454A1

SU408454A1 -

Info

Publication number: SU408454A1
Application number: SU1727475A
Authority: SU
Inventors: Н. А. Кушнир Н. П. Макарущенкв А. И. Иванченко В. В. Овчаренко
Priority date: 1971-12-21
Filing date: 1971-12-21
Publication date: 1973-12-10

Description

УСТРОЙСТВО дл ЗАЩИТЫ силового ТРАНЗИСТОРА, РАБОТАЮЩЕГО В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕDEVICE FOR PROTECTION OF POWER TRANSISTOR, OPERATING IN THE PULSE MODE

1one

Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано дл защиты сило .вого транзистора, работающего, натаример, в устройстве дл зар да конденсато-ра.The invention relates to radio engineering and can be used to protect a power transistor operating naturally in a device for charging a capacitor.

Известно устройство дл -защиты преобразовател , содержащее транзистор, стабилитроны , подключенные через резисторы IK источнику питани .A device for protecting a converter is known, which contains a transistor, zener diodes connected through resistors IK to a power source.

Однако IB известном устройстве не Предусмотрена защита силового транзистора от перегруз.ки ПО мощности,, пре:выщающей допустимую .However, the IB of the known device does not provide for the protection of the power transistor against overloading of the power software, which is pre-approved.

Целью изобретени вл етс лредотврапд,-иие :перегру3|ки силового транзистора по мощ .ности, превыщающей допустимую.The aim of the invention is the predisposition, -ie: overloading of the power transistor by a power exceeding the allowable one.

Дл этого между .коллекторо.м и стабилитроном включен диод с накоплением зар да (ДНЗ), анодом к коллектору, а параллельн стабилитрону через резистор подключен дополнительный источни к питани .For this, a charge accumulating diode (DND) is connected between the collector and the zener diode, an anode is connected to the collector, and an additional power source is connected to the zener diode parallel to the resistor.

На чертеже лриведена схема устройства дл защиты транзистора.In the drawing, a schematic of a device for protecting a transistor is shown.

Устройство дл защиты силового транзистора , работающего в импульсном режиме, содержит транзистор 1, драосель-трансформатор 2, диод 3, накопительный .конденсатор 4, дополнительный истоЧНИК питани 5, ДНЗ 6, резистор 7, стабилитрон 8.A device for protection of a power transistor operating in a pulsed mode contains a transistor 1, a draselj transformer 2, a diode 3, a storage capacitor 4, an additional power supply 5, a voltage sensor 6, a resistor 7, a zener diode 8.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

В течение некоторого интервала времениOver a period of time

транзистор / открыт и ш дросселе-трансформ1торе 2 линейно нарастает ток, так как в си;(у указанного направлени включени обмоток диод 3 закрыт. После -достижени максимального значени тока коллектора (он же тэк дроссел ), то есть после достижени максимальной запасенной энергии в дросселе-трансформаторе 2, транзистор 1 закрываетс . При этом коллекторное напр жение начинает быстро возрастать.transistor / open and transformer choke 2 linearly increases, as in si; (for the indicated winding switching direction, diode 3 is closed. After reaching the maximum collector current (also known as throttles)), i.e. the choke transformer 2, the transistor 1 is closed. At the same time, the collector voltage begins to increase rapidly.

Коллекторный же ток спадает гораздо медленнее и скорость его спада определ ет:, инерционностью транзистора. В течение этого времени и происходит выделение огромно The collector current decreases much more slowly and its decay rate determines:, the inertia of the transistor. During this time the selection takes place enormously

импульсной мощности, губительной дл тралзистора . После достижени коллекторным напр }кением того уровн , при котором открываетс диод, начинаетс передача энергии, запасенной в дросселе-трансформаторе 2, накопительному конденсатору 4.pulsed power, destructive for tralsistor. After the collector line reaches the level at which the diode opens, the transfer of the energy stored in the choke transformer 2 to the storage capacitor 4 begins.

Предполагаетс , что ДНЗ 6 имеет врем включени намного меньще, чем у транзистора , и достаточно больщой накопленный зар д. При открытом транзисторе через него протекает дополнительный ток то цепи: положительный полюс дополнительного ИСТОЧНИгСИIt is assumed that the DNZ 6 has a switching time much less than that of the transistor, and a sufficiently large accumulated charge. With an open transistor, an additional current of the circuit flows through it: the positive pole of the additional SOURCE

пита}ш 5, транзистор / ДНЗ 6, резистор 7,pita} w 5, transistor / dms 6, resistor 7,

отрицательный полюс источника 5, так ка.negative pole of source 5, so ka.

напр жение стабилизации стабилитрона 9stabilization voltage 9

больще суммарного падени напр жени наmore than the total voltage drop

транзисторе, наход щемс в со сто нии насыщени , и ДНЗ 6. Резистором 7 можио устанавливать необходимый пр мой ток ДНЗ 6. Этот ток выбираетс примерно на пор дол меньше максимального тока транзистора. В течение некоторого интервала Бремени в ДНЗ 6 (Накапливаетс зар д. Сразу лосле заиирани транзистора большой ТОК дросселч .протекает от источника через стабилитрон 5, ДНЗ 6, трансформатор 2. Тонком через резистор 7 можно пренебречь В силу его .малссти. Таким образом, .после запирани транзисто ра через ДНЗ 6 протекает больщой обратный ток. Этим током «выт гиваетс зар д з ДНЗ 6, накопленный при открытом транзисторе.transistor, which is in saturation state, and DNZ 6. Resistor 7 can set the necessary direct current DNZ 6. This current is chosen approximately for less than the maximum current of the transistor. During a certain interval, the burden in the dynamic ignition source 6 (the charge accumulates. Immediately after the transistor's overlap, a large CURRENT Drosselch flows from the source through the zener diode 5, the differential voltage 6, the transformer 2. Due to its smallness, the transformer 7 can be neglected. After the transistor is locked, a reverse current flows through the DND 6. This current draws the charge from the DN6 6 accumulated when the transistor is open.

В это Врем (|во врем обратного TOiKa через ДНЗ 6) падение напр жени на транзисторе У .будет определ тьс падением напр жени на ДНЗ 6 и напр жением f/ст. Если t/ выбрагь пор дка 3-5 в, то падение наор жени на транзисторе / составит единицы вольт.At this time (| during the reverse TOiKa through the DNZ 6), the voltage drop across the transistor Y will be determined by the voltage drop across the DN3 6 and the voltage f / st. If t / is in the order of 3-5 V, then the voltage drop on the transistor / will be a few volts.

Та.ким образОМ, больша импульсНа .мощ-ность будет выдел тьс «а ДНЗ 6. Однако длч ДНЗ 6 это не представл ет большой опасности , TaiK как врем запирани ДНЗ 6 «а один .Д1ва лор дка меньше, чем у силового транзистора /.Thus, a large pulse will be allocated to the power of the DN3 6. However, for the DNZ 6 this does not pose a great danger, TaiK is like the lock-up time of the DN3 6 and one D1 is less than the power transistor / .

Н р е д м е т изобретени NOTICE of invention

Устройство дл защиты сило1вого транзистора , работающего в имлульсном режиме, например , (В устройстве дл зар да конденсатора , содержащее стабилитрон, подключенный параллельно участку коллектор-эмиттер сило (Вого транзистора, отличающеес тем, что, с целью предотвращени .перегрузки силового транзистора по мощности, (превыщающей допустимую , между коллектором и стабилитроном в.ключен диод с накоплением зар да, аноДО .М к коллектору, а шараллельно стабилитрону через резистор подключен дополнительный.. ИСТОЧ.НИ1К питани .A device for protection of a power transistor operating in an impulse mode, for example, (In a device for charging a capacitor, which contains a zener diode connected in parallel to the collector-emitter section of power (Vogo transistor, characterized in that, in order to prevent the power transistor from overloading in power, (exceeding the allowable, between the collector and the zener diode in.included diode with charge accumulation, anoDO.M to the collector, and parallel to the Zener diode through an additional resistor connected .. SOURCE IN1K power.

imim

I1 I1

66

-Wh-Wh