SU1698912A1 - Способ генерации многозар дных ионов - Google Patents

Способ генерации многозар дных ионов Download PDF

Info

Publication number
SU1698912A1
SU1698912A1 SU894701518A SU4701518A SU1698912A1 SU 1698912 A1 SU1698912 A1 SU 1698912A1 SU 894701518 A SU894701518 A SU 894701518A SU 4701518 A SU4701518 A SU 4701518A SU 1698912 A1 SU1698912 A1 SU 1698912A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
discharge chamber
ions
plasma
energy
electron
Prior art date
Application number
SU894701518A
Other languages
English (en)
Inventor
Константин Саввич Голованивский
Валерий Дондокович Дугар-Жабон
Original Assignee
Университет дружбы народов им.Патриса Лумумбы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Университет дружбы народов им.Патриса Лумумбы filed Critical Университет дружбы народов им.Патриса Лумумбы
Priority to SU894701518A priority Critical patent/SU1698912A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1698912A1 publication Critical patent/SU1698912A1/ru

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)

Abstract

Изобрс.тсчч ртглсмтс  к физике и теч -мке РО ГНЬСК источников, а конкретнее ч способом и устройствам генерации мчогозарчднь-х ионов дн  yi корнтелей эар  °ннъ части--- ч - гом- ньтч исследораичй. Целью нзоСра1енчп  вл емс  увеличение заоетрности no«cs Способ генерации мчогозар дьых ионов включает форм уован е в разр дной камере п% гем ннзко- энсогеткиного электрппчот г вдогь оси М РГТ-ЧО ciicTe- мы, котора  ззм чнутую мнсго- Kacnonvw по ерчьостъ rvrrn po ,п п- нсп кане и. ii -fПУХЦИИ ПОЧЛ ИУЧЛЧ ЗТП1 - cbCUXIVlCTt нагрев пу :& ; вчода С Т-очеаг- ч -этоь в ЛИ ТИН Мч1 Httn- .xi IH, b jVrpqiol ИЗ УСЛОВЧЧ OCyi5er lP ° -« . Г- ОГипдиклотронного ретонс-нга а пеонф рч i разр дной kciKep . г-ч . осулествп чз 1 ip i -еской сие темой экстракпч 2 ь е

Description

Чзобтзет ение о гнос -тс  к фичике и технике ьоннь -с м очпиков, а конкретнее к: способа и ус гене- раики: оз1Р дчьк но юв дл  уско- ригелеч зар  еч п х частиц и атомных исследовании,
Известен способ, реализованный в элекпот о-лиевом источнике мнс- го ар днь ИОЬОР, в чотором многократна  ИО 1 PTV о ПРОИЗВОДИТСЯ
высокоэнер с -чччь v электронным пучV0 , р СПООС rp-il H 04 ЧМСЯ ВДОЛЬ ОДНОРОДНОГО мачни-г огО .
Этот спос )б С1г „тествт че с  при давлени  - р- Зоч-1 о , меньппж
ей 1 10 7торр, когда ран чэто  потери ионов г BVCOKOI KPCI-- ностью ионизации по переча- р дки.
Недостаток состоит р том, что энерги , вклацываеч а  ь эт ектронньП1 пучок, используетс  непосреппвечнт дн  ионизации с крайне а юн ТЛЕНОСТЫО нвиду КОРОТКОГО времени пребывани  злектроьпь в обпаст оЗ диркн иснов. Врем  аропе- м дгенсЬосого птзострангтра (б тс г v пи.57 тО 10 с на много пер 1Пьоч меныле ст еднет-с времени, чепбх пп  пс Учечн tivc ° к но т, Н У ;О
.
ример, при характерной плотности лектронов в пучке he & 10 энергии электронов 20 кэВ дл  полной обдирки атомов аргона требуетс  не менее 2 с. Вследствие этого вводима  а пучок энерги  расходуетс  главным образом на бесполезный разогрев Коллектора электронного пучка, что делает крайне высокой энергетическую цену производимых ионов.
Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ, согласно которому многократна  ионизаци  осуществл етс  в кварцевой камере, помещенной в резонатор и в комбинацию магнито- статического и электромагнитного по25
лей, обладающую замкнутой поверхностью электронного циклотронного резонанса (ЭЦР) и минимумом магнитостатическо- 20 ,го пол  внутри этой поверхности. ь Дл  устойчивого поджига исполь- зуетс  холодна  форплазма, образуе- ма  на конца натекател -каппил ра СВЧ полем.
j Дл  получени  замкнутой ЭЦР-по- (верхности используетс  одно- или мно-1 гокаспова  магнитна  система со , встречными магнитостатическими пол ми или комбинаци  зеркальной магнитной ловушки с поперечной (по отношению к оси зеркальной ловушки) многокас- повой системой (мультиполем). Экстракцию ионов осуществл ют вдоль си- , ловых линий магнитного пол .
Недостатком данного способа  вл етс  низкий выход ионов высокой крат- кости ионизации вследствие процессов перезар дки на нейтральных атомах,
JQ
J5
30
35
поскольку нижний предел давлени ,
при котором еще происходит зажигание разр да, не превышает 5 . Между тем перезар дка становитс  несущественной дл  процессов многократной ионизации атомов лишь при давлени х значительно меньше . 1 Цель изобретени  - увеличение зар дности ионов.
Указанна  цель достигаетс  тем, что низкоэнергетический электронный пучок инжектируетс  в услови х давлени  рабочего газа с 10 торр, когда процессы перезар дки  вл ютс  несущественными.
Причем инжектируемые низкоэнергетические электроны пересекают ЭЦР- поверхность, набирают при этом необходимую дл  глубокой обдирки атомов Поперечную энергию и захватываютс  в
ю 20
98912
Магнитную  му, образу  долгоживущую электронную плазму высокой плотности, внутри  мы электроны совершают осцил- л торные движени , в результате чего их врем  пребывани  в этой области (области обдирки) на много пор дков превышает это же врем  в прототипе, увеличива  so столько же раз веро тJQ йость ионизующего столкновени , что и обеспечивает низкую энергетическую цену иона.
Потери электронов из области удержани  (магнитной  мы) компенсируютс 
J5 непрерывной инжекцией низкоэнергетического электронного пучка. Ионы, которые образуютс  в результате соударений атомов и ионов с высокоэнергетическими электронами, наход тс  в отрицательной потенциальной  ме электронной плазмы, чем и обеспечива-. етс  тем более длительное их удержа5
0
0
5
0
5
0
5
ние, чем выше их зар д, В этих услови х поддержание несамосто тельного разр да и процессы ионизации происходит при давлени х рабочего газа ниже 11СГ7 торр.
Устойчивость плазмы обеспечиваетс  тем что она находитс  в минимуме магнитного пол .
Инжекцию низкоэнергетических электронов и экстракцию ионов осуществл ют вдоль силовых линий магнитного пол  в стационарном или импульсном режимах, причем при импульсной экстракции инжектор электронов должен работать в импульсном режиме, чтобы получить максимальное число частиц в импульсе: при прекращении поступлени  электронов потенциал -плазмы возрастает, что вынуждает ионы покидать область удержани .
На фиг. 1 схематично изображено устройство, реализующее предлагаемый способ;на фиг.21 разрез на фиг. 1.
Устройство содержит алюминиевый вакуумный резонатор 1, который одновременно  вл етс  разр дной камерой (длина 8 см, диаметр 13 см), Магнитное поле зеркальной конфигурации формируетс  электромагнитами, состо щими из катушек 2 посто нного тока и полюсных наконечников 3. Поперечное магнитное поле многокасповой конфигурации создаетс  системой восьми посто нных магнитов9 изготовленных в виде пр моугольных брусков с противоположной намаг ниченностью у соседних брусков (бруски из SmCoj
длиной
10
,2
см и поперечными размерами 2,5x2 см2 с намагниченностью на поверхности 3,5 кГс). Резонатор возбуждаетс  микроволновым генератором 5 мощностью 500 Вт на частоте 2,4 Гц с помощью волновода 6 и согласованной щели 7, прорезанной в одной из стенок резонатора.
Сечение плоскостью рисунка замкнутой ЭЦР-поверхности (характерный размер 5 см) схематически изображено пунктирной линией 8, Электронна  пушка , состо ща  из LaBg, катода 9 и нити косвенного канала 10 расположена в дополнительной камере 11 внутри канала , прорезанного в полюсном наконечнике , Между катодом (диаметр 2 см) и резонатором поддерживаетс  разность потенциалов 100 В дл  инжекции электронов внутрь резонатора (камера обдирки ) . Катод расположен между точкой максимума зеркального магнитного пол  и ЭЦР-поверхностью, котора  отстоит от внутренней стенки резонатора на рассто ние 1,5 см. Двига сь вдоль силовых линий зеркального магнитного пол , электроны пересекали ЭЦР-поверх ность, где приобретают энергию пор дк 10 кэВ и захватываютс  в магнитную  му в центральной области резонатора. Напуск рабочего газа осуществл етс  при помощи натекател  12 через дополнительную камеру. Экстракци  ионов производитс  посредством двухэлект- родной системы 13 через канал, прорезанный во втором полюсном наконечнике .
Проведенные испытани  источника показали, что зажигание несамосто тельного разр да и генераци  много- зар дных ионов происход т при давлении рабочего газа (аргон) вплоть до
0
5
0
минимального давлени , обеспечиваемого вакуумными насосами, равного 1-10 7торр. Использование более совершенной техники позвол ет продвинутьс  в область более низких рабочих давлений. Энергетическа  цена иона Аг8ц составл ла 6- 10 1°7%/ион при времени удержани  электронов
0 20 мс. Испытани  показали, что включение электронной пушки в конструкцию источника позвол ет существенно увеличить (на пор док и более) ток многозар дных ионов (Z S 5) , экстра5 гируемых из источника, при одинаковых ионных энергозатратах.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ генерации многозар дных 0 ионов, включающий формирование плазмы в среде рабочего газа в разр дной камере, в области которой создают с Помощью магнитной системы замкну- тую конфигурацию силовых магнитных
    5 линий Ј многокасповой поверхностью и минимумом величины индукций пол 
    в центре разр дной камеры, нагрев плазмы путем ввода в разр дную камеру СВЧ-энергии, извлечение и формиро вание потока многозар дных ионов, при этом величину магнитной индукции выбирают из услови  осуществлени  электронно-циклотронного резонанса на периферии разр дной камеры, о т- личающийс  тем, что, с целью увеличени  тока многозар дных ионов и эффективности их извлечени , образование плазмы осуществл ют путем инжекцни низхоэнергетичного электронного пучкз в разр дную камеру вдоль оси симметрии замкнутой многокасповой поверхности при давлении рабочего гача менее .
SU894701518A 1989-06-05 1989-06-05 Способ генерации многозар дных ионов SU1698912A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894701518A SU1698912A1 (ru) 1989-06-05 1989-06-05 Способ генерации многозар дных ионов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894701518A SU1698912A1 (ru) 1989-06-05 1989-06-05 Способ генерации многозар дных ионов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1698912A1 true SU1698912A1 (ru) 1991-12-15

Family

ID=21452423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894701518A SU1698912A1 (ru) 1989-06-05 1989-06-05 Способ генерации многозар дных ионов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1698912A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2788955C1 (ru) * 2022-02-28 2023-01-26 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Способ инжекции потока вещества в плазму источника многоразрядных ионов
CN117790260A (zh) * 2024-02-23 2024-03-29 成都菲奥姆光学有限公司 一种调节电磁变量保护放电灯丝的装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Автооское свидетельство СССР 248860, кл. I 05 Ч 1/00, 1967, ГОЛОЙЕНКЕСКИЧ К.С., Цугар-Ка бон БД., РОИШОВ Д.3., Сафонов С.А, Прототип о срег е- гал-ного варианта к ього сижгнчх ионов Ге- лиос-12. ПТЭ, 1Э87, № 2, с. 30-32, *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2788955C1 (ru) * 2022-02-28 2023-01-26 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Способ инжекции потока вещества в плазму источника многоразрядных ионов
CN117790260A (zh) * 2024-02-23 2024-03-29 成都菲奥姆光学有限公司 一种调节电磁变量保护放电灯丝的装置
CN117790260B (zh) * 2024-02-23 2024-04-30 成都菲奥姆光学有限公司 一种调节电磁变量保护放电灯丝的装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5198718A (en) Filamentless ion source for thin film processing and surface modification
US7863582B2 (en) Ion-beam source
US4447732A (en) Ion source
RU2107837C1 (ru) Плазменный двигатель уменьшенной длины с замкнутым дрейфом электронов
US5859428A (en) Beam generator
US6346768B1 (en) Low energy ion gun having multiple multi-aperture electrode grids with specific spacing requirements
EP2485571B1 (en) High-current single-ended DC accelerator
GB2069230A (en) Process and apparatus for producing highly charged large ions and an application utilizing this process
US4859909A (en) Process and apparatus for igniting an ultra-high frequency ion source
US20030006708A1 (en) Microwave ion source
Sortais Recent progress in making highly charged ion beams
SU1698912A1 (ru) Способ генерации многозар дных ионов
Xie et al. Production of high charge state ions with the Advanced Electron Cyclotron Resonance Ion Source at LBNL
Angert Ion sources
Skalyga et al. Status of new developments in the field of high-current gasdynamic ECR ion sources at the IAP RAS
US11810763B2 (en) Distributed ground single antenna ion source
RU2448387C2 (ru) Способ получения пучка ионов высокой зарядности
Sortais Status and development of ECR ion sources
Dougar‐Jabon et al. Influence of an electron‐beam injection on ion charge state distribution in an ECR source at 2.45 GHz
Phaneuf Advanced sources of highly charged ions
Skalyga et al. New developments in the field of high current ECR ion sources at the IAP RAS
SU1102475A1 (ru) Ускоритель ионов
Dougar‐Jabon et al. Project of an ECR source with a stripping stage
Isaila et al. Heavy ions and higher proton currents proposed for the Princeton-Pennsylvania Accelerator
Ames Charge State Boosters for Radioactive Ion Acceleration