SU1718350A1 - Преобразователь переменного напр жени в посто нное - Google Patents

Преобразователь переменного напр жени в посто нное Download PDF

Info

Publication number
SU1718350A1
SU1718350A1 SU904839425A SU4839425A SU1718350A1 SU 1718350 A1 SU1718350 A1 SU 1718350A1 SU 904839425 A SU904839425 A SU 904839425A SU 4839425 A SU4839425 A SU 4839425A SU 1718350 A1 SU1718350 A1 SU 1718350A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
mos transistor
terminal
source
voltage
gate
Prior art date
Application number
SU904839425A
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Васильевич Игумнов
Владимир Анатольевич Масловский
Иван Михайлович Русак
Original Assignee
Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский институт радиотехники, электроники и автоматики filed Critical Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority to SU904839425A priority Critical patent/SU1718350A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1718350A1 publication Critical patent/SU1718350A1/ru

Links

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и предназначено дл  электропитани  низковольтных интегральных схем. Устройство содержит два МДП-транзистора 1 и 2 с 5 -& ЈГ$76 индуцированным р-каналом и два резистора 3 и 4, второй из которых  вл етс  нагрузочным и первым выводом подключен к выходному выводу и стоку первого МДП- транзистора 1. затвор которого подключен к стоку второго МДП-транзистора 2 и МДП- транзистора 1, затвор которого подключен к стоку второго МДП-транзистора 2 и первому выводу первого резистора 3, второй вывод которого подключен к Общему выводу, второму выводу нагрузочного резистора 4 и затвору второго МДП-транзистора 2, исток и подложка которого соединены между собой . В устройство введены два диода 5 и 6 с барьером Шоттки, первый из которых катодом подключен к подложке первого МДП- транзистора 1, исток которого подключен к аноду первого диода 5, входному выводу и аноду второго диода 6, катод которого подключен к истоку второго МДП-транзистора 2. МДП-транзисторы 1, 2 не могут находитьс  в открытом состо нии при поступлении на вход устройства отрицательных полуволн . Это позвол ет не использовать во входной цепи устройства выпр мительного элемента и исключить потери в этой цепи. 1 ил. 11С -ffv& Ё VJ 00 OJ ел о

Description

1СГ
t
Изобретение относитс  к электротехнике , а именно к преобразовательным устройствам , и предназначено дл  электропитани  низковольтных интегральных схем.
Известны бестрансформаторные преобразователи переменного напр жени  в посто нное, предназначенные дл  электропитани  интегральных схем 1. Такие преобразователи за счет делени  напр жени  на конденсаторах позвол ют понизить выходное напр жение до величин, примен емых в интегральных схемах. Дл  делени  напр жени  конденсаторы зар жаютс  последовательно (от первичного источника), переключаютс  в параллельное соединение и затем разр жаютс  на нагрузку. Дл  коммутации используютс  диоды и транзисторные ключи. Недостатками таких преобразователей  вл етс  большое количество конденсаторов , коммутирующих элементов и устройств.
Известен также преобразователь переменного напр жени  в посто нное на пороговом элементе 2. Он состоит из МДП-транзистора с индуцированным р-ка- налом, к затвору которого подключен один вывод резистора, другой вывод которого подключен к общей шине преобразовател . При положительной полуволне входного напр жени , превышающего пороговое напр жение (напр жение отсечки) МДП-транзистора (по модулю), МДП-тран- зистор открываетс  и на выходе преобразо вател  по вл етс  напр жение в виде положительных полуволн, практически равное амплитуде входного напр жени . Основным недостатком аналога  вл етс  то, что нельз  понизить напр жение на его выходе относительно входного напр жени  (до величин, примен емых дл  электропитани  интегральных схем),
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности  вл етс  преобразователь переменного напр жени  в посто нное 4, содержащий три МДП-транзистора с индуцированным р-каналом и два резистора , второй из которых  вл етс  нагрузоч- ным и первым выводом подключен к выходной клемме и стоку первого МДП- транзистора, исток и подложка которого подключен к истоку с подложкой третьего МДП-транзистора и стоку с подложкой второго МДП-транзистора, исток которого подключен к входной клемме, а затвор - к общей шине, вторым выводам обоих резисторов и затвору третьего МДП-транзистора , сток которого подключен к первому выводу первого резистора и затвору первого МДП-транзистора. Такой преобразователь позвол ет получить на выходной
клемме любую заданную величину напр жени  (меньшую, чем амплитуда входного напр жени  UBX. Недостатком прототипа  вл етс  относительно низкий КПД (при 5 преобразовании небольших напр жений) за счет потерь на выпр мл ющем втором МДП-транзисторе.
Целью изобретени   вл етс  повышение КПД преобразовател .
10 Цельдостигаетс  впреобразователепе- ременного напр жени  в посто нное, содержащем два МДП-транзистора с индуцированным р-каналом и два резистора , второй из которых  вл етс  нагрузоч15 ным и первым выводом подключен к выходному выводу и стоку первого МДП- транзистора, затвор которого подключен к стоку второго МДП-транзистора и первому выводу первого резистора, второй вывод ко0 торого подключен к общему выводу, второму выводу нагрузочного резистора и затвору второго МДП-транзистора, исток и подложка которого соединены между собой, за счет введени  двух диодов с барьером
5 Шоттки, первый из которых катодом подключен к подложке первого МДП-транзистора , исток которого подключен к аноду первого диода, входному выводу и аноду второго диода, катод которого подключен к
0 истоку второго МДП-транзистора.
Указанные отличительные признаки  вл ютс  существенными, так как они не известны из других технических решений и создают в изобретении новое свойство, за5 ключающеес  в следующем.
За счет включени  диодов с барьером Шоттки через МДП-транзисторы могут протекать токи только при поступлении на входной вывод положительных 0Вх. В результате
0 устран етс  необходимость в использовании выпр мительного элемента на МДП- транзисторе (который использован во входной цепи прототипа), а следовательно, уменьшаютс  потери энергии в преобразо5 вателе, что и приводит к повышению КПД.
На чертеже представлена принципиальна  схема преобразовател  переменного напр жени  в посто нное, содержаща  два МДП-транзистора 1 и 2 с индуцирован0 ным р-каналом, два резистора 3 и 4, Два диода 5 и 6 с барьером Шоттки. Резистор 4  вл етс  сопротивлением нагрузки. Входной вывод преобразовател  подключен к анодам диодов 5 и б и истоку МДП-транзи5 стора 1, подложка которого подключена к катоду диода 5. Катод диода 6 подключен к истоку с подложкой МДП-транзистора 2, сток которого подключен к затвору МДП- транзистора 4 и первому выводу резистора
3. Сток МДП-транзистора 1 подключен к выходным выводу и первому выводу резистора (нагрузка) 4, второй вывод которого подключен к затвору МДП-транзистора 2, второму выводу резистора 3 и общему выводу.
Пороговое напр жение МДП-транзи- стора 1 lUoi I Ј-0, а пороговое напр жение МДП-транзистора 2 Uo2 должно превышать (по модулю) UOL Величина Uo2 практически определ ет величину выходного напр жени  преобразовател  1)Вых.
Преобразователь работает следующим образом.
При отрицательной полуволне UBX МДП-транзисторы 1 и 2 закрыты и сигнал не проходит на нагрузку 4. При положительной полуволне UBX МДП-транзистор 1 открываетс , начина  с UBX I Uoi I, и на нагрузке 4 по вл етс  выходное напр жение. При дальнейшем нарастании UBX напр жение на истоке МДП-транзистора 2 достигает и пре- вышает (по модулю) значение Uo2. МДП- транзистор 2 открываетс  и на затворе МДП-транзистора 1 по вл етс  практически такое же напр жение, что и на его истоке . В результате напр жение затвор - исток МДП-транзистора 1 становитс  равным нулю и он закрываетс . При этом прекращаетс  поступление напр жени  на нагрузку 4.
Таким образом, на выходном выводе преобразовател (как и в прототипе)относи- тельно общей шины присутствуют лишь участки положительной полуволны с максимальным напр жением, примерно равным тому значению, при котором закрываетс  МДП-транзистор 1, т.е. Uebix I Uo21.
Основное отличие за вл емого преобразовател  состоит в наличии диодов 5 и 6, благодар  которым МДП-транзисторы 1 и 2 не могут находитьс  к открытом состо нии при поступлении на входной вывод отрица- тельных полуволн. Падение напр жени  на диоде 6 и токи, протекающие в нем, при положительном UBX малы, так что потери энергии в цепи: диод 6 - МДП-транзистор 2 - резистор 3 минимальны (и практически рав- ны потер м подобной цепи в прототипе).
С помощью диода 5 устран етс  протекание тока через p-n-переходы МДП-транзистора 1 при воздействии на его исток как положительного, так и отрицательного UBX. Поскольку диод с барьером Шоттки имеет меньшее напр жение п тки, чем р-п-пере- ход МДП-транзистора, т.е. меньше, чем кремниевый диод 3, то отсутствуют инжек- ционные процессы в МДП-транзисторе 1. Так, пр мое падение напр жени  на диодебсо- ставл ет примерно 0,2 В, а напр жение п тки p-n-перехода исток - подложка МДП-транзистора 1 0,6В. Таким образом, к переходу исток - подложка оказываетс  приложено напр жение меньшее, чем напр жение его п тки, т.е. он смещаетс  в пр мом направлении и через него не протекает ток.
Итак, включение диода 5 с барьером Шоттки позвол ет устран ть (в прототипе) выпр мительный элемент во входной (силовой ) цепи преобразовател , за счет чего и повышаетс  его КПД

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Преобразователь переменного напр жени  в посто нное, содержащий входной, выходной и общий выводы дл  подключени  соответственно источника переменного напр жени  и сопротивлени  нагрузки, два МДП-транзистора с индуцированным р-ка- налом и резистор, причем сток первого МДП-транзистора соединен с выходным выводом , его затвор подключен к стоку второго МДП-транзистора и первому выводу резистора, второй вывод которого подключен к общему выводу и затвору второго МДП-транзистора, исток и подложка которого соединены между собой, отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД, в него введены два диода с барьером Шоттки , первый из которых катодом подключен к подложке первого МДП-транзистора, исток которого соединен с анодом первого диода, входным выводом и анодом второго диода, катод которого подключен к истоку второго МДП-транзистора.
SU904839425A 1990-06-15 1990-06-15 Преобразователь переменного напр жени в посто нное SU1718350A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904839425A SU1718350A1 (ru) 1990-06-15 1990-06-15 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904839425A SU1718350A1 (ru) 1990-06-15 1990-06-15 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1718350A1 true SU1718350A1 (ru) 1992-03-07

Family

ID=21521041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904839425A SU1718350A1 (ru) 1990-06-15 1990-06-15 Преобразователь переменного напр жени в посто нное

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1718350A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Приборы и техника эксперимента, № 4, 1977, с. 193, рис. 1. 2.Игумнов Д.В., Громов И.С. Эксплуатационные параметры и особенности применени полевых транзисторов. М.: Радио и св зь, 1981, с. 43, рис. 44а. 3.Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиев- ский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М,: Сов.радио, 1974, с. 166, рис. 6.1. 4.Авторское свидетельство СССР № 1325644, кл. Н 02 М 7/217, 1985. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0651499B1 (en) AC/DC converter using a non-latch type switching device
US6549439B1 (en) Full wave rectifier circuit using normally off JFETS
JP4347423B2 (ja) 同期整流を用いる電源
US4870555A (en) High-efficiency DC-to-DC power supply with synchronous rectification
US7180762B2 (en) Cascoded rectifier
US11557981B2 (en) Self-biasing ideal diode circuit
US4575642A (en) Control circuit for an integrated device
US6304007B1 (en) Switcher for switching capacitors
US4754388A (en) Regulator circuit for converting alternating input to a constant direct output
US5140509A (en) Regulated bi-directional DC-to-DC voltage converter
US7271505B1 (en) Voltage balancing in intermediate circuit capacitors
US7030680B2 (en) On chip power supply
US5153453A (en) High voltage majority carrier rectifier
US6483369B1 (en) Composite mosfet cascode switches for power converters
US20200119658A1 (en) Bridge circuit for inverter or rectifier
US5686859A (en) Semiconductor switch including a pre-driver with a capacitively isolated power supply
EP1107438A2 (en) Balancing circuit for voltage division between capacitors
JPH0318276A (ja) 交流対直流変換器
US8134847B2 (en) Circuit arrangement and method for converting an alternating voltage into a rectified voltage
SU1718350A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
US5115143A (en) Efficient P-channel FET drive circuit
US11682981B2 (en) Rectifying element and voltage converter comprising such a rectifying element
US7649754B1 (en) Self limiting zero voltage switching power conversion networks
US6400588B1 (en) Non-isolated A.C./D.C. converter
JP3321203B2 (ja) 絶縁型スイッチング回路、シールド機能を持つ絶縁型スイッチング回路および絶縁型スイッチング回路