SU337912A1 - MULTI VIBRATOR - Google Patents

MULTI VIBRATOR

Info

Publication number
SU337912A1
SU337912A1 SU1611852A SU1611852A SU337912A1 SU 337912 A1 SU337912 A1 SU 337912A1 SU 1611852 A SU1611852 A SU 1611852A SU 1611852 A SU1611852 A SU 1611852A SU 337912 A1 SU337912 A1 SU 337912A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
transistor
resistor
collector
time
Prior art date
Application number
SU1611852A
Other languages
Russian (ru)
Original Assignee
С. Д. Шпота Минский радиотехнический институт
Publication of SU337912A1 publication Critical patent/SU337912A1/en

Links

Description

Изобретение относитс  к радиоэлектронике и может быть иопользовано при проектировании различных устройств дл  генерировани  периодических пр моугольных импульсов.The invention relates to electronics and can be used in the design of various devices for generating periodic rectangular pulses.

Известен мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми емкостными св з ми, содержащий Д1ва дополнительных транзистора того же типа проводимости и один врем задающий резистор, подсоединенный к базам основных транзисторов посредством полупроводниковых диодов.A multivibrator with transistors with collector-base capacitive connections is known, which contains D1v additional transistors of the same type of conductivity and a single time driving resistor connected to the bases of the main transistors via semiconductor diodes.

Однако такое устройство не позвол ет максимально использовать частотные свойства 11ранзисторо;в, а у.меньше«ие солротивлеии  эрем задающего резистора может приве.сти к одновременному попаданию транзисторов в режим насыщени .However, such a device does not allow maximum utilization of the frequency properties of the transistor; c, while reducing the size of the resistance by the eram of the master resistor can lead to the simultaneous hit of transistors in the saturation mode.

Цель изобретени  - повышение быстродействи  и надежности работы устройства.The purpose of the invention is to increase the speed and reliability of the device.

Дл  того в .предлагаемом мультивибраторе врем задающ.ий резистор подсоединен к соответствующему полюсу источника питани  через коллекторно-эмиттерные переходы дополнительных транзисторов, базы которых соединены с коллекторами основных транзисторов .For the proposed multivibrator, the time of the setting resistor is connected to the corresponding pole of the power source through the collector-emitter junction of additional transistors, the bases of which are connected to the collectors of the main transistors.

Мультивибратор содержит основные транзисторы 1 и 2, включенные по схеме с общим эмиттером, коллекторные резисторы 5 и 4 и один врем задающий резистор 5, конденсаторы б и 7, полупроводниковые диоды S и 5 и дополнительные транзисторы 10 и 11. Резистор 5 подсоединен к базам транзисторов 1 и 2 через диоды 5 и 5, а к соответствующему полюсу источника 12 питани  - через коллекторно-эмиттерные переходы транзисторов 10 и 11, базы которых соединены с коллекторами транзисторов 1 к 2.The multivibrator contains the main transistors 1 and 2, connected according to the common emitter circuit, collector resistors 5 and 4 and one time the driving resistor 5, capacitors b and 7, semiconductor diodes S and 5 and additional transistors 10 and 11. Resistor 5 is connected to the bases of transistors 1 and 2 through diodes 5 and 5, and to the corresponding pole of the power source 12 through the collector-emitter junction of transistors 10 and 11, the bases of which are connected to the collectors of transistors 1 to 2.

Мультивибратор работает в автоколебательном режиме и имеет два квазиустойчивых состо ни . В одном из них транзисторы / и // наход тс  в открытом состо нии, а транзисторы 2 и 10 - в закрытом. При этом конденсатор 6 разр жаетс  через диод 8, резистор 5, выходное сопротивление открытогоThe multivibrator operates in the self-oscillating mode and has two quasi-stable states. In one of them, the transistors / and // are in the open state, and the transistors 2 and 10 are in the closed state. In this case, the capacitor 6 is discharged through the diode 8, the resistor 5, the output resistance of the open

транзистора 11, источник 12 -и эмиттер-коллектор насыщенного транзистора 1.the transistor 11, the source 12 and the emitter-collector of the saturated transistor 1.

В течение времени разр да конденсатора 6 диод 9 и транзистор 10 наход тс  в запертом состо нии, а транзистор / - в насыщении подDuring the discharge time of the capacitor 6, the diode 9 and the transistor 10 are in the locked state, and the transistor / is in the saturation under

действием тока зар да конденсатора 7. По мере разр да конденсатора 6 потенциал база- эмиттер транзистора 2 понижаетс  н, как только он станет равным потенциалу отпирани , транзистор 2 открываетс , а конденвремени конденсатор 7 зар дитс , ток в базу транзистора 1 прекратитс , и он закрываетс . Конденсатор 7 начинает разр жатьс  через диод Я резистор 5, выходное сопроти-вление открытого транзистора 10, источника 12 и Э:М1Иттер-(Коллектор насыщенного транзистюра 2. Далее процесс пернодиче.с,ки повтор етс .by the action of the charge current of the capacitor 7. As the capacitor 6 is discharged, the potential of the base-emitter of transistor 2 decreases and as soon as it becomes equal to the unlocking potential, transistor 2 opens, and the condenser time 7 is charged, the current into the base of transistor 1 stops, and closes. The capacitor 7 begins to discharge through the diode I resistor 5, the output resistance of the open transistor 10, the source 12 and the E: M1Itter- (Collector of the saturated transistor 2. Then the process is similar, and ki is repeated.

Благодар  наличию транзисторов 10 и 11 при подключении источника 72 литани  к схеме транзисторы 1 и 2 мультивибратора не могут одновременно ноласть в режим насыщени  от тока, протекающего через врем задающий резистор 5, так как ток не потечет при равенстве потенциалов коллекторов нулю. Это позвол ет значительно снизить величину сопротивлени  резистора 5, не уменьша  емкостей врем задающих конденсаторов 6 .и 7, получа  таким образом высокую крутизну переднего фронта выходных импульсов при высокой частоте автоколебаний в режиме м гкого самовозбуждени .Due to the presence of transistors 10 and 11, when connecting a source of 72 litany to the circuit, transistors 1 and 2 of the multivibrator cannot simultaneously sink to saturation from the current flowing through the time of the driving resistor 5, since the current does not flow when the potentials of the collectors are zero. This significantly reduces the resistance of the resistor 5 without reducing the capacitance of the time of the driving capacitors 6 and 7, thus obtaining a high steepness of the leading front of the output pulses at a high frequency of self-oscillations in the soft self-excitation mode.

Применение вместо диодов в качестве отключающих врем задающих (элементов реаистора 5 транзисторов 10 и //) лозвол ет стабилизировать ток разр да конденсаторов 6 и 7 и увеличить диапазон изменени  нагрузочных резисторов 3 Я 4.The use instead of diodes as time disconnecting drivers (transistors 10 and // elements of the reistor 5) allows stabilizing the discharge current of capacitors 6 and 7 and increasing the range of variation of the load resistors 3 and 4.

Все это способствует ловыщению быстродействи  и надежности работы мультивибратора .All this contributes to the pursuit of speed and reliability of the multivibrator.

Предмет изобретени Subject invention

Мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми емкостными св з ми, содержащий два дополнительных транзистора того же типа проводимости и один зрем задающий резистор, подсоединенный к базам основных транзисторов посредством полупроводниковых диодов, отличающийс  тем, -что, с целью повышени  быстродействи  и надежности работы , врем задающий резистор подсоединен к соответствующему полюсу источника питани  через коллекторно-эмиттерные переходы дополнительных TpaiH3HCTO pOiB, базы которых соеди ены с коллекторами ооновпых транзисторов .A multivibrator on transistors with collector-base capacitive connections, containing two additional transistors of the same conductivity type and one creeping driving resistor connected to the bases of the main transistors through semiconductor diodes, in order to improve speed and reliability of operation, time the master resistor is connected to the corresponding pole of the power source through the collector-emitter junction of additional TpaiH3HCTO pOiB, the bases of which are connected to the collectors of the United Nations transistors oops.

10ten

6868

f 1 f 1

97 -зЧ97 -fr

SU1611852A MULTI VIBRATOR SU337912A1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU337912A1 true SU337912A1 (en)

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080303560A1 (en) Drive circuit for voltage driven electronic element
SU337912A1 (en) MULTI VIBRATOR
US4376252A (en) Bootstrapped driver circuit
SU391712A1 (en) QUICKLY MULTI VIBRATOR
SU400006A1 (en) MULTI VIBRATOR
SU303719A1 (en) FANTASTRON SEMICONDUCTOR GENERATOR
US2949548A (en) Variable multivibrator
SU345600A1 (en) DELAY DEVICE
SU320026A1 (en)
SU445136A1 (en) Sawtooth Transistor Generator
SU248759A1 (en) I.M. ZHOETIS
SU282413A1 (en) FORMING STAGED VOLTAGE
SU458095A1 (en) Relaxing pulse shaper
SU260678A1 (en) DURATION SELECTOR
SU485545A1 (en) Multivibrator
SU1182633A1 (en) Pulser
SU361515A1 (en) ALL-UNION
US3289119A (en) Semiconductor apparatus providing inductive reactance
SU291327A1 (en) PULSE FORMER
SU322848A1 (en) MULTI VIBRATOR
SU488325A1 (en) Pulse generator on unijunction transistor
SU756616A1 (en) Triangular voltage generator
SU421110A1 (en) GENERATOR RECTANGULAR PULSES
SU403033A1 (en) SINGLE VIBRATOR
SU349094A1 (en) LOGICAL DEVICE OF COLLECTION AND FORMATION OF PULSES