SU294544A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU294544A1
SU294544A1 SU1330320A SU1330320A SU294544A1 SU 294544 A1 SU294544 A1 SU 294544A1 SU 1330320 A SU1330320 A SU 1330320A SU 1330320 A SU1330320 A SU 1330320A SU 294544 A1 SU294544 A1 SU 294544A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
dielectric
electrodes
parallel
coaxial
vacuum
Prior art date
Application number
SU1330320A
Other languages
Russian (ru)
Original Assignee
В. Я. Айвазов , Г. Кобка
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В. Я. Айвазов , Г. Кобка filed Critical В. Я. Айвазов , Г. Кобка
Priority to SU1330320A priority Critical patent/SU294544A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU294544A1 publication Critical patent/SU294544A1/ru

Links

Description

Изобретение относитс  к технологии нронзводства радиоаппаратуры и дюжет быть использоваио дл  изготовлени  диэлектрических слоев тонкопленочных коиденсаторов, изолируюи;их и защитных слоев микросхем 5 различной конфигурации. Известно устройство дл  изготовлени  диэлектрических слоев методом полимеризации в тлеющем разр де. В этом устройстве диэлектрические полимерные пленки наиыл ют 10 иеиосредственно на металлические новерхности , которые служат электродами тлеюндего разр да. Поэтому известное устройство не может быть применеио дл  наиылени  полимериых диэлектрических пленок иа изолиро- 15 ванные иодложки на тех участках, где топологически предусмотрено нсиользование их в качестве диэлектрика тонкоплеиочиого конденсатора , изолирующего или защитного сло . Кроме того, ири полимеризации на элек- 20 троде наблюдаетс  неравномерность толи1,ипы иолилюриого сло , что приводит к снижению электрической прочности тонкоплеиочиого копденсатора и зависимости эффективной удельной емкости конденсатора от его номи- 25 нала. Цел1) изобретени  - получение равномерной но и однородной но электрофизическим параметрам полимерной диэлектрической 11ле1п п заданной конфигурации, что 30 увеличит кроцент выхода годных микросхем и их себестоилость. Эго достигаетс  тем. что на плоские металлическ11е электроды, иаралле.тьпые и соосные между собой и параллельные и соосные с иодложкой, с тыльной стороны укреплены пласт-ниы из диэлектрического материала, а систе :а ,eни  иодложек с масками электри ески изолирована от корпуса устройства . 1-ia чертеже изображено предлагаемое устройство . стройство состопт из вакуу 1)Ной камеры 1. систем 51 2 напуска паров органической жидкости 3 с вентилем 4, отключаюгцим систему 2 от ка:черы 1, илоских металлических электродов 5, подложки 6, иластнн 7 из вакуумного диэлектрического материала, системы 8 совмещени  иодложек 6 с маска лги 9, изолиРУЮ1Г1ИХ фланцев 10. следующим образом. стропство раоотает В вакуумнлю камеру 1, дав,1еиие в которой cocp.B,iSiCT () мм уг. ст., открыв вентиль 4 системы 2, напускают иары рабочей жидкости 3, юка давление в камере 1 не станет р виым 0.2-0.5 мм рт. ст. Зaтe на элекоды 5 подают напр жение (. 500-800 в стоты inOO ГЦ. При этом иа всех открытых ф пленка за счет бомбардировки подложки диффузным нотоком ионов и возбужденных молекул , образующихс  в тлеющем разр де. Скорость формированн ; пленки онредел етс  концентрацией ионов и возбужденных частиц в илазме, давлением и составом иаров органической жидкости в камере. Дл  иолучеии  равномерной но толщине н однородной но электрофизическим свойствам полимерной плеики необходимо, чтобы нлазма была однородна у всей иоверхности нодложки , а так как концентраци  ионов и возбужденных частиц в нлазме аксиально симметрична в сечении, нараллельном электродам, в устройстве используютс  плоские электроды 5, параллельные и сооспые между собой и параллельные и соосные с подложкой 6. Кроме того, аксиальна  система концентрации ионов и возбужденных частиц в плазме будет выполн тьс  только в том случае, если будет максимально исключена электрическа  утечка из области разр да, и область разр да максимально локализована в пространстве между электродами. Это условие выполн етс  благодар  изол ции обоих электродов от корliyca устройства с иомои1ью пластин 7 из вакуумного диэлектрического материала, нзол цнн системы совмещени  подло кек с масками с помощью флаицев 10 из вакуумного диэлектрического материала и диэлектрического экранировани  области тлеющего разр да . Предмет изобретени  Устройство дл  напылени  полимерных диэлектрических пленок, содержащее вакуу.мную камеру, снабженную системой совмещени  подложек с масками, систему напуска паров, плоские металлические электроды, расноложеппые параллельно и соосно подложке, отличающеес  тем, что, с целью получени  равномерных и воспроизводимых по толщине и электрофизическим свойствам пленок заданной конфигурации, на металлические электроды с тыльиой стороны укреплены пластииы из диэлектрического материала, а система совмещени  подложек с масками электрически изолирована от корпуса устройства.The invention relates to the technology of radio equipment production and can be used for the manufacture of dielectric layers of thin-film co-capacitors, isolating them and protective layers of microcircuits 5 of various configurations. A device for producing dielectric layers by the method of glow polymerization is known. In this device, dielectric polymeric films are deposited 10 directly on metal surfaces that serve as electrodes for a discharge. Therefore, the known device cannot be used for the deposition of polymeric dielectric films and insulated coatings in those areas where their use is topologically provided as a dielectric of a thin-film capacitor, insulating or protective layer. In addition, when polymerization is carried out on the electrode, an unevenness of the toli, type, and liluriurium layer is observed, which leads to a decrease in the electrical strength of the thin-film capacitor and the dependence of the effective specific capacity of the capacitor on its nominal value. The whole purpose of the invention is to obtain a uniform but also homogeneous but electrophysical parameters of a polymer dielectric 11 of a given configuration, which 30 will increase the percentage of the output of suitable microcircuits and their cost. The ego is achieved by that. that flat metal electrodes, paral- lel and coaxial with each other and parallel and coaxial with iodlozhkoy, reinforced plies from the dielectric material on the back side, and the system: a, e iodoobies with electric masks insulated from the device. 1-ia drawing shows the proposed device. The device is made from vacuum 1) Noah chamber 1. systems 51 2 inlets of organic liquid 3 vapor with valve 4, disconnecting system 2 from cha: 1, metallic metal electrodes 5, substrate 6, electrolytic 7 from a vacuum dielectric material, system 8 combining i-coats 6 with a mask of lie 9, insulating flanges 10. as follows. stropism eases into the vacuum chamber 1, giving, the result in which cocp.B, iSiCT () mm ang. After opening the valve 4 of the system 2, the irides of the working fluid 3 are injected, the pressure in the chamber 1 will not become 0.2-0.5 mm Hg. Art. Then, voltage is applied to the electrodes 5 (500-800 in inOO HZ. At the same time, all the open film is due to the bombardment of the substrate with a diffuse note of ions and excited molecules formed in a glow discharge. The rate is formed; the films are determined by the concentration of ions and of excited particles in plasma, pressure and composition of organic liquids in the chamber. For uniform but thickness and uniform but electrophysical properties of the polymer fabric, it is necessary that the nlazm be uniform over the entire surface of the backing, and since The traction of ions and excited particles in the plasma is axially symmetrical in cross section, on the parallel electrodes, the device uses flat electrodes 5, parallel and coaxial with each other and parallel and coaxial with the substrate 6. In addition, the axial concentration of ions and excited particles in the plasma will be performed Only in the event that electrical leakage from the discharge area is avoided as much as possible, and the discharge area is localized to the maximum between the electrodes. This condition is fulfilled due to the isolation of both electrodes from the corliyca device with a homogenous plate 7 made of vacuum dielectric material, a basement matching system with masks using flags 10 made of a vacuum dielectric material and dielectric shielding of the glow discharge area. The subject of the invention is a device for spraying polymeric dielectric films containing a vacuum chamber equipped with a system for combining substrates with masks, a system for vapor injection, flat metal electrodes that are parallel in parallel and coaxial to the substrate, in order to obtain uniform and reproducible in thickness and the electrophysical properties of films of a given configuration, plastiy of a dielectric material are reinforced on the metal electrodes on the back side, and the system for combining substrates with body is electrically isolated from the device case.

SU1330320A 1969-05-19 1969-05-19 SU294544A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1330320A SU294544A1 (en) 1969-05-19 1969-05-19

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1330320A SU294544A1 (en) 1969-05-19 1969-05-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU294544A1 true SU294544A1 (en) 1974-04-15

Family

ID=20445744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1330320A SU294544A1 (en) 1969-05-19 1969-05-19

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU294544A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Davidse et al. Dielectric thin films through rf sputtering
US3318790A (en) Production of thin organic polymer by screened glow discharge
US4508049A (en) Method and a device for the production of electrical components, in particular laminated capacitors
US3297465A (en) Method for producing organic plasma and for depositing polymer films
JPS6117907B2 (en)
DE2215151B2 (en) Process for producing thin layers of tantalum
US4089039A (en) Thin film tantalum oxide capacitor
US3479269A (en) Method for sputter etching using a high frequency negative pulse train
US4444805A (en) Optical coating
US5206060A (en) Process and device for the deposition of thin layers and product made thereby
SU294544A1 (en)
US4735852A (en) Electroconductive thin film
US4252838A (en) Glow discharge fabrication of transparent conductive coatings
JP2598342B2 (en) Method for manufacturing multicolor display device
US3846294A (en) Method of coating the interior walls of through-holes
JPS5730528A (en) Vapor-separating member
US3743587A (en) Method for reactive sputter deposition of phosphosilicate glass
Probyn Sputtering of Insulators in an RF Discharge
US3996884A (en) Device for processing an organic high molecular weight film
US3966999A (en) Method of processing an organic high molecular weight film
US3635750A (en) Photopolymerized copolymer films
US3344055A (en) Apparatus for polymerizing and forming thin continuous films using a glow discharge
JPH06228344A (en) Surface modification
JPH0149417B2 (en)
DE3817467C2 (en)