SU396677A1

SU396677A1 - VOLTAGE REGULATOR

Info

Publication number: SU396677A1
Application number: SU1635138A
Authority: SU
Inventors: А. Никонов В.
Priority date: 1971-03-26
Filing date: 1971-03-26
Publication date: 1973-08-29

Description

Изобретение относитс к промышленной радиоэлектронике и может найти применение при разработке вторичных источников питани .The invention relates to industrial electronics and may find application in the development of secondary power sources.

В известных стабилизаторах напр жени , содержащих источник питающего напр жени , цепь обратной св зи и последовательный регулирующий транзистор с автоматическим шунтом , выполненным на транзисторах разного типа проводимости, при параллельном соединении нескольких исполнительных транзисторов в щунте величина напр жени на входе стабилизатора возрастает на величину падени напр жени симметрирующих сопротивлений, в результате чего к.п.д. известных стабилизаторов снижаетс . Кроме того, в известных стабилизаторах снижен диапазон изменени тока нагрузки.In known voltage regulators containing a power supply, a feedback circuit and a series regulating transistor with an automatic shunt made on transistors of different conductivity types, when several actuating transistors are connected in parallel in the shunt, the voltage on the stabilizer input increases by the amount of voltage drop. marriages balancing resistance, resulting in efficiency. known stabilizers are reduced. In addition, in the known stabilizers, the range of variation of the load current is reduced.

В предлагаемом стабилизаторе указанные недостатки устранены за счет того, что коллектор регулирующего транзистора непосредственпо соединен с базой управл ющего транзистора гпунта, а через измерительное сопротивление одновременно с эмиттером управл ющего , коллектором исполнительного транзисторов шунта и источником питающего напр жени . Коллектор управл ющего транзистора через сопротивление подключен к общей дл входа и выхода стабилизатора шине и непосредственно - к базе исполнительного транзистора , эмиттер которого через балластное In the proposed stabilizer, these disadvantages are eliminated due to the fact that the collector of the regulating transistor is directly connected to the base of the control transistor gpunta, and through the measuring resistance simultaneously with the emitter of the control, collector of the shunt control transistor and the source of supply voltage. The control transistor collector is connected through a resistance to a common busbar for the input and output of the stabilizer and directly to the base of the switching transistor, the emitter of which is through the ballast

сопротивление соединен с эмиттером регулирующего транзистора.resistance is connected to the emitter of the control transistor.

На чертеже приведена схема стабилизатора.The drawing shows a diagram of the stabilizer.

Стабилизатор содержит источник питани /, регулирующий транзистор 2, цепь обратной св зи 3, автоматический шунт, состо щий из измерительного сопротивлени 4, балластного сопротивлени 5, сопротивлени подпитки 6, управл ющего 7 и исполнительного 8 транзисторов .The stabilizer contains a power supply (I), a control transistor 2, a feedback circuit 3, an automatic shunt consisting of measuring resistance 4, ballast resistance 5, feed resistance 6, control 7 and executive 8 transistors.

Ток нагрузки стабилизатора представл ет собой сумму токов транзисторов 2 и 8.The stabilizer load current is the sum of the currents of the transistors 2 and 8.

Увеличение тока транзистора 2 сопровождаетс уменьшением тока транзистора 8 на точно такую же величину. Величина тока транзистора 2 определ ет величину падени напр жени на сопротивлении 4, которое, в свою очередь, регулирует величину сопротивлени коллектор-эмиттерного перехода транзистора 8.An increase in the current of transistor 2 is accompanied by a decrease in the current of transistor 8 by exactly the same amount. The magnitude of the current of the transistor 2 determines the magnitude of the voltage drop across the resistance 4, which in turn adjusts the resistance value of the collector-emitter junction of the transistor 8.

При минимальном значении напр жени на входе стабилизатора ток нагрузки в основном протекает через транзистор 2, так как, хот транзистор 5 в это врем и открыт до насыщени , разность между напр жени ми на входе и выходе недостаточна дл пропускани через балластное сопротивление 5 тока значительной величины.With a minimum voltage at the input of the stabilizer, the load current mainly flows through transistor 2, since, although transistor 5 is open at this time, until saturation, the difference between the input and output voltages is not enough to pass a significant amount of current through the ballast 5. .

Повышение входного напр жени вызывает увеличение тока через транзистор 5 и сопротивление 5 до определенной величины, после которой благодар наличию обратной св зи в цепи автоматического шунта дальнейшее увеличение напр жени на входе стабилизатора практически не мен ет соотношени между токами регулирующего транзистора 2 и транзистора 8.An increase in the input voltage causes an increase in the current through the transistor 5 and the resistance 5 to a certain value, after which, due to the presence of feedback in the automatic shunt circuit, a further increase in the voltage at the input of the stabilizer hardly changes the ratio between the currents of the control transistor 2 and transistor 8.

Установившеес соотношение между токами транзисторов 2 и S устойчиво до тех пор, пока ток нагрузки сохран ет посто нство.The steady-state relationship between the currents of transistors 2 and S is stable as long as the load current remains constant.

С изменением тока нагрузки измен етс напр жение на сопротивлении 4 и соотношение токов в транзисторах 2 и 8. Сопротивление 6 обеспечивает работоспособность стабилизатора при минимальных токах нагрузки и при повышенной температуре.With a change in the load current, the voltage on the resistance 4 and the ratio of the currents in transistors 2 and 8 change. The resistance 6 ensures the operation of the stabilizer at minimum load currents and at elevated temperatures.

В остальном работа стабилизатора аналогична известным.The rest of the stabilizer is similar to the known.

Критерием оптимального выбора элементов автоматического шунта вл етс приблизительное равенство максимально возможных значений рассеиваемых мощностей транзисторами 2 к 8.The criterion for the optimal choice of the elements of an automatic shunt is the approximate equality of the maximum possible values of power dissipation by transistors 2 to 8.

Предмет изобретени Subject invention

Стабилизатор напр жени , содержащий HCjточник питающего напр жени , цепь обратной св зи и последовательный регулирующий транзистор с автоматическим шунтом, выполненным на транзисторах разного типа проводимости , отличающийс тем, что с целью расширени диапазона и улучшени качества регу0 лировани , коллектор регулирующего ранзистора непосредственно соединен с базой управл ющего транзистора шунта, а через измерительное сопротивление одновременно с эмиттером управл ющего и коллектором исполни5 тельного транзисторов шунта и источником питающего напр жени , причем коллектор управл ющего транзистора через сопротивление подключен к общей дл входа и выхода стабилизатора шине и непосредственно - к базе A voltage stabilizer containing an HCj supply voltage, a feedback circuit and a series regulating transistor with an automatic shunt made on transistors of different conductivity types, characterized in that in order to expand the range and improve the quality of regulation, the collector of the regulating razistor is directly connected to the base of the shunt control transistor, and through the measuring resistance simultaneously with the emitter of the control and collector of the shunt and the source transistor supply voltage, the collector of the control transistor through a resistance connected to the common bus for the input and output of the stabilizer and directly to the base

0 исполнительного транзистора, змиттер которого через балластное сопротивление соединен с эмиттером регулирующего транзистора.0 executive transistor, the zmitter of which is connected to the emitter of the regulating transistor through a ballast resistance.

5five

пP

-1--one-

-1®- .-1®-.

22