SU375792A1 - FORMAL NEURON - Google Patents

FORMAL NEURON

Info

Publication number
SU375792A1
SU375792A1 SU1685914A SU1685914A SU375792A1 SU 375792 A1 SU375792 A1 SU 375792A1 SU 1685914 A SU1685914 A SU 1685914A SU 1685914 A SU1685914 A SU 1685914A SU 375792 A1 SU375792 A1 SU 375792A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
current
transistor
output
switch
Prior art date
Application number
SU1685914A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
О. Мкртч С.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1685914A priority Critical patent/SU375792A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU375792A1 publication Critical patent/SU375792A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к области радиоэлектроники и может быть использовано в логических устройствах автоматики и вычислительной техники.The invention relates to the field of radio electronics and can be used in logic devices of automation and computing.

Известны устройства дл  реализации логической функции эквивалентности и неэквивалентности , содержащие входные переключатели тока, элемент «ИЛИ на переключателе тока и выходной переключатель тока с эмиттер11ЫМИ повторител ми на выходе.Devices are known for implementing a logic function of equivalence and nonequivalence, which contain current input switches, the OR element on a current switch, and an output current switch with emitter followers at the output.

Цель изобретени  - повышение надежности н быстродействи  устройства.The purpose of the invention is to increase the reliability and speed of the device.

Цель достигаетс  тем, что в устройстве входные переключатели тока сод.ержат многоэмиттерный транзистор, коллектор которого соединен с коллекторами информационных транзисторов переключател  тока элемента «ИЛИ и с базой первого транзистора выходного переключател  тока, а коллекторы информационных транзисторов входных переключателей тока подключены к коллектору опорного транзистора переключател  тока элемента «ИЛИ и к базе второго транзистора выходного переключател  тока, причем выходы эмиттерных повторителей через диоды, включенные в пр мом направлении, соединены с базами соответствующих транзисторов выходного переключател  тока.The goal is achieved by the fact that in the device the input current switches contain a multi-emitter transistor, the collector of which is connected to the collectors of the information transistors of the OR switch and the base of the first transistor of the output current switch, and the collectors of information transistors of the current switches of the switch are connected the current element "OR and to the base of the second transistor of the output current switch, and the emitter followers outputs through diodes, including data in the forward direction are connected to the bases of the corresponding transistors of the output current switch.

На фиг. 1 изображена предлагаема  схема формального нейрона (ФН) на переключател х тока, реализующа  логическую функцию эквивалентности ,..., XnVXiX,..., Хп по пр мому выходу и функцию неэквивалентности f(XiyX2V,..., VXn) (XiVX.V,..., V.Y,,) по инверсному выходу.FIG. Figure 1 shows the proposed formal neuron (FN) circuit on the current switches, implementing the logical equivalence function, ..., XnVXiX, ..., Xn on the direct output and the non-equivalence function f (XiyX2V, ..., VXn) (XiVX. V, ..., VY ,,) on the inverse output.

Как видно из фиг. 1, ФН содержит входные переключатели тока, образованные информационными транзисторами /i, 2,..., In и опорным многоэммитерным транзистором /«-ц, элемент «ИЛИ на переключателе тока, состо щем из информационных транзисторов /„-i-a. /71+3,.... hn+z. Схема содержит также выходной переключатель тока на транзисторах 2 и 3, с коллекторов которых через эмиттерные повторители 4 и 5 снимаютс  пр мые и инверсные выходные сигналы (F и Р). Переключатели тока, образованные транзисторами li, h,-.., /n+ь соответствуют положительным входам порогового элемента ФН (фиг. 2), а переключателъ токъ., образованный транзисторами .«-1-2, /п+з,..., /2П+2, соответствует отрицательному входу порогового элемента ФН.As can be seen from FIG. 1, the FN contains the input current switches formed by the information transistors / i, 2, ..., In and the reference multi-emitter transistor / "- c, the element" OR on the current switch consisting of the information transistors / "- i-a. / 71 + 3, .... hn + z. The circuit also contains an output current switch on transistors 2 and 3, from whose collectors direct and inverse output signals (F and P) are removed through emitter followers 4 and 5. The current switches formed by the transistors li, h, - .., / n + ь correspond to the positive inputs of the threshold element FN (Fig. 2), and the switch current is formed by the transistors. "- 1-2, / n + s, .. ., / 2П + 2, corresponds to the negative input of the threshold element FN.

На фиг. 2 показано фупкциональное изображение ФН, реализующего функцию эквивалентности (неэквивалентности). Транзисторы п+2, п+з,..., /2и+,1 на фиг. 1 соответствуют входам элемента «ИЛИ на фиг. 2.FIG. Figure 2 shows a fuctional image of an FN that implements an equivalence (nonequivalence) function. The transistors n + 2, n + 3, ..., / 2i +, 1 in FIG. 1 correspond to the inputs of the element “OR” in FIG. 2

Устройство работает следующим образом. При отсутствии входных сигналов, т. е. при х Х2 ... , транзисторы/ij/2,..., 1,1 заперты , а транзистор In+i открыт по всем эмпттер ным переходам; транзисторы In+z, 1п+з,-.-, 1гп+ заперты, а транзистор 1п+. открыт по всем эмиттерным переходам; транзисторы /п+2, n+z,..., Izn+i заперты, а транзистор /аи+г открыт. Поскольку , (где R, Rz - сопротивлени  п резисторов 5 и 7) то токи, протекающие через резисторы 8 w. 9 одинаковы. Так как , то . Следовательно, если з, - сопротивлени  резисторов 5 и Я транзистор 2 открыт , а транзистор 3 закрыт. Вследствие этого на пр мом выходе (F) элемента имеем высокий уровень потенциала (логическа  «1), а на инверсном выходе (F) имеем низкий уровень потенциала. Если сигналы присутствуют на всех входах схемы, т. е. ,...,An l, то транзисторы Л, 2,..., In открыты, а транзистор /n+i закрыт по всем эмиттерам, транзисторы In+z, -/п+з,.-., /2П+1 открыты, а /2И4-2 закрыт. Снова токи, протекающие через резисторы 8 и 9 равны, и поэтому транзистор 3 закрыт, а 2 открыт, и на пр мом выходе схемы имеем высокий потенциал . Во всех остальных случа х комбинаций входных сигналов транзистор 5 открыт, а 2 закрыт , т. е. на пр мом выходе схемы имеем низкий уровень потенциала (логический 0). Диоды 10 и 11 служат дл  предотвращени  насыщени  (пр мого смещени  коллекторного перехода) транзисторов 2 и . В предлагаемой схеме насыщение транзисторов входных переключателей предотвращаетс  при помощи диодов 12 и 13, подключенных между коллекторами этих транзисторов и выходами схемы. Рассмотрим пример. Пусть , Хд,Хз,..., Хп 0. Тогда через резистор 8 протекает ток, равный (2п - }) /i(/i-ток, идущий через ре5 10 15 20 25 30 35 40 зистор 6). при больщих п этот ток быть достаточно большим и потенциал в точке б сильно снижаетс . В реззльтате, коллекторные переходы транзисторов /n+i, 1п+2,-.., lzn+ могут оказатьс  смещенными в пр мом направлении, что приводит к насыщению этих транзисторов, увеличению времени их выключени , следовательно и снижению быстродействи  схемы Б целом. Диоды 2 и 13 позвол ют фиксировать потенциалы на коллекторах входных транзисторов на уровне , - - бд (где f/B-выходной высокий уровень потенциала , Uf - падение напр жени  на диоде ), тем самым предотвраща  насыщение этих транзисторов. Предмет изобретени  Формальный нейрон дл  реализации логической функции эквивалентности и неэквивалентности , содержащий входные переключатели тока, элемент «ИЛИ на переключател х тока и выходной нереключатель тока с эмиттерными повторител ми на выходе, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности и быстродейст.ви , в нем входные переключатели тока содержат опорный многоэмиттерный транзистор, коллектор которого соединен с коллекторами информационных транзисторов переключател  тока элемента «ИЛИ и с базой первого транзистора выходного переключател  тока, а коллекторы информационных транзисторов входных переключателей тока подключены к коллектору опорного транзистора переключател  тока элемента «ИЛИ и к базе второго транзистора выходного переключател  тока, нричем выходы эмиттерных повторителей через диоды, включенные в пр мом направлении, соединены с базами соответствующих транзисторов выходного переключател  тока,The device works as follows. In the absence of input signals, i.e., when x2, ..., the transistors / ij / 2, ..., 1.1 are locked, and the transistor In + i is open through all the output transitions; In + z, 1п + з, -.-, 1гп + transistors are locked, and 1п + transistor. open to all emitter transitions; the transistors / n + 2, n + z, ..., Izn + i are locked, and the transistor / au + g is open. Since, (where R, Rz are the resistances of n resistors 5 and 7), the currents flow through the resistors 8 w. 9 are the same. Since, then. Therefore, if h, is the resistance of the resistors 5 and I, the transistor 2 is open and the transistor 3 is closed. As a result, at the direct output (F) of the element we have a high potential level (logical "1), and at the inverse output (F) we have a low potential level. If the signals are present at all inputs of the circuit, i.e., ..., An l, then the transistors L, 2, ..., In are open, and the transistor / n + i is closed for all emitters, the transistors In + z, - / п+з,.-., / 2П + 1 are open, and / 2И4-2 is closed. Again, the currents flowing through the resistors 8 and 9 are equal, and therefore the transistor 3 is closed, and 2 is open, and at the direct output of the circuit we have a high potential. In all other cases of combinations of input signals, transistor 5 is open, and 2 is closed, i.e., at the direct output of the circuit, we have a low potential level (logical 0). Diodes 10 and 11 serve to prevent saturation (direct displacement of the collector junction) of transistors 2 and. In the proposed scheme, the saturation of the transistors of the input switches is prevented by means of diodes 12 and 13 connected between the collectors of these transistors and the circuit outputs. Consider an example. Let, Hd, Xs, ..., Xn 0. Then a current flowing through the resistor 8 is equal to (2n -}) / i (/ i-current going through pe5 10 15 20 25 30 35 40 resistor 6). for large n, this current is sufficiently large and the potential at point b is greatly reduced. As a result, the collector junctions of the transistors / n + i, 1п + 2, - .., lzn + can be displaced in the forward direction, which leads to saturation of these transistors, an increase in their turn-off time, and consequently a decrease in the speed of circuit B in general. Diodes 2 and 13 allow the potentials at the collectors of the input transistors to be fixed at the level, - - dB (where f / B is the high potential, Uf is the voltage drop across the diode), thereby preventing the saturation of these transistors. Subject of the invention A formal neuron for implementing a logic function of equivalence and nonequivalence, which contains input current switches, the OR element on current switches and an output current non-switch with emitter followers output, characterized in that, in order to improve reliability and speed of operation, in it, the current input switches contain a reference multi-emitter transistor, the collector of which is connected to the collectors of information transistors of the current element “OR” and with the base of the first transis of the output current switch, and the collectors of information transistors of the input current switches are connected to the collector of the reference transistor of the OR switch and to the base of the second transistor of the output switch, and the emitter repeaters are connected to the bases of the corresponding output transistors current switch

вat

ю Н4ГYO N4G

/2/ 2

JL.Jl.

;/; /

7J7J

UU

хИп hip

/г./ g.

Ч- H-

1 one

LL

// 2// 2

х„x „

Фиг.FIG.

7 / -/ о7 / - / o

{7- |7{7- | 7

SU1685914A 1971-07-20 1971-07-20 FORMAL NEURON SU375792A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1685914A SU375792A1 (en) 1971-07-20 1971-07-20 FORMAL NEURON

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1685914A SU375792A1 (en) 1971-07-20 1971-07-20 FORMAL NEURON

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU375792A1 true SU375792A1 (en) 1973-03-23

Family

ID=20484386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1685914A SU375792A1 (en) 1971-07-20 1971-07-20 FORMAL NEURON

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU375792A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5004932A (en) * 1988-07-01 1991-04-02 Hitachi, Ltd. Unit circuit for constructing a neural network and a semiconductor integrated circuit having the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5004932A (en) * 1988-07-01 1991-04-02 Hitachi, Ltd. Unit circuit for constructing a neural network and a semiconductor integrated circuit having the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0075915B1 (en) Logic circuit operable by a single power voltage
US2986652A (en) Electrical signal gating apparatus
US3539824A (en) Current-mode data selector
US3247399A (en) Anti-race flip-flop
GB1063003A (en) Improvements in bistable device
US3953746A (en) Selector latch gate
US2877357A (en) Transistor circuits
SU375792A1 (en) FORMAL NEURON
US3302035A (en) Transmission system
US2928011A (en) Bistable circuits
US3946246A (en) Fully compensated emitter coupled logic gate
US3231754A (en) Trigger circuit with electronic switch means
US3660676A (en) Circuit arrangement for converting signal voltages
JP2760017B2 (en) Logic circuit
US3510679A (en) High speed memory and multiple level logic network
US3184609A (en) Transistor gated switching circuit having high input impedance and low attenuation
US3248529A (en) Full adder
US2914681A (en) Logical gating network
US2955265A (en) Signal wave-form converter
RU2795286C1 (en) “exor” logical element
US3319085A (en) Tunnel diode switching circuit triggerable by single polarity input
JPS5856531A (en) Logical circuit
US3197689A (en) Circuit for delayed transmission of binary coded intelligence
US3487235A (en) Floating tunnel diode hybrid latch
SU429422A1 (en) THREE INPUT SUMMATOR