SU319990A1

SU319990A1 - SUCCESSFUL IM ^ th | 1? 1i; o-h.1 '; ^'; 'r-f ^^ pl_BIBLn07 :: cd' ^^^ 1

Info

Publication number: SU319990A1
Application number: SU1103250A
Authority: SU
Original assignee: В. Е. Пол ков , В. Ф. Бухто ров

Description

Изобретение касаетс устройств дл защиты от замыканий на землю с параллельной индикацией наибольшей амилитуды тока замыкани на землю.The invention relates to devices for protection against earth faults with a parallel indication of the maximum amilitude earth fault current.

Известны устройства, содержащие иусковой орган напр жени нулевой последовательности , блок запоминающих чеек, индикатор наибольшего напр жени параллельного действи на транзисторах и исполнительные органы - реле.Devices are known that contain a zero sequence voltage trigger, a block of memory cells, an indicator of the highest voltage of a parallel effect on transistors, and actuators, a relay.

Дл повышени быстродействи и чувствительности базовые выводы транзисторов индикатора наибольшего напр жени соединены вместе и через общее сопротивление подключены к общей точке запоминающих чеек. Эмиттерные выводы транзисторов соединены с выходами запоминающих чеек, а их коллекторные выводы .подключены ко входам реле.To increase speed and sensitivity, the base terminals of the transistors of the highest voltage indicator are connected together and connected to a common point of the storage cells through a common resistance. The emitter outputs of the transistors are connected to the outputs of the storage cells, and their collector outputs are connected to the relay inputs.

Устройство, выполненное по принципу параллельного относительного замера токов нулевой последовательности, действует селективно независимо от работы сети, изменени абсолютных значений бросков токов нулевой последовательности отдельных присоединений , которые завис т от начальной фазы напр жени повреждений линии в момент замыкани на землю, емкости присоединени и т. д.The device, made according to the principle of parallel relative measurement of zero-sequence currents, acts selectively regardless of the network operation, changes in the absolute values of inrush currents of the zero-sequence of individual connections, which depend on the initial phase of the line damage voltage at the moment of ground fault, the connection capacitance, etc. d.

Блок-схема предложенного устройства приведе1 а на чертел е.The block diagram of the proposed device is shown in a drawing.

При однофазном замыкании на землю запоминающие чейки блока, подключенные коIn the case of single-phase short to ground, the storage cells of the block connected to

вторичным обмоткам / трансформатора тока нулевой последовательпости, фиксируют максимальные вторичные напр жени с помощью конденсаторов 2, присоединенных параллельно к выпр мительным мостикам 3. С запоминающих чеек 4 напр жени подаютс на транзисторы 5 индикатора 6 наибольшего напр жени параллельного действи , который практически мгновенно осуществл ет поиск наибольшей амплитуды ири достаточно высокой разрешающей способности (способности различать близкие по величине напр жени ), примерно 0,15 в. В индикаторе 6 проводит тот из переходов эмиттер-база транзисторов 5, к которому приложено наибольшее напр жениеzero-sequence secondary windings / current transformers, fix the maximum secondary voltages with the help of capacitors 2 connected in parallel to rectifier bridges 3. From the storage cells 4, the voltages are applied to the transistors 5 of the indicator 6 of the highest parallel voltage of parallel action, which instantly searches for the highest amplitude of the riff is of sufficiently high resolution (the ability to distinguish between similar stresses), approximately 0.15 volts. In indicator 6, the one of the transitions is emitter-base of transistors 5, to which the most voltage is applied

, переходы других транзисторов при этом закрыты, так как к ним приложено напр жение на базовом сопротивлении, равное разности напр жений (Уцб-i i, , в запирающем направлении. Поэтому напр жение, the transitions of other transistors are closed at the same time, since a voltage is applied to them on the base resistance equal to the voltage difference (Utsb-i i, in the blocking direction. Therefore, the voltage

по витс на сопротивлении 7 того транзисто ра, который будет открыт.by Wits on resistance 7 of the transistor that will be opened.