SU352375A1

SU352375A1 -

Info

Publication number: SU352375A1
Application number: SU1125375A
Authority: SU
Original assignee: В. И. Турченков

Description

Изобретение относитс к электронной технике и может быть иснользовано в с.хема.ч автоматики и релейной защиты.The invention relates to electronic technology and can be used in the circuitry of automation and relay protection.

Известные сиусковые устройства, содержащие транзисторы разного тина проводимости, соединенные между собой эмиттерами, имеют сложные схемы.Known siuskovye devices containing transistors of different tin conductivity, interconnected by emitters, have complex circuits.

Схема предложенного спускового устройства упрощена благодар тому, что коллектор одного транзистора соединен через дпод с базой другого транзистора и через резистор - с ИСТОЧ1ГИКОМ в.ходного сигнала, гтодключениым нараллельно переходу коллектор-база этого же транзистора.The scheme of the proposed trigger device is simplified due to the fact that the collector of one transistor is connected via dpod to the base of the other transistor and through a resistor to the source of the current signal, which is connected to the collector-base of the same transistor.

На фиг. 1 н.зображена принципиальна схема предложенного спускового устройства; на фиг. 2 - характеристика срабатыва)1и устройства, построенна по входному току; на фиг. 3 - характеристика срабатывани по входно.му наир жепию.FIG. 1 n. Schematic diagram of the proposed trigger device; in fig. 2 - the response characteristic) 1 device, built on the input current; in fig. 3 — Tripping characteristic for input nair.

Предложенное спусковое устройство содержит кле.ммы / подключени входного нанрнжеии ; транзистор 2 п-р-п-типа Ироводнмостн; транзнстор 3 р-/г-/;-тнпа нрощоднмостн; резисторы 4-6; диод 7; клемму 8 подключени отрицательного напр жени смещени ; клеммы 9 подключени питани ; выходные клеммы W.The proposed release device contains the clams / connections of the input interface; transistor 2 pnp-type Irodnmostn; transistor 3 p- / g - /; - tnpa necrodnodnmostn; resistors 4-6; diode 7; negative voltage connection terminal 8; power connection terminals 9; output terminals W.

на клеммах 9, устройство работает следуюHUSM образом.at terminals 9, the device operates in the following HUSM manner.

Если входной ток на клеммах / равен нулю и транзистор 3 насыщен, ток, протекаюн;ий через него, определ етс только величн1намн сопротивлений резисторов 5 и б noie зависит от параметров гранзпсторов 2 и 3. Этот тик нроходнт через .чод эмиттер - база транзистора 2.If the input current at the / terminals is zero and the transistor 3 is saturated, the current flowing through it is determined only by the resistances of the resistors 5 and b noie depends on the parameters of the granstors 2 and 3. This tick is passed through the emitter to the base of transistor 2 .

Еслн входной ток eньшe тока перехода эмиттер-база транзистора 2, то OiH потечет через коллекторио-базовый переход транзистора 2.If the input current is the emitter-base junction current of transistor 2, then OiH flows through the collector-base junction of transistor 2.

Когда входной ток превыснт ток эмпттернобазового перехода транзистора 2, напр жение на коллекторе транзистора начнет возрастать , и нри дальнейшем увеличенпи входного тока разность этого тока и тока эмиттерно-базового перехода транзистора 2 потечет через диод 7 В базу транзистора 3, уменьп1а те.м самым ток базы транзистора 2, а следовательно, и ток эмиттеров транзисторов 2 и 3. В результате зап раюп1,нй ток .через днод 7When the input current exceeds the current of the capacitor – base transition of transistor 2, the voltage across the collector of the transistor begins to increase, and as the input current increases further, the difference between this current and the current of the emitter – base transition of transistor 2 will flow through the 7 V diode of the base of transistor 3, reducing the current itself The bases of transistor 2, and, consequently, the current of emitters of transistors 2 and 3. As a result, transistor 1, ny current. Through the bottom 7

еще больше возрастет, а ток эмиттеров транзисторов 2 3 у.меньшитс и т. д., т. е. ра зовьетс лавипообразиый нроцесс, при котором трапзисторы 2 и 3 закроютс , а напр женне на выходных клеммах W изменитс increases even more, and the current of the emitters of the transistors is 2–3 u.shrinks, and so on, i.e. the laviope-like process develops, in which the trasistors 2 and 3 are closed and the voltage on the output terminals W changes