SU1710657A1

SU1710657A1 - Способ возведени хвостохранилища с противофильтрационным экраном

Info

Publication number: SU1710657A1
Application number: SU904826830A
Authority: SU
Inventors: Виктор Герасимович Мельник; Анатолий Петрович Патиченко; Евгений Владимирович Лычагин
Priority date: 1990-05-21
Filing date: 1990-05-21
Publication date: 1992-02-07

Abstract

Изобретение Относитс к области гидро- техничёскогостроитёльства. Цельизрбрете- ни - снижение трудоемкости и стоимости сооружени хвостохранилища за счет упрощени технологии создани протиаофильт- рационного экрана; На оснований 1 отсыпают первичную дамбу 2 обваловани и производ т по русный намыв крупных фракций грунта 4. Затем намытый грунт разрабатывают транше ми глубиной не менее высоты руса 8 намыва. Вынутый из траншей грунт укладывают во вторичные дамбы 9 рбвалрванй . а траншеи замывают обла-: дающим экранирующими свойствами мелг кими фракци ми rj)yHta 14. При зтом^ замытые траншеи каж^^го пЬследукуцего' руса перекрывают трен шеи предыдущего руса. 5 Ил.^о ///лч-'.'Д.^^у•^ /^•'.'.•::-'^.Tt-v fv/•••.•.'••-Л'Л17 ifГУ^'У'ЛЛУ.-УУ-М/^ 7 • • ^^^^^^^^^^^^^\^.»^^*^*^^^«Т*^.*^.7'*• ' /..\.. . ,..»•,..«. .1/\/' ..'••••-V • .'.••» ••;».••// Ч*. Л ^ *. •••••.'V-•.*.•.•;•:;'^: Л./.•.• .•.v;.v\.v..v-*-::'l ^•;'/^:::-:.^.v.'/::V.^.v8^ -4~-,~T:-^zis^Оо ел41/^ ^v'ш^^ш^тщ'Е:Т:'.уу.'у:-.-;/.'.'.у>& •-•.•.•.•/ ^/у^ /VX /W/ //У' />&у /УУ: .7^иг SУ/^ /ХХ^ \fff ff'

Description

Изобретение относитс к гидротехническому етроительству, в частности к гидравлическому складированию отходов промышленных предпри тий, и может быть использовано при сооружении хвостохранилищ , гидрортвалов, золоотвалов ТЭС.

Цель изобретени - снижение трудоемкости и стоимости сооружени хвостохранилища за счет упрощени технологии создани противофильтрационного экрана.

На фиг,1 показана фаза отсыпки первичной дамбы обваловани и намыва первого руса грунта; на фиг.2 - конечна фаза намыва первого руса грунта, отсыпки дамб обваловани и разработки траншеи; на фиг.З фаза заполнени траншеи мелкими фракци ми грунта; на фиг.4 - фаза намыва второго руса и создани противофильтрационного экрана; на фиг.5 - конечна фаза возведени хвостохранилища и,создани противофильтрационного экрана.

Способ осуществл ют следующим образом .

На основании 1 (фиг.1) отсыпают первичную дамбу 2 обваловани из приводного грунта 3. После этого осуществл ют по русный намыв крупных фракций грунта 4, например отходов обогащени горнообогатительных комбинатов, подава их в виде пульпы 5 через выпуск 6, идущий от пульпопровода 7. После замыва руса 8 и его консолидации приступают к устройству вторичных дамб 9 обваловани из ранее на мытого грунта 4. Дл этого грунт разрабатывают землеройной техникой 10, например шагающим экскаватором, транше ми 11 (фиг.2). Траншеи располагают так, что их ось 12 параллельна оси 13 вторичной дамбы 9 обваловани , при этом глубина L траншей должна быть не менее высоты h руса 8 намытого грунта 4. Вынутый экскаватором из траншеи грунт подают в дамбу 9 (стрелка показывает перемещение вынутого из траншеи грунта в дамбу обваловани ). Если рассто ние между ос ми 12 и 13 соответственно траншеи и вторичной дамбы обваловани превышает двойной вылет стрелы экскаватора, грунт можно складировать в промежуточные отвалы и перемещать в район дамб 9 с помощью дополнительной техники, например бульдозера (не показан). После разработки траншей 11 на всю высоту h руса 8 грунт в дамбе 9 фо{)мируют и планируют бульдозером. Образовавшиес траншеи 11 замыкают обладающими экранирующими свойствами мелкими фракц ми грунта 14, подаваемыми в виде пульпы 15, например, с помощью врезанного в верхней части пульпопровода 7 выпуска 16 (фиг.З).

Окружающа траншею 11 толща крупных фракций грунта 4 выполн ют функцию дренажной подушки, отт гива на себ воду . Это способствует скорейшей водоотдаче и консолидации замытых в траншею мелких фракций грунта. В случае возведени хвостохранилища их однородного грунта замыв траншей может осуществл тьс любым другим грунтом, обладающим экра0 нирующими свойствами.

Послеэтого намывают следующий рус

8, в котором также разрабатывают траншею

11, вынутый из нее грунт укладывают в дамбу

обваловани (фиг.4) и замывают траншею

5 мелкими фракци ми грунта 14. При этом необходимо, чтобы замытые траншеи каждого последующего руса перекрывали траншеи каждого предыдущего руса и при разработке траншей в каждом последующем русе должен вскрыватьс верх замытой , траншеи предь1дущего руса. Только при таких услови х соблюдаетс сплошность формируемого противофильтрационного экрана 17 и обеспечиваетс его

5 надежна работа. Указанную последовательность отсыпки вторичных дамб обваловани , намыв русов грунта и замыва траншей мелкой фракцией грунта осуществл ют по русно до возведени хвостохра0 нилища на полную высоту Н (фиг.5). В результате формируетс противофильтрационный экран 17с заданными свойствами, способствующий понижению депрессионной пoвepxнocfи 18, осушению низового откоса и увеличению устойчивости хвостохранилища.

Пример. Рассмотрим применение предлагаемого способа на примере возведени хвостохранилища горно-обога0 тительного комбината. Пульпа со средневзвешенным диаметром хвостовО,12 мм и консистенцией Т:Ж 1;7 подаетс на намыв ограждающих сооружений отсека по пульпопроводу диаметром 0,7 мм.

5 Разработка траншей и наращивание вторичных дамб по периметру замываемого отсека осуществл етс шагающим экскаватором ЭШ-545 с последующим планированием бульдозером. Высота дамб 7 м,

0 ширина по верху 10 м, заложение откосов 1;1,5. Глубина траншей 8 м. В пульпе ГОКа содержатс до 30% хвостов менее 0,05 мм, т.е. обладающих экранирующими свойствами . Отбором пульпы из верхних точек сечени потока обеспечивают подачу в траншею хвостов с содержанием до 90% фракции менее 0,05 мм. В процессе возведени ограждающих дамб и замыва траншей сформирован вертикальный экран толщиной Вэк. до 10 м, расположенный на рассто нии 40-50 м от низового откоса дамбы . Коэффициент фильтрации экрана Кф 1 .

Claims

Формула изобретени Способ возведени хвостохранилища с лротивофильтрационным зкраном, включа-:ющий образование дамб обваловани из ранее намытого грунта и по русный намыв грунта в пределах вторичных дамб обваловани , отличающийс тем. что, с целыо снижени трудоемкости и стоимости сооружени хвостохранилища за счет упрощени

технологии создани противофильтрационного экрана, образование дамб обваловани осуществл ют путем разработки грунта транше ми глубиной не менее высоты руса намыва, причем траншеи располагают параллельно продольной оси вторичных дамб обваловани , вынутый из траншей грунт укладывают в дамбы обваловани , а траншеи замывают мелкими фракци ми грунта, обла0 дающими экранирующими свойствами, при этом при замывании траншеи-каждого по-, следующего руса перекрывают траншеи предыдущего руса.

/ // А// ///////// ////// /// /// иг.2 ///

,-,....i,-,p,

/// //л /// /// /// у// /// /// ff/ /// V//

- b,.j - « /-: . , i , / . v-V. . л . . . / . //;. %; . / /// 777 /7/ r// ////// f/f f/f ui.fy

777 7T / / rwTT 7C . - .Л i ... ./. :-/ ;/.; ... . « . . « .. vN .... . . -.:. . . л /// / /f/ ff/ / fft fff ///I ///