SU374668A1 - ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР:jCEQc:vOSH/'t«Tili?.JtXHH'^--•J^БЛ^«V^^;^^^-, - Google Patents
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР:jCEQc:vOSH/'t«Tili?.JtXHH'^--•J^БЛ^«V^^;^^^-,Info
- Publication number
- SU374668A1 SU374668A1 SU1668418A SU1668418A SU374668A1 SU 374668 A1 SU374668 A1 SU 374668A1 SU 1668418 A SU1668418 A SU 1668418A SU 1668418 A SU1668418 A SU 1668418A SU 374668 A1 SU374668 A1 SU 374668A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- film capacitor
- jtxhh
- jceqc
- vosh
- tili
- Prior art date
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области технологии производства радиодеталей и может быть использовано дл изготовлени тонкопленочных конденсаторов гибридных интегральных схем.
Известен тонкопленочный конденсатор посто нной емкости, в котором диэлектрический слой вылолнен из материала, содержащего соединени бора.
В предлагаемом конденсаторе в качестве материала диэлектрического сло используют бораты редкоземельных элементов.. Это позвол ет повысить удельную емкость, электрическую прочность и снизить диэлектрические потери.
Дл изготовлени тонкопленочных конденсаторов в качестве диэлектрика используют борат Эрби (ЕгВоз) стехиометрического состава , полученный методом спекани или из расплава.
Напыление диэлектрического сло из ЕгВоз тонкоплеиочного конденсатора, провод т методом вакуумно-термического испарени (2-10- торр) из резистивного танбалового (вольфрамового) испаритеЛЯ при температуре испарени 1200-1400°С в течение 5 мин. Температура подложки при напылении 150°С.
Полученный тонкопленочный конденсатор с алюминиевыми электродами имел при толщи«е диэлектрика 400-600 А удельную емкость Суд 160.000-210.000 пф/см, тангенс угла диэлектрических потерь ,01-0,009 и пробивное напр жение f/np 15 в.
Тонкопленочный конденсатор с алюминиевыми электродами, у которого в качестве диэлектрика исп.ол.ьзован барат неодима (NdBos), имел при толщине диэлектрика
800-1000 А удельную емкость Суд 47000- 50000 пф/см и тангенс угла диэлектрических потерь ,005, пробивное напр жение t/np 30 в.
Таким образом, предлагаемый тонкопленочный конденсатор с диэлектриком на основе боратов редкоземельных элементов имеет по сравнению с известными конденсаторами улучшенные электрофизические характеристики: сравнительно высокую удельную емкость (до 200.000 пф/см) и существенно меньший тангенс угла диэлектрических потерь tg6 (до 0,005), при этом увеличиваетс воспроизводимость его параметров.
Предмет изобретени
Тонкопленочный конденсатор посто нной ем:кости, в котором диэлектрический слой выполнен из материала, содержащего соеди3 нение бора, отличающийс тем, что, с целью поаышенИЯ удельной емкости, электрической п.рочности и снижени диэлектрических по4 терь, в качестве ма.териала диэлектрического сло используют бораты редкоземельных элементов .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1668418A SU374668A1 (ru) | 1971-06-11 | 1971-06-11 | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР:jCEQc:vOSH/'t«Tili?.JtXHH'^--•J^БЛ^«V^^;^^^-, |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1668418A SU374668A1 (ru) | 1971-06-11 | 1971-06-11 | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР:jCEQc:vOSH/'t«Tili?.JtXHH'^--•J^БЛ^«V^^;^^^-, |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU374668A1 true SU374668A1 (ru) | 1973-03-20 |
Family
ID=20478802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1668418A SU374668A1 (ru) | 1971-06-11 | 1971-06-11 | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР:jCEQc:vOSH/'t«Tili?.JtXHH'^--•J^БЛ^«V^^;^^^-, |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU374668A1 (ru) |
-
1971
- 1971-06-11 SU SU1668418A patent/SU374668A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Xia et al. | Spray reaction prepared FA 1− x Cs x PbI 3 solid solution as a light harvester for perovskite solar cells with improved humidity stability | |
| EP0905723B1 (en) | Amorphous dielectric materials and capacitors employing the same | |
| US2836776A (en) | Capacitor | |
| US3627662A (en) | Thin film transistor and method of fabrication thereof | |
| Salama | RF sputtered aluminum oxide films on silicon | |
| Maddocks et al. | Properties of evaporated film capacitors | |
| SU374668A1 (ru) | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР:jCEQc:vOSH/'t«Tili?.JtXHH'^--•J^БЛ^«V^^;^^^-, | |
| US3892023A (en) | Process of manufacturing a capacitor assembly | |
| Hilsch et al. | The influence of dielectric films on the superconductivity of thin Sn and Tl films | |
| Dutta et al. | Dielectric properties of Er2O3 films | |
| US3239731A (en) | Self-healing thin-film capacitor | |
| US3426249A (en) | Donor ion modified batio3 capacitor and process | |
| Salama | Conduction in Al2 O 3 Films and Charge Storage in MAOS Structures | |
| US3596370A (en) | Thin film capacitor | |
| US3570113A (en) | Method of making semiconductive ceramic capacitor | |
| US3387999A (en) | Capacitor having dysprosium oxide dielectric | |
| US3585071A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device including a semiconductor material of the aiibvi type,and semiconductor device manufactured by this method | |
| JPS6447067A (en) | Semiconductor storage device and manufacture thereof | |
| US3671818A (en) | Semiconductive ceramic capacitor | |
| US3449824A (en) | Method for preparing a ferroelectric body and devices | |
| US2642476A (en) | Combination of at least two condensers electrically connected in parallel | |
| Lakshminarayan et al. | Dielectric studies on tellurium oxide thin films | |
| SU476614A1 (ru) | Тонкопленочный конденсатор посто нной емкости | |
| Murr et al. | Significance of Electric Fields on the Growth of Thin Metal Films | |
| US3079537A (en) | Capacitor |