SU1689874A1 - Устройство дл измерени времени жизни носителей зар да в полупроводниковых образцах - Google Patents
Устройство дл измерени времени жизни носителей зар да в полупроводниковых образцах Download PDFInfo
- Publication number
- SU1689874A1 SU1689874A1 SU864138248A SU4138248A SU1689874A1 SU 1689874 A1 SU1689874 A1 SU 1689874A1 SU 864138248 A SU864138248 A SU 864138248A SU 4138248 A SU4138248 A SU 4138248A SU 1689874 A1 SU1689874 A1 SU 1689874A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ipm
- cylindrical resonator
- signal
- recorder
- circulator
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение может использоватьс дл неразрушающего экспресс-контрол полупроводниковых материалов и позвол ет повыситьчувствительностьи производительность. Пластина исследуемого полупроводникового материала (ИПМ) устанавливаетс в держателе, выполненном в виде цилиндрического резонатора 4 с колебани ми типа Eon, и вл етс одной из его торцовых стенок. На ИПМ поступает через вентиль 2 и циркул тор 3 СВЧ-сигнал от генератора 1. С другого торца цилиндрического резонатора 4 через запредельное отверстие в нем осуществл етс подсветка ИПМ от импульсного источника 6 света. При импульсном освещении измен етс проводимость ИПМ, в результате чего мен етс добротность цилиндрического резонатора 4 и, следовательно, мен етс уровень мощности отраженного от ИПМ сигнала СВЧ-гене- ратора. Отраженный сигнал после детектировани в детекторе 7 и усилени усилителем 8 поступает на регистратор 9. Измерение времени жизни носителей зар да производитс по времени релаксации сигнала, наблюдаемого на экране регистратора 9. 2 ил. (Л С
Description
Фиг J
Изобретение относитс к контрольно- измерительной технике и может быть использовано дл неразрушающего экспресс-контрол полупроводниковых материалов (ППМ).
Цель изобретени - повышение чувствительности и производительности.
На фиг, 1 приведена структурна электрическа схема устройства дл измерени времени жизни носителей в полупроводниковых образцах; на фиг. 2 - конструкци цилиндрического резонатора.
Устройство дл измерени времени жизни носителей зар да в полупроводниковых образцах содержит генератор 1, вентиль 2, циркул тор 3, цилиндрический резонатор 4, три подвижных короткозамы- кающих плунжера 5, импульсный источник 6 света, детектор 7, усилитель 8, регистратор 9.
Полупроводниковый образец 10 закрывает конец цилиндрического резонатора 11, отрезки пр моугольных волноводов 12; запредельное отверстие 13 служит вводом от импульсного источника энергии света.
Устройство работает следующим образом .
От генератора 1 СВЧ-сигнал через вентиль 2 и циркул тор 3 попадает в цилиндрический резонатор 4, одной из стенок которого вл етс исследуемый полупроводниковый образец. В конце цилиндрического резонатора 11 возбуждают колебани типа EOI, причем дл резонансной длины отрезка круглого волновода надлежащее расположение плужнеров в симметрично расположенных трех отрезках пр моугольного волновода практически исключает возбуждение низшего типа колебаний Ни. При импульсном освещении проводимость полупроводникового образца увеличиваетс , что приводит к изменению добротности цилиндрического резонатора 4, а следователь- но, и изменению уровн мощности отраженного СВЧ-сигнала. поступающего через циркул тор 3 на детектор 7 с усилителем 8 на выходе. Измерение времени жизни
носителей зар да производитс по времени релаксации сигнала, наблюдаемого на экране регистратора 9. Практически при длительности заднего фронта излучени
импульсного источника 6 света г 10 не можно контролировать полупроводниковые образцы с временем жизни от 10с и больше в полупроводниковых образцах в виде планок толщиной до 2-5 мкм при удельном
сопротивлении до Ом см, выращенных на подложках с удельным сопротивлением пор дка Ом см. С повышением частоты СВЧ-сигнала глубина скин-сло в подложке уменьшаетс и чувствительность устройства повышаетс /
Длина резонатора I определ етс по формуле
ipea
V (1 -Арез/2,61 Г)2
где Я рез - резонансна длина волны СВЧ- источника; г- радиус резонатора. Дл того, чтобы получить достаточно низкое характеристическое сопротивление круглого волновода длина волны СВЧ-сигнала выбираетс близкой к критическому значению Якр 2,61 г.
Claims (1)
- Формула изобретениУстройство дл измерени времени жизни носителей зар да в полупроводниковых образцах, содержащее последовательно соединенные генератор, циркул тор и держатель, последовательно соединенныедетектор, подключенный к плечу входа отражаемой волны циркул тор, усилитель и регистратор , импульсный источник света, отличающеес тем, что, с целью повышени чувствительности и производительности,держатель выполнен в виде цилиндрического резонатора с типом колебаний EOII, одной из торцовых стенок которого вл етс полупроводниковый образец, втора стенка цилиндрического резонатора имеет запредельное отверстие дл ввода энергии от импульсного источника света.пФаг. 2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU864138248A SU1689874A1 (ru) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | Устройство дл измерени времени жизни носителей зар да в полупроводниковых образцах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU864138248A SU1689874A1 (ru) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | Устройство дл измерени времени жизни носителей зар да в полупроводниковых образцах |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1689874A1 true SU1689874A1 (ru) | 1991-11-07 |
Family
ID=21264138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU864138248A SU1689874A1 (ru) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | Устройство дл измерени времени жизни носителей зар да в полупроводниковых образцах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1689874A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451298C1 (ru) * | 2011-01-12 | 2012-05-20 | ООО Научно-производственная фирма "ЭЛЕКТРОН" | Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках |
| RU2670701C1 (ru) * | 2017-11-08 | 2018-10-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Устройство для измерения угла поворота дроссельной заслонки |
-
1986
- 1986-10-22 SU SU864138248A patent/SU1689874A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Автррское свидетельство СССР № 983595, кл. G 01 R 31/26, 1980. Авторское свидетельство СССР № 347691, кл.С 01 R 27/28, 1971. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451298C1 (ru) * | 2011-01-12 | 2012-05-20 | ООО Научно-производственная фирма "ЭЛЕКТРОН" | Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках |
| RU2670701C1 (ru) * | 2017-11-08 | 2018-10-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Устройство для измерения угла поворота дроссельной заслонки |
| RU2670701C9 (ru) * | 2017-11-08 | 2018-11-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Устройство для измерения угла поворота дроссельной заслонки |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bömmel et al. | Excitation of very-high-frequency sound in quartz | |
| SU1669407A3 (ru) | Способ определени электрически активных примесей в полупроводниковых структурах с р - п-переходом | |
| US3965416A (en) | Dielectric-constant measuring apparatus | |
| US3144601A (en) | Method of discovering and locating the position of localized electrically non-conducting defects in non-conducting materials | |
| US3774717A (en) | Method of and apparatus for particle detection and identification | |
| ATE304T1 (de) | Mikrowellenfeuchtemessgeraet mit umschaltbaren messbereichen. | |
| US3691454A (en) | Microwave cavity gas analyzer | |
| KR100218173B1 (ko) | 전자스핀공명장치 | |
| CN101017145A (zh) | 一种薄层微晶介质材料的光电子特性检测方法及装置 | |
| US3953796A (en) | Method and apparatus for measuring electrical conductivity | |
| SU1689874A1 (ru) | Устройство дл измерени времени жизни носителей зар да в полупроводниковых образцах | |
| US3371271A (en) | Measurement of unpaired electron density | |
| US5030914A (en) | Electron paramagnetic resonance instrument with superconductive cavity | |
| US4774406A (en) | Device for measuring an electrical field by an optical method | |
| US4887037A (en) | Electron spin resonance spectrometer | |
| RU2430383C1 (ru) | Устройство для измерения электрофизических параметров полупроводников бесконтактным свч методом | |
| KR930703602A (ko) | 반도체 물질내 소수 캐리어의 농도 측정 방법 및 그 장치 | |
| RU2318218C1 (ru) | Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках | |
| US3660756A (en) | Frequency sensitive detecting and measuring circuits based on the acoustic electric effect | |
| SU849057A1 (ru) | Устройство дл исследовани фЕРРОМАгНиТНОгО РЕзОНАНСА ТОНКиХМАгНиТНыХ плЕНОК | |
| Sölkner et al. | Phase-preserving imaging of high frequency surface acoustic wave fields | |
| SU519651A1 (ru) | Устройство дл измерени диэлектрической посто нной материалов | |
| SU1180817A1 (ru) | Устройство дл измерени дрейфовой скорости носителей тока | |
| JPS5953703B2 (ja) | 半導体中の少数担体寿命測定方法 | |
| SU1608522A1 (ru) | СВЧ-датчик дл измерени параметров смеси |