SU356693A1

SU356693A1 - EXTERNAL CELL ON CONTINUOUS SUPERCONDUCTING FILM

Info

Publication number: SU356693A1
Application number: SU1602557A
Authority: SU
Original assignee: В. Н. Алфеев, Б. Н. Формозов В. П. Яроцки; всЕС ознА

Description

Предложенна чейка относитс к ооласти вычислительной техники и может быть ислользов-ана при .построении устройств хранени дискретной ииформадии.The proposed cell relates to the computing field and can be used when building storage devices for discrete information.

Известны запоминающие чейки на сплошной оверхпровод ицей лленке, содержащие нлевки управлени , пленку считывани и расположенную между нилги запоминающую нленку.There are known memory cells on a continuous overconducting cable circuit containing control slots, a read film and a memory film located between the nilgs.

Основньгми недостатками известных за1поминающи х чеек вл ютс конструктивна сложаость и малые до-пуоки на величину рабочих токов.The main disadvantages of well-known memory cells are their design complexity and low allowances for the amount of operating currents.

Цель изобретени - расширение допус7 ов «а рабочие токи и повыше&ие надел-сности работы запоминающей чейки.The purpose of the invention is to expand the tolerance of working currents and higher and ample performance of the memory cell.

Указанна цель достигаетс путем того, что одна из пленок управлени выполнена биметаллической и состоит из двух пленок, изготовленных из сверхлровоаников с различ ,ными значени ми критической температуры и имеющих различную шН|рину, причем указанные плевки имеют между собой сверх правод 1щий контакт, и пленка, изготовленна Из сверхпроводника с меньшим значением критической температуры и имеюща большую ширину, расположена между пленкой, изготовленной из сверхпроводника с большим значением кюитичеокой тем-пературы , и другой лленкой управлени .This goal is achieved by the fact that one of the control films is made of bimetallic and consists of two films made of superlvanoanikov with different critical temperature values and having different spikes | rnu, and these spits have the right contact and film , Made Of a superconductor with a smaller critical temperature and having a greater width, is located between the film made of a superconductor with a large value of Kuitch temperature, and another film management

Предлагаема запоминающа чейка отличаетс также тем, что биметаллическа пленка управлени может быть .вьтолнеиа из свинца и инди .The proposed memory cell is also distinguished by the fact that the bimetallic control film can be a lead and indie wavelength.

Конструкци предложенной чейки по сн етс чертежом, где: / - анэлектрическа поалож1ка; 2 - свинповый экран; 3 - пленка считывани ; 4 - запоминающа пленка; 5 - биметаллическа пленка Xу .правлениЯ, состо ща из пленки 6 из свинца и щпрокой пленки 7 из инди , имеющих между -собой сверхифовод ший контакт; iS-пленка У-управлени .The design of the proposed cell is illustrated in the drawing, where: / is anelectric post; 2 - a lead screen; 3 - reading film; 4 - storage film; 5 - a bimetallic film of Xy direction, consisting of a film 6 of lead and a thin layer of film 7 of indium, which have an interdifferent contact between them; iS-film Y-control.

В св зи ic тем, что критическа температура инди Тс 3,407° К ниже, чем критическа температура олова Тс 3,722° К, рабоча температура выбираетс равной 3,3° К. Поэтому небольшое магнитное поле тока Уушравлени достаточно дл перевода в нормальное состо ние индиевой лленки 7. В отсутствие тока У-унравлени ток /д.. равномерно раопредел етс по всему сечению пленки 5.Due to the fact that the critical temperature of indi Tc 3.407 ° K is lower than the critical temperature of tin Tc 3.722 ° K, the operating temperature is chosen to be 3.3 ° K. Therefore, a small magnetic field of the Amp current is sufficient to bring the indium film to normal state 7. In the absence of a current, the U-regulation current / d. Is uniformly determined over the entire cross section of the film 5.

Предложенна чейка работает следуюЩИМ о(бразом. The proposed cell works as follows (braz.

Дл записи информации подаютс импульсы токов соответствующей пол рности в пленки управлени 5 и 8. При полувыборке величина тома недостаточна дл 1разруше .ни оверхпроводимости олов н1ной запоминающей плеики 4. При наличии тока /д. сверхпроводимость инди разрушаетс , так что весь ток / : пераключаетс в плен-ку 6. Очевидио , что ,напр л ен,ность магнитного пол TOiKa /6 в WjlW (Wi - :ши1ри1на соответствующей пленКи) больше иапр женности магнитного пол тока /7. Она о.казываетс достаточной дл разрушени свврхпроводшмости олов нйой заломиваЮЩей 1плвн1ки 4. По окончании импульсов токов /е /г- и /у восстанавливаетс сверх1ироводимо1сть запоминающей пленки, а в месте пересечени пленок управлени 5 и 8 захватываетс магный поток, соответствующий хранению «1 или «О в зависимости от его .направлени . При считывании на пленке 3 -по вл етс имлульс напр жени лищь в том случае, копда в чейке записана «1. Преимуществом предложенной чейки по сравнению с известньши вл етс возможность подбо1ром соответствующей щирины индиевой и свилдовой пленок получать практически любые значени доиуоков на рабочие таки, что, в свою очередь, значительно повышает надежность работы запоминающей Ячейки при ее достаточной конструктивной простоте и -малых габаритах. Предмет изобретени 1.Запоминающа чейка на сплошной сверхпровод щей пленке, содержаща пленки управлени , пленку считывани и расположенную между ними зашоминающую пленку, отличающа с тем, что, с целью (раощирени допусков на ра бочие токи и повыщени надежности ра-боты чейки, одна из пленок управлени выполнена биметаллической и состоит из двух пленок, изготовленных из сверх1проводннков с различными значени ми критической температуры и имеющ:их различную ширину, причем указанные пленки имеют между собой сверхпровод щий контакт , и пленка, изготовленна из сверхпроводника с меньшим значением критической температуры и имеюща большую ширину, расположена между нленкой, изготовленной из оверхпроводника с большим значеиием критической температуры, и другой пленкой ушравлени . 2.Запоминающа чейка по п. 1, отличающа с те.м, что биметаллическа пленка управлени выполнена из свинца и инди .For recording information, current pulses of the corresponding polarity are fed into the control films 5 and 8. During the half-sampling, the volume is not enough to destroy the overconductivity of the tin storage memory 4. If current / d is present. Indium superconductivity is destroyed, so that the entire current /: switches into film 6. It is obvious that the magnetic field TOiKa / 6 in WjlW (Wi -: width of the corresponding film) is greater than the magnetic field strength / 7. It is sufficient to destroy the tin conductive structure of the tin panel 1 at the end of the current impulses / e / g and / y, the superfluous area of the storage film is restored, and at the intersection of the control films 5 and 8 a magical stream is captured corresponding to the storage "1 or" About depending on its direction. When reading on a 3-film, the impulse of the lisch voltage is found in the event that the disk in the cell is written "1. The advantage of the proposed cell as compared to limestone is the possibility of selecting the appropriate width of indium and film films to obtain almost any values of the measurements for workers, which, in turn, significantly increases the reliability of the memory cell with its sufficient structural simplicity and small dimensions. The subject of the invention is 1. A memory cell on a continuous superconducting film containing control films, a read film and an interleaving film disposed between them, characterized in that, in order (to improve working current tolerances and improve the reliability of the cell, one of The control films are bimetallic and consist of two films made of superconducting wires with different critical temperature values and having: their different widths, moreover, these films have a superconducting contact between them , and a film made of a superconductor with a smaller critical temperature value and having a greater width is located between a film made of an overhead conductor with a larger value of the critical temperature and another treatment film. 2. The memory cell according to claim 1, which differs with that the bimetallic control film is made of lead and indium.

mZZZZZZZ ZZz/////77773f mZZZZZZZ ZZz ///// 77773f