SU248091A1 - Плазменный импульсный источник зар женных частиц - Google Patents

Description

Изобретеиие .отеоситс  к ускорительной те.мшке ,и квантовой электронике оптического диапазона.

Известны плазменные .импульсные источники зар женных частиц, состо щие из двух электродов, диэлбктрика и отбирающего электрода .

Предлагаемый плазменный источник отличаетс  от известных тем, что его диэлектрическа  пластина выполнена ,из материала с величиной отношени  диэлектрической лро,Н1Ицаемости к толщине пластины пор дка .t;2 и более и расположена между сплошным электродом и кольцевым электродом с помощью изолирующей прокладки так, что ток разр да плазмы замкнут за счет емкостного тока через диэлектрик.

Это позвол ет получать импульсы электронного тока с амплитудой 10 а при большом сроке службы источника.

Па чертеже показан описываемый источН ,.

На диэлектрической пластине / из титаната бари  с одной стороны вжиганием нанесе;; электрод 2, а к другой стороне при помощи оправки 3 прижат кольцеобразный электрод 4. Электроды помещены в изол тор 5 из оргстекла . Дл  устранени  перекрыти  разр да по боковой поверхности керамики предусмотрена резинова  прокладка 6. Электрод 7 служит дл  выт гивани  зар же ных частиц. Колпачок 8 и пружина 9 обеспечивают конта-кт электрода 2 с подвод щими кабел лги.

При приложепии импульсного напр жени  между электродами 2 }i 4 в местах соприкосновени  пластины 1 и электрода 4 возникают поверхностные разр ды на диэлектр.ике. С границы плазмы поверхностных разр дов происходит отбор электронов или ионов в зависимости от лол риост1И экстрактора.

Псточник позвол ет получить длительное врем  токи электронов величиной 10 а при длительности импульса тока до 200 нсек.

5

Предмет и з о б р е т е.и и  

Плазменный импульсный нсточник зар женных частиц, например электронов, состо щий из двух электродов, диэлектрика и элек0 трода, выт гивающего частицы. отличаюи(айс  тем, что, с целью увеличени  тока зар женных частиц .и увеличени  срока службы источника , диэлектрическа  пластина выполнена из материала с величиной отношени  д:.1электр115 ческой ироницаемости к толщине пластины пор дка 10(/;/.1г2 и более и расположена между сплошным электродом п кольцевым электродом с номощью изолирующей прокладки так, что ток разр да плазмы замкнут за счет емкостного тока через диэлектрик.