SU376805A1 - Тонкопленочный запоминающий элемент - Google Patents
Тонкопленочный запоминающий элементInfo
- Publication number
- SU376805A1 SU376805A1 SU1697617A SU1697617A SU376805A1 SU 376805 A1 SU376805 A1 SU 376805A1 SU 1697617 A SU1697617 A SU 1697617A SU 1697617 A SU1697617 A SU 1697617A SU 376805 A1 SU376805 A1 SU 376805A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- film
- tinfilm
- recording element
- magnetization
- numerical
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
1
Предложенный элемент относитс к области вычислительной техники и может быть использован дл построени ЗУ цифровых вычислительных машин.
Известен тонкопленочный запоминающий элемент, управл емый однопол рными токами и состо щий из анизотропной тонкой магнитной пленки, обладающей значительной дисперсией направлени оси легкого намагничивани по площади пленки, и управл ющих числовой и разр дной полосковых линий , охватывающих пленку.
Однако такой элемент дл записи информации требует больших разр дного и числового токов (большие токи дл перемагпичивапи дисперсных пленок обусловлены блокировкой процессов вращательного перемагничивани , наличием в таких пленках вращающейс анизотропии), а считываемый сигнал мал, что обусловлено участием процессов смещени домеиных границ на части площади пленки со значительной дисперсией направлени намагничивани .
Целью изобретени вл етс увеличение выходного сигнала и повышение экономичности тонкопленючных запоминающих элементов.
Эта цель достигаетс путем того, что тонка магнитна пленка выполнена из двух магнитных слоев, разделенных немагнитной прослойкой. Причем оси легкого намагничивани магнитных слоев составл ют острый угол с числовой полосковой линией и отклонены от нее в разные стороны.
На чертеже показан предложенный элемент .
Он состоит из двух взаимно перпендикул рных полосковых линий (числовой 1 и разр дной 2) и расположенной между пр мыми и обратными проводниками обеих линий подложки 3 с тонкой магнитной пленкой 4. Пленка 4 состоит из двух магнитных слоев 5 и 6, разделенных немагнитной прослойкой 7. Оси легкого намагничивани слоев, указанные стрелками 8 т 9, составл ют между собой угол пор дка 10°, а усредненное по толщине пленки направление легкого намагничивани W совпадает с направлением числовой линии. Направление трудного намагничивани , усредненное по толщине пленки,
указано стрелкой //.
Предложенный элемент работает следующим образом. Запись. Запись «О производитс путем возбуждени в числовой линии 1 импульса тока, магнитное поле которого насыщает пленку 4 в направлении трудного намагничивани (И). После спада импульса числового тока пленка 4 остаетс намагниченной в направлении
трудного намагничивани . Причиной этому
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1697617A SU376805A1 (ru) | 1971-09-17 | 1971-09-17 | Тонкопленочный запоминающий элемент |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1697617A SU376805A1 (ru) | 1971-09-17 | 1971-09-17 | Тонкопленочный запоминающий элемент |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU376805A1 true SU376805A1 (ru) | 1973-04-05 |
Family
ID=20488036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1697617A SU376805A1 (ru) | 1971-09-17 | 1971-09-17 | Тонкопленочный запоминающий элемент |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU376805A1 (ru) |
-
1971
- 1971-09-17 SU SU1697617A patent/SU376805A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3092812A (en) | Non-destructive sensing of thin film magnetic cores | |
| GB1318095A (en) | Magnetic recording | |
| US3125743A (en) | Nondestructive readout of magnetic cores | |
| US3564558A (en) | High-density magnetic recording scheme | |
| SU376805A1 (ru) | Тонкопленочный запоминающий элемент | |
| US3093818A (en) | Domain rotational memory system | |
| GB1375624A (ru) | ||
| GB1109006A (en) | Improvements in magnetic memories | |
| US3292161A (en) | Thin film shift register | |
| US4024516A (en) | Magneto-inductive readout of cross-tie wall memory system using easy axis drive field and slotted sense line | |
| US3295115A (en) | Thin magnetic film memory system | |
| GB1351705A (en) | Magnetic digital recording | |
| US3095555A (en) | Magnetic memory element | |
| GB1046138A (en) | Magnetic film stores | |
| US3739358A (en) | Shift register operating by propagation of domains in thin films of magnetic material | |
| US3302190A (en) | Non-destructive film memory element | |
| US3337075A (en) | Storage media | |
| US3521252A (en) | Magnetic memory element having two thin films of differing coercive force | |
| GB1111317A (en) | Improvements in magnetic memories | |
| US3178693A (en) | Memory system | |
| GB1185280A (en) | Magnetic Storate Element | |
| US3218617A (en) | Thin film magnetic memory | |
| SU368644A1 (ru) | !^и5лиот;кл | |
| US3680064A (en) | Coaxial anisotropic magnetic film storage device with burst cycle writing | |
| US3436739A (en) | Magnetic memory device providing creep control |