SU395205A1

SU395205A1 -

Info

Publication number: SU395205A1
Application number: SU1615649A
Authority: SU
Inventors: К. Гулар К.
Priority date: 1971-01-28
Filing date: 1971-01-28
Publication date: 1973-08-28

Description

1one

Изобретение касаетс электрофизических методов обработки.The invention relates to electrophysical processing methods.

Известны способы электроэрозионной обработки высокоомных ;полупровод«иковых материалов , при которых лробой межэлектродного промежутка осуществл ют маломощными импульсами , а съем материала (производ т силовыми импульсами. Однако с повышением удельного содротивлени полуороводников резко снижаетс производительность обработки , а больщинство высокоомных полупроводников невозможно обрабатывать.There are known methods of electroerosive processing of high-resistance semiconductor materials, in which the coffin of the interelectrode gap is made with low-power pulses and the material is removed (produced by power impulses. However, with an increase in the specific resistance of the semi-divers, the processing capacity decreases and the high-resistance semiconductors cannot be processed.

Дл увеличени производительности обработки высокоомных (полупроводпиков электроэрозионным методо(М напр жение силовых им пульсов устанавливают больше напр жени импульсов пробо межэлектродного промежутка на величину падени напр жени на электродах нри заданном токе разр да.To increase the processing performance of high-resistance (semiconductors by the electroerosion method (M the voltage of the power pulses set more voltage pulses of the breakdown of the interelectrode gap by the magnitude of the voltage drop across the electrodes at a given discharge current.

На чертеже представлена эквивалентна схема цепи, реализующей данный способ.The drawing shows the equivalent circuit diagram that implements this method.

На нем обозначены: EI - напр жение источниКа тюджига .промежутка, EZ - напр жение СИЛОВОГО Источника, Кэ - суммарное оммическое сопротивление электродов, Rup- оммическое со:Противление межэлектродного промежутка, Ki и К. - ключи.On it are marked: EI - voltage of the source of a Tudzhig. Gap, EZ - voltage of the POWER Source, Ke - total ohmic resistance of the electrodes, Rup - coaxial with: Resistance of the interelectrode gap, Ki and K. - keys.

Величина напр жени силового источника определ етс из услови : / /о, где /о - импульсный ток в силовой цепи, при котором обеспечиваютс требуемые геометрические параметры лунок на поверхности обрабатываемой детали.The magnitude of the voltage of the power source is determined from the condition: / / o, where / o is the pulse current in the power circuit, which ensures the required geometrical parameters of the holes on the surface of the workpiece.

При этом принимаем, что и 0,In this case, we accept that 0,

/D / D

I I Iэ 77I I Ie 77

отсюда следует: - i-;г Г iit follows: - i-; g i

Апр/Apr /

Второй член коэффициента при i определ ет -величину, на которую повыщаетс напр жение силового источника по сравнению с источником поджигающих им пульсов. Амплитуда напр жени поджи1гающих импульсов в зависимости от точности обработки может иметь значент е от 30 до 200 в.The second term of the coefficient at i determines the value by which the voltage of the power source rises compared with the source of the pulses firing. The amplitude of the voltage of the firing pulses, depending on the processing accuracy, can be from 30 to 200 volts.

П редмет изобретени Invention

Способ электроэрозионной обработки высокоомных полупроводниковых материалов, при котором пробой межэлектродното промежутка осуществл ют маломощными импульсами, а съем материала производ т силовыми импульсами , отличающийс тем, что, с целью повышени производительности обработки высокоомных )ПолупроводниКовых материалов, напр жение силовых импульсов устанавливают больше папр женн импульсов пробо межэлектродного промежутка на величину падени напр жени пкктоолах пп-и з ланном токе разр да.The method of electroerosive processing of high-resistance semiconductor materials, in which the inter-electrode gap breakdown is carried out with low-power pulses, and the material is ejected by power pulses, characterized in that, in order to increase the processing performance of high-resistance semiconductor materials, the voltage of the power pulses is set more the interelectrode gap by the magnitude of the voltage drop in the pkktool pp-and zalannogo discharge current.

f2f2

9 +9 +

+ 0+ 0