SU394864A1 - METHOD FOR TREATING SEALED MAGNETIC CONTROL ^ SECTION CONTACTS - Google Patents

METHOD FOR TREATING SEALED MAGNETIC CONTROL ^ SECTION CONTACTS

Info

Publication number
SU394864A1
SU394864A1 SU1659986A SU1659986A SU394864A1 SU 394864 A1 SU394864 A1 SU 394864A1 SU 1659986 A SU1659986 A SU 1659986A SU 1659986 A SU1659986 A SU 1659986A SU 394864 A1 SU394864 A1 SU 394864A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage
contacts
discharge
magnetic control
contact
Prior art date
Application number
SU1659986A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
С. Спиридонов Ю.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1659986A priority Critical patent/SU394864A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU394864A1 publication Critical patent/SU394864A1/en

Links

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

Изобретение относитс  к те.хнологи; изготовлени  газонаполненных .магнитоуггравл емы .х контактов. Известен способ обработки герметизироваины .х магнитоуправл емых контактов путем электр0 нной -и нонной бомбардировки контактирующих поверхностей контактных пружин, состо щий в возбуждении электрического разр да между НИМИ при приложении переменного напр жени . Величина напр жени , необходима  дл  возбуждени  разр да, зависш от геометрии разр дного промежутка, рода и давлени  наполн ющего газа. Вы-пускаемые промыщленностью магнитоунравл емые контакты имеют большой разброс по рассто нию между контактными пружинами . При отсутствии магнитного пол  зазор в контактах типа КЭМ-2 равен 40-80 мкм. в МК-10-30-60 мкм, в КЭМ-1-60-100 мкм. Из-за несовершенства технологии заварки и наполнени  газО:М давление от прибора к прибору также мен етс . В контактах типа КЭМ-2 разброс по давлению имеет пределы 400-500 мм рт. ст. Кроме того, при наполнении газом в отдельные приборы может попасть воздух. Изменение состава газового наполнени  может произойти также и вследствие негерметичности отдельных приборов. Поэтому напр жени , необходимые д.т  возбуждени  разр да в различных приборах одного Tiiiia, раз,111Ч)1ы. Например, при частоте 500 кгц напр жение пробо  магнитоулравл е .мых контактов типа КЭЛ1-2 имеет разброс в пределах 400-1500 В. Это сильно затрудн ет процесс обработки магнитоуправл емых контактов путем электронной и ионной бомбардировки и вызывает необходимость 1спользовани  источников напр жени , чаще всего высокочастотных , с частотой от нескольких сотен килогерц до дес тков мегогерц, значительно мощности п габаритов, так как с ростом напр жени  возрастают потери мощности и усложн ютс  элементы схемы. Кроме того, приходитс  создавать сиециальную систему защиты обслуживающс1-о персонала от таких напр жений . Все это ограничивает ирименение метода ионио-илазмснной обработки магнитоуправл емых контактов в промьиилеННол производстве . Дл  возбуждени  разр да при напр жении ниже напр жени  пробо  при разомкнутых контактных пружинах, уменьщени  вы.чодного напр л ени  и мощности источника питани  и упрощени  его конструкции по предлагаемому способу .магнитоуправл емый контакт перед началом обработки замыкают, например, внешним магнитным полем, величина которого обеспечивает касание контактирующих повехностей , а в момент приложени  переменного иапр жен 1  контакт размыкают.The invention relates to technologists; manufacturing gas-filled. magnetically impregnated .x contacts. A known method of treating a pressurized .x magnetically controlled contacts by electrically and non-bombarding the contacting surfaces of the contact springs is to excite an electrical discharge between THEM when an alternating voltage is applied. The magnitude of the voltage required to excite the discharge depends on the geometry of the discharge gap, the type and pressure of the filling gas. Industrial magnetic magnetic contacts have a wide variation in the distance between the contact springs. In the absence of a magnetic field, the gap in the contacts of the type KEM-2 is 40-80 microns. in MK-10-30-60 microns, in CEM-1-60-100 microns. Due to the imperfection of the technology of welding and filling gas: M, the pressure from the instrument to the instrument also varies. In contacts like KEM-2, the pressure spread has limits of 400-500 mm Hg. Art. In addition, when filling with gas in the individual devices can get air. Changes in the gas filling composition can also occur due to leaks in individual instruments. Therefore, the voltage required for the excitation of the discharge in various devices of the same Tiiiia, times, 111 × 1). For example, at a frequency of 500 kHz, the voltage of the breakdown of the magneto-magnetic contacts of the type KEL1-2 type varies between 400-1500 V. This greatly complicates the processing of magnetic-controlled contacts by electron and ion bombardment and necessitates the use of voltage sources, more often all high-frequency ones, with a frequency of several hundred kilohertz to ten megahertz, are significantly thicker in size, since with increasing voltage the power loss increases and the circuit elements become more complex. In addition, it is necessary to create a special system for protecting service personnel from such stresses. All this limits the application of the method of ion-ionizing processing of magnetic contacts in industrial production. To excite the discharge when the voltage is lower than the breakdown voltage when the contact springs are open, to reduce the voltage and power of the power source and to simplify its design according to the proposed method, the magnetically controlled contact is closed, for example, by an external magnetic field, the value of which ensures the contacting of contacting surfaces, and at the moment of application of the alternating and reversing 1 contact opens.

Способ основан на том, что напр жеинс поддержани  электрического разр да, в частности высокочастотного, значительно меньше напр жени , необходимого дл  возбуждени  разр да. Например, напр жение горени  высокочастотного разр да при частоте пор дкл 40 мгц между контактирующими поверхност M .H магнитоуправл емого контакта типа КЭМ-2 составл ет несколько дес тков вольт, в то врем  Как дл  возбуждени  разр да требуетс  в зависимости от зазора и газового наполнени  400-1000 В. В момент приложени  переменного напр жени  рассто ние между контактирующими поверхност ми .наименьшее (они соприкасаютс ). Затем это рассто ние увеличиваетс , и контактные пружины возвращаютс  в положение, .которое они занимают при отсутствии 1магнитного пол . В момент размыкани  контактирующих поверхносте, т. е. когда рассто ние мало, возникает разр д. Напр жение на электродах магнитоуправл емого контакта резко снижаетс . Рассто ние между контактирующими поверхност ми продолжает возрастать, -по разр д между ними ие прекращаетс , так как приложенное напр жение оказываетс  достаточным дл  поддержани  разр да (хот  дл  возбуждени  при данном рассто нии его  вно педостаточио ).The method is based on the fact that the voltage to maintain the electric discharge, in particular, high-frequency, is significantly less than the voltage required to initiate the discharge. For example, the burning voltage of a high-frequency discharge with a pore frequency of 40 MHz between the contacting surface M .H of a magnetically controlled contact type KEM-2 is several tens of volts, while As for the excitation of the discharge, depending on the gap and gas filling 400-1000 V. At the time of application of the alternating voltage, the distance between the contacting surfaces is the smallest (they are in contact). Then this distance increases, and the contact springs return to the position which they occupy in the absence of a 1-magnetic field. At the moment of opening the contacting surface, i.e. when the distance is short, discharge occurs. The voltage across the electrodes of the magnetically controlled contact decreases sharply. The distance between the contacting surfaces continues to increase, and the discharge between them does not cease, since the applied voltage is sufficient to maintain the discharge (although it is clearly responsive to excitation at a given distance).

Способ осуп(ествл ют следующим образом.The method is smallfoot (as follows.

Дл  улучшени  состо ни  контактирующих поверхностеп через магнитоуиравл емый .контакт , наход щийс  iB разомкнуто.м состо нгш, проиуокают .импульс высококачественного тока частотой 40 мгц и длительностью 0,3 сек, в результате чего осуществл етс  нагрев ко ггактирующих поверхностей до 600-700°С.To improve the state of the contacting surfaces through a magnetically supportable contact, the iB is open. The NGS condition is absorbed. The impulse of the high-quality current with a frequency of 40 MHz and a duration of 0.3 s, as a result of which heated contact surfaces to 600-700 ° C WITH.

Напр жение пробо  дл  контактов типа КЭМ-2 составл ет 400-1000 В. Однако отдельные магнитоуправл емые контакты с большим зазором и высоким содержанием К11с;к)рода .в составе газового илполисип The breakdown voltage for contacts of the type CEM-2 is 400-1000 V. However, individual magnetic contacts with a large gap and a high content of K11c; k) are of the type ilpolisip

(азоте) не пробиваютс  даже при иапр женин 1200 В. Это не позвол ет пе только обрабатывать их .контактирующие поверхности, но и отбраковывать приборы с высоким содержанием кислорода в составе газового нанолнени . По предлагаемому способу магнитоуправл емые контакты по.мещают в посто нное магluiTHoe поле такой величины, что их контактирующие поверхности замыкаютс . На магнитоуправл емый контакт подают высокочастотное напр жение 300 В (вместо 1000 В по старой технологии). Одновременно с подачей этого напр жени  магнитное иоле снимают. Это осуществл ют одной кнопко управлени . В момент образовани  зазора между контактирующими поверхиост ми возникает электрический разр д, который продолжаетс  и ири возвращении контактных пружин в разомкнутое нормальное состо ние.(nitrogen) do not penetrate even with a 1200V injection, which does not allow ne to only treat their contacting surfaces, but also to reject devices with a high content of oxygen in the gas nanofabric. In the proposed method, the magnetically controlled contacts are placed in a constant magnetic field of such magnitude that their contacting surfaces are closed. A high-frequency voltage of 300 V is supplied to the magnetically controlled contact (instead of 1000 V according to the old technology). Simultaneously with the supply of this voltage, the magnetic field is removed. This is done by a single button control. At the time of the formation of a gap between the contacting surfaces, an electrical discharge occurs, which continues and the contact springs return to the open normal state.

Таким образом, за счет введени  новой оиерации в технологический процесс исиользуемое высокочастотное напр жение снижаетс  в несколько раз, что позвол ет упростить конструкцию генератора и систему защиты обслуживающего персоиала.Thus, due to the introduction of new oiration into the technological process, the used high-frequency voltage is reduced several times, which allows to simplify the design of the generator and the protection system of the serving staff.

Предмет и з о б р е т е и и  Subject and d on and e and

Способ обработки герметизироваиных магиитоуправл емых контактов путем электронной и ионной бомбардировки ко,итактиру ощих поверхностей, состо щий в возбуждении электрического разр да между ними при приложении переменного напр жени , отличающийс  тем, что, с целью возбуждени  разр да при напр жении ниже напр жени  пробо  при разомкнутых контактных прулси1 ах и упрощени  оборудовани , магнитоуправл емый контакт неред началом обработки замыкают, иапример , вкешни.м магнитным полем, а в момент пракюжеии  переменного напр жени  контакт размыкают.The method of processing sealed magneto-controlled contacts by electron and ion bombardment of contact surfaces of ordinary surfaces, consisting in the initiation of an electrical discharge between them when an alternating voltage is applied, characterized in that in order to excite the discharge when the voltage is lower than the breakdown voltage at open contact pruls1 and simplify equipment, a magnetically controlled contact is not the onset of processing to close, for example, a circular magnetic field, and at the time of alternating voltage act open.

SU1659986A 1971-05-18 1971-05-18 METHOD FOR TREATING SEALED MAGNETIC CONTROL ^ SECTION CONTACTS SU394864A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1659986A SU394864A1 (en) 1971-05-18 1971-05-18 METHOD FOR TREATING SEALED MAGNETIC CONTROL ^ SECTION CONTACTS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1659986A SU394864A1 (en) 1971-05-18 1971-05-18 METHOD FOR TREATING SEALED MAGNETIC CONTROL ^ SECTION CONTACTS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU394864A1 true SU394864A1 (en) 1973-08-22

Family

ID=20476255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1659986A SU394864A1 (en) 1971-05-18 1971-05-18 METHOD FOR TREATING SEALED MAGNETIC CONTROL ^ SECTION CONTACTS

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU394864A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB805164A (en) Improvements in and connected with the starting and carrying out of processes using electrical glow discharges
US2864756A (en) Method and apparatus for the treatment of plastic materials
SU394864A1 (en) METHOD FOR TREATING SEALED MAGNETIC CONTROL ^ SECTION CONTACTS
US2507696A (en) Glow discharge device
US3437784A (en) Power supply for reducing arcing damage in glow discharge apparatus
Osmokrovic et al. Influence of GIS parameters on the Topler constant
US6909237B1 (en) Production of stable, non-thermal atmospheric pressure rf capacitive plasmas using gases other than helium or neon
US2440154A (en) Spark gap
US3618186A (en) Method of making vacuum capacitors
US2437914A (en) Quartz oscillator plate
US2799804A (en) Radar transmit receive switch
US3320476A (en) Starting circuit for high intensity short arc lamps
GB571709A (en) Improvements in or relating to thermionic devices
US2254909A (en) Ultraviolet discharge lamp
Shao-Chun Statistical properties of steady state impulse breakdown voltage for commercial vacuum interrupters
US20210220662A1 (en) Cold Plasma Therapy Device with Enhanced Safety
JPS5685827A (en) Plasma etching treating method and treatment device
RU1407384C (en) Method of treatment of metal parts with pulse plasma
JPS58201077A (en) Method for dielectric breakdown test of insulating material
JPS51126995A (en) Discharge electrodes for a ozonizer
SU947925A1 (en) Method of finishing treatment of surface of insulators of cermet units of microwave devices
SU1167662A1 (en) Method of marking capacitors
Bradley et al. Ion distribution during the initial stages of spark discharge in nonuniform fields
SU15188A1 (en) Cathode generator
JPS6414920A (en) Plasma etching apparatus