SU169599A1

SU169599A1 - ELECTRICALLY CONTROLLED MICROWAVE ATTENUATOR ON A GERMANY PLATE

Info

Publication number: SU169599A1
Application number: SU886705A
Authority: SU

Description

Известны полупроводниковые аттенюаторы СВЧ, в которых инжекци носителей тока используетс дл изменени электропроводности полупроводника, помещенного в волновод, а также аттенюаторы, в которых генерированные светом посто нной интенсивности носители в части германиевой пластинки, расположенной вне волновода, вт гиваютс т нущим полем в образец, частично перекрывающий поперечное сечение волновода. Недостатками таких устройств вл ютс малое вносимое затухание лри значительных токах управлени и однонаправленность. Предлагаемый аттенюатор отличаетс от известных аналогичных устройств тем, что избыточна концентраци неосновных носителей тока на границе пластинки, наход щейс внутри волновода, создаетс инжекцией через лр мосмещенный р-л-переход, а изменение электропроводности части пластинки, поглощающей энергию СВЧ, осуществл етс прот гиванием этих носителей внутрь волновода электрическим полем. При такой конструкции повышаетс крутизна характеристики затухани и возможность управл емости по двум входам. контактами 2-5. Контакты 2-4 омические, контакт 5 выпр мл ющий. К контактам 2, 3 прикладываетс через сопротивление R j напр жение Е от источника Еу, создающее-вдоль пластинки т нущее поле . К контактам 4, 5 прикладываетс через сопротивление R „р напр жение от источника Е„р в пр мом направлении. Пластинка располагаетс таким образом, чтобы внутри волновода 6 находилс участок пластинки без контактов. Плоскость пластинки может быть ориентирована либо перпендикул рно продольной оси волновода, либо вдоль ее. Коэффициент передачи аттенюатора можно измен ть, мен I„ Е . . Предмет изобретени Электрически управл емый СВЧ-аттенюатор на германиевой пластинке, отличающийс тем, что, с целью повышени крутизны характеристики затухани и управл емости по двум входам, на вход устройства включен плоскостной р-«-переход, обеспечивающий неравновесную концентрацию носителей тока, и приложено т нущее электрическое поле, служащее дл изменени электропроводности части пластинки, поглощающей СВЧ-энергию .Microwave semiconductor attenuators are known in which carrier injection is used to change the electrical conductivity of a semiconductor placed in a waveguide, as well as attenuators in which carriers of a constant intensity light generated in a part of a germanium plate located outside the waveguide are pulled by a pulling field into the sample, partially overlapping waveguide cross section. The disadvantages of such devices are low insertion loss and significant control currents and unidirectionality. The proposed attenuator differs from the known similar devices in that the excess concentration of minority carriers at the plate boundary inside the waveguide is created by injection through an irregular rl-junction, and the change in the electrical conductivity of the part of the plate that absorbs microwave energy is produced by these carriers inside the waveguide by the electric field. With this design, the steepness of the attenuation characteristic and the possibility of controllability by two inputs increase. pins 2-5. Contacts 2-4 ohmic, contact 5 rectifying. The contacts 2, 3 are applied through the resistance Rj to the voltage E from the source En, which creates a field along the plate. The contacts 4, 5 apply a voltage across the resistance R р p from the source E р p in the forward direction. The plate is positioned so that inside the waveguide 6 there is a section of the plate without contacts. The plate plane can be oriented either perpendicular to the longitudinal axis of the waveguide, or along it. The attenuator transfer ratio can be changed by changing the i "e. . Subject of the invention Electrically controlled microwave attenuator on a germanium plate, characterized in that, in order to increase the damping characteristic and controllability of two inputs, a planar p - " junction, providing a non-equilibrium carrier concentration, is applied to the device and applied a driving electric field used to change the electrical conductivity of a part of the plate that absorbs microwave energy.

l///jf /////jl /// jf ///// j

5 ч5 h

JVJv

Л/7L / 7

R.R.

np + x- np + x-

ЪB