SU1737578A1 - Resonator on forward three-dimensional waves - Google Patents

Resonator on forward three-dimensional waves Download PDF

Info

Publication number
SU1737578A1
SU1737578A1 SU904855963A SU4855963A SU1737578A1 SU 1737578 A1 SU1737578 A1 SU 1737578A1 SU 904855963 A SU904855963 A SU 904855963A SU 4855963 A SU4855963 A SU 4855963A SU 1737578 A1 SU1737578 A1 SU 1737578A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resonator
square
input
transducers
conductive layer
Prior art date
Application number
SU904855963A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Баяр Дашиевич Монголов
Михаил Георгиевич Балинский
Евгений Васильевич Кудинов
Сергей Николаевич Кущ
Original Assignee
Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции filed Critical Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority to SU904855963A priority Critical patent/SU1737578A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1737578A1 publication Critical patent/SU1737578A1/en

Links

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

Использование: в резонансных усилител х, генераторах и устройствах фильтрации маломощных СВЧ-сигналов в радиоприемной и измерительной аппаратуре . Сущность изобретени : устройство содержит намагниченную ферритовую пленку, расположенную на диэлектричес ком основании, на котором нанесен провод щий слой с выборкой в форме квадрата, по диагонали которого соос но расположены входной и выходной преобразователи,. Диагональ квадрата L и толщина Диэлектрического основани  d св заны соотношени ми: L « , d - (0,15-0,35) L/JT, где n T7N; Кц волновое число пр мых объемных магнитостатических волн в области выборки. Входна  и выходна  линии передачи выполнены копланарны- ми„ 2 ил„Use: in resonant amplifiers, generators and filtering devices for low-power microwave signals in radio receiving and measuring equipment. SUMMARY OF THE INVENTION: The device comprises a magnetized ferrite film located on a dielectric base on which a conducting layer with a square-shaped sample is deposited, along the diagonal of which the input and output transducers are located. The diagonal of the square L and the thickness of the dielectric base d are related by: L, d - (0.15-0.35) L / JT, where n T7N; Cc is the wavenumber of direct volume magnetostatic waves in the sample area. Input and output transmission lines are coplanar „2 or„ „

Description

Изобретение относитс  к технике сверхвысоких частот (СВЧ) и может использоватьс  в резонансных усилител х , генераторах и различных устройствах фильтрации маломощных СВЧ- сигналов в радиоприемной и измерительной аппаратуре, а также в системах обработки радиолокационных сигналов и радиопротиводействи .The invention relates to microwave technology and can be used in resonant amplifiers, generators, and various filtering devices for low-power microwave signals in receiving and measuring equipment, as well as in radar and radio interference processing systems.

Известны СВЧ-резонаторы, состо щие из входного и выходного широкополосных одноэлементных полосковых преобразователей, установленных на монокристаллической пленке желеэо-ит- триевого граната, выращенной ич подложке из галлий-гадолиниевого граната , и выполненных на упом нутой пленке отражающих решеток, образующих либо однополостный, либо двухполост- ный резонаторы, у которых входной  Microwave resonators are known, consisting of input and output broadband single-element strip transducers mounted on a single-crystal film of an iron-etherium garnet grown on an ich substrate of gallium-gadolinium garnet, and made on the above-mentioned film of reflecting grids that form either single-cavity or two-cavity resonators, in which the input

выходной преобразователи параллельны между собой.output converters are parallel to each other.

Недостатками указанных резонаторов  вл ютс  эффект паразитной взаимосв зи , обусловленный двунаправленностью полосковых преобразователей на пр мых объемных магнитостатических волнах (МСВ) при применении соосных резонаторов , сложность высокоточной техно- логии изготовлени  и большие потери резонатора.The disadvantages of these resonators are the effect of parasitic interconnection due to the bi-directionality of the strip transducers on direct bulk magnetostatic waves (MW) when using coaxial resonators, the complexity of high-precision manufacturing technology, and large losses of the resonator.

Известны двухполостные резонаторы на МСВ, у которых разв зка между входом и выходом увеличена за счет ортогонального расположени  осей обеих полостей, Однако у таких резонаторов повышены значени  вносимых потерь (20-32 дБ).Two cavity cavities are known on an MCB, in which the separation between the input and the output is increased due to the orthogonal arrangement of the axes of both cavities. However, such resonators have increased insertion loss values (20-32 dB).

i Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  СВЧ-4i The closest in technical essence to the proposed is microwave-4

00 -«400 - "4

У1 U1

ЭОEO

3173757831737578

резонатор на пр мых объемных магнито- статических волнах (ПОМСВ), содержащий намагниченную ферритовую пленку, расположенную на диэлектрическом основании , на котором соосно установлены св занные с входной и выходной лини ми передачи полосковые преобразо7 ватели, симметрично которым с обеих сторон расположены отражающие элементы , кромки которых составл ют угол 45° с осью полосковых преобразователей , и поглотители, а также диэлектрическую подложку с провод щим основанием , установленную со стороны преобразователей оresonator on direct bulk magnetostatic waves (PMSV) containing a magnetized ferrite film located on a dielectric base, on which coaxial transducers connected to the input and output transmission lines are coaxially mounted, with reflecting elements on both sides, edges which form an angle of 45 ° with the axis of the strip transducers, and absorbers, as well as a dielectric substrate with a conductive base, installed on the transducer side

Недостатками известного резонатора  вл ютс  низка  добротность и слабое подавление высших типов колебаний сThe disadvantages of the known resonator are low Q and weak suppression of higher types of oscillations with

Целью изобретени   вл етс  повышение добротности и увеличение подавлени  высших типов колебанийThe aim of the invention is to increase the quality factor and increase the suppression of higher types of vibrations.

Указанна  цель достигаетс  за счет использовани  эффекта полного внутреннего отражени  при наклонном падении ПОМСВ на границу раздела сред, параметры и взаимное расположение элементов которых определ ютс  из за вл емых соотношенийоThis goal is achieved through the use of the effect of total internal reflection in the case of an oblique incidence of the PMSS on the interface between the media, the parameters and the relative position of the elements of which are determined by the claimed ratios

Предлагаемый резонатор отличаетс  формой выполнени , размерами, составом и св з ми элементов, в которых устранены разрывы проводников на пути распространени  ПОМСВ как вдоль вертикальной , так и вдоль горизонтальной оси резонатора,,The proposed resonator differs in the form of execution, dimensions, composition and connections of the elements, in which the discontinuities of the conductors along the PMSV propagation path are eliminated both along the vertical and the horizontal axis of the resonator,

Замена распределенной отражающей структуры системы (решеток), каждый из элементов которой отражает лишь малую часть падающей на него волны, системой зеркал, где граница раздела сред при за вл емых соотношени х размеров резонатора практически полностью отражает рабочую волну и не отражает высшие типы волн, по сравнению с прототипом ча счет исключени  потерь на поглощение в тонких полосках решеток, потерь на излучение, а также переотражений в системе позвол етReplacing the distributed reflecting structure of the system (gratings), each of the elements of which reflects only a small part of the wave incident on it, with a system of mirrors, where the interface between the media dimensions of the resonator dimensions almost completely reflects the working wave and does not reflect higher types of waves. comparison with the prototype, by eliminating the absorption loss in thin strips of the gratings, the radiation losses, and also the reflections in the system allows

На йиг0 1 схематично показан.резо натор на пр мых объемных магнитоста- тических волнах (ПОМСВ); на фиг„ 2 - разрез А-А на иг„ 10Yig0 1 shows a schematic of a resonator on direct bulk magnetostatic waves (PMSB); Fig 2 - section AA on the needle 10

10ten

II

1515

2020

2525

Резонатор на ПОМСВ содержит диэлектрическую подложку 1, имеющую пр вод щее основание 2 на одной ее поверхности и провод щий слой (ПС) 3 н другой ее поверхностно В провод щем слое 3 выполнена выборка в виде квад рата, на первой диагонали которого симметрично относительно второй диаг нали квадрата установлены входной 4 выходной 5 микрополосковые преобразо ватели Продолжени  входного 4 и выходного 5 преобразователей расположе ны в прорез х, выполненных в углах квадрата, которые совместно с част ми провод щего сло  3 образуют соответственно входную 6 и выходную 7 ко планарные линии передачи Непосредственно возле наружных по отношению к пребразовател м 4 и 5 сторон провод щего сло  3 размещены поглотители 8 ПОМСВо Поверх преобразователей 4 и 5, провод щего сло  3 и поглотителей 8 установлен диэлектрический слой (ДС) 9, на котором размещена ферритова  пленка (ФП) 10 Попереч- 35 ные размеры ДС 9 выбраны такими, что ДС полностью перекрывают выборку в провод щем слое 3 и поглотители 8„ Толщина ДС 9 выбрана из соотношени  d (0,15-0,35) L/n, где L - длина диагонали квадрата, выполненного в провод щем слое 3; L n iT/K, волновое число п-го рабочего типа колебаний ПОМСВ, распростран ющейс  в ФП 10 в области выборки, п 1 ,N0 ФП 10 имеет поперечные размеры, равные поперечным размерам ДС9,, Минималь на  ширина 1 провод щего сло  3, образующего дл  ПОМСВ отражающее зеркало в направлении, перпендикул рномA PMSV resonator contains a dielectric substrate 1 having a straight base 2 on one of its surfaces and a conductive layer (PS) 3 on its other surface. In the conductive layer 3, a square sample is taken, on the first diagonal of which is symmetrically relative to the second diagonal the square of the square has an input 4 output 5 microstrip converters The continuations of the input 4 and output 5 converters are located in slots made in the corners of the square, which together with parts of the conductive layer 3 form respectively 6 and output 7 co-planar transmission lines Immediately near the outer sides of converters 4 and 5 of the sides of the conductive layer 3 are absorbers 8 POMSWO Over the converters 4 and 5, the conductive layer 3 and absorbers 8 there is a dielectric layer (DS) 9, where the ferrite film (FP) is placed 10 The cross-dimensions of the DS 9 are chosen such that the DS completely overlaps the sample in the conductive layer 3 and the absorbers 8 "The thickness of the DS 9 is selected from the ratio d (0.15-0.35) L / n, where L is the length of the diagonal of the square, made in the conductive Loe 3; L n iT / K, the wavenumber of the nth working type of PMSV oscillations propagating in the OP 10 in the sampling region, n 1, N0 OP 10 has transverse dimensions equal to the transverse dimensions DS9 ,, Minimum by width 1 of the conductive layer 3, forming a mirror in a direction perpendicular to PMSSV

30thirty

4040

к«45to "45

достичь поставленную цельс Кроме того, ® диагонал м квадрата, на которой устав данном резонаторе на ПОМСВ исключена настройка с помощью внешних элементов и существенно упрощена технологи  его изготовлени .to achieve the set goal. In addition, ® a diagonal of a square, on which the statute of this resonator on the MSSP is tuned out with the help of external elements and its manufacturing technology has been significantly simplified.

Улучшение параметров резонатора приводит к повышению его качества, а упрощение технологии изготовлени  и исключение затрат на настройку - кImproving the parameters of the resonator leads to an increase in its quality, and the simplification of the manufacturing technology and the elimination of the cost of tuning - to

5555

новлены входной 4 и выходной 5 преобразователи , определ етс  из услови  1 :Ј 4L/H„ Резонатор на ПОМСВ помещен во внешнее магнитное поле Н, направленное перпендикул рно плоскости ФП 10„ Внешнее магнитное поле создаетс  с помощью малогабаритного электромагнита броневого типа.The input 4 and output 5 transducers are defined, determined from condition 1: 4L / H "Resonator on MSPT placed in an external magnetic field H, directed perpendicular to the OP 10 plane. The external magnetic field is created using a small-sized armored electromagnet.

сокращению расходов на его изготовление и отработку,, что в результате обуславливает получение экономического эффекта,,reduce the cost of its manufacture and development, which as a result leads to economic benefits,

На йиг0 1 схематично показан.резонатор на пр мых объемных магнитоста- тических волнах (ПОМСВ); на фиг„ 2 - разрез А-А на иг„ 10Yig0 1 shows a schematic of a resonator on direct bulk magnetostatic waves (PMSV); Fig 2 - section AA on the needle 10

00

II

5five

00

5five

Резонатор на ПОМСВ содержит диэлектрическую подложку 1, имеющую провод щее основание 2 на одной ее поверхности и провод щий слой (ПС) 3 на другой ее поверхностно В провод щем слое 3 выполнена выборка в виде квадрата , на первой диагонали которого симметрично относительно второй диагонали квадрата установлены входной 4 и выходной 5 микрополосковые преобразователи Продолжени  входного 4 и выходного 5 преобразователей расположены в прорез х, выполненных в углах квадрата, которые совместно с част ми провод щего сло  3 образуют соответственно входную 6 и выходную 7 ко- планарные линии передачи Непосредственно возле наружных по отношению к пребразовател м 4 и 5 сторон провод щего сло  3 размещены поглотители 8 ПОМСВо Поверх преобразователей 4 и 5, провод щего сло  3 и поглотителей 8 установлен диэлектрический слой (ДС) 9, на котором размещена ферритова  пленка (ФП) 10 Попереч- 5 ные размеры ДС 9 выбраны такими, что ДС полностью перекрывают выборку в провод щем слое 3 и поглотители 8„ Толщина ДС 9 выбрана из соотношени  d (0,15-0,35) L/n, где L - длина диагонали квадрата, выполненного в провод щем слое 3; L n iT/K, волновое число п-го рабочего типа колебаний ПОМСВ, распростран ющейс  в ФП 10 в области выборки, п 1 ,N0 ФП 10 имеет поперечные размеры, равные поперечным размерам ДС9,, Минимальна  ширина 1 провод щего сло  3, образующего дл  ПОМСВ отражающее зеркало в направлении, перпендикул рномA PMSV resonator contains a dielectric substrate 1 having a conductive base 2 on one of its surfaces and a conductive layer (PS) 3 on its other surface layer. In the conductive layer 3, a square sample is made, the first diagonal of which is symmetrical to the second diagonal of the square input 4 and output 5 microstrip transducers The continuation of input 4 and output 5 transducers are located in slots made in the corners of the square, which, together with parts of conductive layer 3, form the corresponding The input 6 and output 7 co-planar transmission lines Directly next to the outer sides of conductive 4 and 5 sides of the conductive layer 3 are absorbers 8 MICROWAY Atop of converters 4 and 5, conductive layer 3 and absorbers 8 a dielectric layer is installed 9, where the ferrite film (FP) is placed 10 The cross-sectional dimensions of the DS 9 are chosen such that the DS completely overlaps the sample in the conductive layer 3 and the absorbers 8 "The thickness of the DS 9 is selected from the ratio d (0.15-0.35 ) L / n, where L is the length of the diagonal of the square, made in the wire present layer 3; L n iT / K, the wavenumber of the nth working type of oscillations of the MSP propagating in the OP 10 in the sampling region, n 1, N0 OP 10 has transverse dimensions equal to the transverse dimensions DS9 ,, The minimum width 1 of the conductive layer 3 forming for a MOPB reflective mirror in the direction perpendicular

30thirty

4040

к«45to "45

® диагонал м квадрата, на которой уста® diagonal m square on which the mouth

новлены входной 4 и выходной 5 преобразователи , определ етс  из услови  1 :Ј 4L/H„ Резонатор на ПОМСВ помещен во внешнее магнитное поле Н, направленное перпендикул рно плоскости ФП 10„ Внешнее магнитное поле создаетс  с помощью малогабаритного электромагнита броневого типа.The input 4 and output 5 transducers are defined, determined from condition 1: 4L / H "Resonator on MSPT placed in an external magnetic field H, directed perpendicular to the OP 10 plane. The external magnetic field is created using a small-sized armored electromagnet.

д щем слое равным А 5this layer is equal to A 5

Резонатор на ПОМСВ работает следующим образом,The resonator on the MSP works as follows

СВЧ-сигнал на рабочей частоте fo через входную копланарную линию 6 поступает на входной преобразователь А. который в ЛП 10 возбуждает ПОМСВ, распростран ющуюс  перпендикул рно ег оси по обе стороны от преобразовател  На соответствующие стороны выборки, выполненной в виде квадрата в прово- 3, ПОМСВ падает под углом, , превышающим дл  рабочего п-го типа колебаний угол полного внутреннего отражени  (ПВО) в системе, что обуславливает практически полное отражение ПОМСВ (коэффициент отражени  близок К1) от границы раздела средо ПОМСВ отражаютс  от сторон выборки , выполненной в ПС 3 (сторон квадрата), под углом, равным углу падени  (А5°), в направлении смежных сторон квадрата, от которых переизлучаютс  (угол падени  равный А5° также больше угла ПВО) в направлении выходного преобразовател  5, откуда СВЧ- сигнал с частотой f0 через копланарную линию 7 попадает на выход резонатора. При этом только на частоте f0, определ емой величиной L, параметрами сие темы и значением внешнего магнитного пол  Н, в результате многократных синфазных отражений в резонаторе устанавливаетс  сто ча  волна, формирующа  рабочий тип колебаний с максимумом пол  в области выходного преобразовател  5 (из фиго 1 видно, что длина каждого пути луча, возбуждаемого произвольной точкой преобразовател , равна L)оThe microwave signal at the operating frequency fo through the input coplanar line 6 is fed to the input converter A. Which in LP 10 excites a MSSP propagating perpendicular to its axis on either side of the converter On the corresponding sides of the sample, made in the form of a square to a wire 3, The PMSV falls at an angle greater than for the working n-th type of oscillations the total internal reflection (PVO) angle in the system, which causes the PMSS to be almost completely reflected (the reflection coefficient is close to K1) from the interface between the PMSV and the of the sampling sides, made in PS 3 (square sides), at an angle equal to the angle of incidence (A5 °), in the direction of adjacent sides of the square, from which they are reradiated (angle of incidence equal to A5 ° is also greater than the angle of air defense) in the direction of the output converter 5, from where The microwave signal with a frequency f0 through coplanar line 7 enters the output of the resonator. At the same time, only at the frequency f0, determined by the value of L, the parameters of this theme and the value of the external magnetic field H, as a result of multiple in-phase reflections in the resonator, a standing wave is formed that forms an operating type of oscillation with a maximum field in the output converter 5 (Fig. 1 It can be seen that the length of each path of the beam, excited by an arbitrary point of the converter, is equal to L) o

При подаче на вход резонатора СВЧ- сигнала с частотой,. отличной от f0 , в системе не будут выполн тьс  услови  резонанса и сигнал на выходе бу. дет ослаблен на величину, определ емую избирательностью резонатора и значением разв зки между входом и выходом.When applying to the resonator input a microwave signal with a frequency. other than f0, the resonance conditions and the output signal are not satisfied in the system. The detail is attenuated by an amount determined by the selectivity of the resonator and the separation value between the input and output.

Благодар  выбору толщины диэлектрического сло  9 d - (0,15-0,35)L/n, высшие типы колебаний распростран ютс  в ФП 10 в направлении поглощающего сло  8 без заметного отражени  от границ раздела сред„ Минимальна  ширина провод щего сло  3 в направлении распространени  ПОМСВ 1 AL/ti, что позвол ет обеспечить требуемое отраже- tDue to the choice of the thickness of the dielectric layer 9 d - (0.15-0.35) L / n, higher types of vibrations propagate in the FP 10 in the direction of the absorbing layer 8 without noticeable reflection from the media interface. The minimum width of the conductive layer 3 in the direction PMSV 1 AL / ti distribution, which provides the required reflection of t

ние рабочего типа колебаний и уменьшить потери в системе на поглощение и излучение.- Непосредственно к краю провод щего сло  3 примыкает поглощающий слой 8, что предотвращает отражение от внешнего кра  провод щего сло  3 и обеспечивает максимальное поглощение высших типов колебаний резонатора ,, 1working mode and reduce losses in the system for absorption and radiation.- Directly to the edge of the conductive layer 3 is adjacent the absorbing layer 8, which prevents reflection from the outer edge of the conductive layer 3 and provides maximum absorption of higher types of resonator oscillations ,, 1

Перестройка резонатора по частоте осуществл етс  с помощью изменени  величины внешнего магнитного пол .The resonator is tuned in frequency by varying the magnitude of the external magnetic field.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula , Резонатор на пр мых объемных магнитостатических волнах, содержа- дий намагниченную ферритовую пленку, расположенную на диэлектрическом основании , на котором соосно установлены св занные с входной и выходной лини ми передачи полосковые преобразователи , симметрично которым с обеих стоThe resonator on direct bulk magnetostatic waves, the contents of a magnetized ferrite film, located on a dielectric base, on which strip transducers connected to the input and output transmission lines are coaxially mounted рон расположены отражающие элементы, кромки которых составл ют угол А5 с осью полосковых преобразователей, и поглотители, а также диэлектрическую подложку с провод щим основанием, установленную со стороны преобразователей , отличающийс  тем, что, с целью повышени  добротности и увеличени  подавлени  высших типов колебаний, отражающие элементы выполнены в виде провод щего сло  с выборкой в форме квадрата и прорез ми в противолежащих его углах, в которых расположены преобразователи, при этом диагональ L квадрата и толщина диэлектрического основани  d выбраны равнымиReflective elements are arranged, the edges of which constitute the A5 angle with the axis of the strip transducers, and the absorbers, as well as a dielectric substrate with a conductive base mounted on the transducer side, characterized in that, in order to increase the quality factor and increase the suppression of higher types of vibrations, reflecting the elements are made in the form of a conductive layer with a sample in the form of a square and slits in opposite corners in which the transducers are located, with the diagonal L of the square and the thickness of the dielectric base d is chosen equal (0,15-0,35)L/n,(0.15-0.35) L / n, nlT/K dnlT / K d .n.n где п 1,N;where n 1, n; Кп - волновое число ПОМСВ в области выборки.Kn is the PMSV wave number in the sample area. 2 о Резонатор по п, 1, отличающийс  тем, что входна  и выходна  линии передачи выполнены коп- ланарными, токонесущий проводник которых соединен с соответствующими по- лосковыми преобразовател ми, а наружные пластины образованы провод щим слоем.2 o A resonator according to claim 1, characterized in that the input and output transmission lines are coplanar, the current-carrying conductor of which is connected to the corresponding strip transducers, and the outer plates are formed by a conductive layer. Входentrance „I0X00„I0X00 / f / f 10-Вход10-Log 0X000x00 Ч ,3H, 3 1one ФигFig 7 N57 N5
SU904855963A 1990-07-31 1990-07-31 Resonator on forward three-dimensional waves SU1737578A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904855963A SU1737578A1 (en) 1990-07-31 1990-07-31 Resonator on forward three-dimensional waves

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904855963A SU1737578A1 (en) 1990-07-31 1990-07-31 Resonator on forward three-dimensional waves

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1737578A1 true SU1737578A1 (en) 1992-05-30

Family

ID=21530301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904855963A SU1737578A1 (en) 1990-07-31 1990-07-31 Resonator on forward three-dimensional waves

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1737578A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1559384, кл„ Н 01 Р 1/218, 1987. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940006926B1 (en) Method of making sam filter
US2747184A (en) Wave refracting devices
US3818379A (en) Acoustic surface wave device
US3518579A (en) Microstrip waveguide transducer
US4167715A (en) Wideband polarization coupler
US4155057A (en) Surface acoustic wave ring filter
US4316161A (en) Wideband low triple transit delay line
EP0044732A2 (en) Acoustic surface wave transducer with improved inband frequency characteristics
US4870312A (en) Surface wave device having anti-reflective shield
US4114119A (en) Wide band low loss acoustic wave device
US3942139A (en) Broadband microwave bulk acoustic delay device
SU1737578A1 (en) Resonator on forward three-dimensional waves
US4242653A (en) Triple transit suppression for bulk acoustic delay lines
EP0855755B1 (en) Dielectric line intersection
JPS6340361B2 (en)
EP0450928A2 (en) Saw reflectionless quarterwavelength transducers
US4777462A (en) Edge coupler magnetostatic wave structures
US3987379A (en) Acoustic surface wave filter having combined split-isolated and split-connected coupler
US3965446A (en) Surface acoustic wave filter
US4472692A (en) Tunable selective device using magnetostatic bulk waves
US4571562A (en) Tunable selective devices based for magnetostatic volume waves
KR100358970B1 (en) Mode Converter
Castera et al. A multipole magnetostatic volume wave resonator filter
JPS625524B2 (en)
US3671887A (en) Delay line