SU1675409A1 - Method of obtaining magnetooptic structure - Google Patents
Method of obtaining magnetooptic structure Download PDFInfo
- Publication number
- SU1675409A1 SU1675409A1 SU894736608A SU4736608A SU1675409A1 SU 1675409 A1 SU1675409 A1 SU 1675409A1 SU 894736608 A SU894736608 A SU 894736608A SU 4736608 A SU4736608 A SU 4736608A SU 1675409 A1 SU1675409 A1 SU 1675409A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- single crystal
- substrate
- oriented
- magneto
- order
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов. Обеспечивает повышение воспроизводимости параметров, а также кристаллографического совершенства структуры. Способ включает жидкофазную эпитаксию висмутсодержащей феррит-гранатовой пленки на ориентированную в направлении 112 подложку из монокристалла кальций-ниобий-галлиевого граната . Используют подложку из монокристалла , выращенного в направлении 112. I з. п. ф-лы, 1 табл.The invention relates to electronics and can be used to create elements of magneto-optical devices. Provides increased reproducibility of parameters, as well as crystallographic perfection of the structure. The method includes a liquid-phase epitaxy of a bismuth-containing ferrite-garnet film on a calcium-niobium-gallium garnet single crystal substrate oriented in the direction 112. Use a substrate of a single crystal grown in the direction of the 112. I h. the item f., 1 tab.
Description
Изобретение относитс к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов.The invention relates to electronics and can be used to create elements of magneto-optical devices.
Целью изобретени вл етс повышение воспроизводимости параметров структуры, а также повышение ее кристаллографического совершенства.The aim of the invention is to increase the reproducibility of the parameters of the structure, as well as to increase its crystallographic perfection.
Пример 1. Монокристаллическую булю кальций-ниобий-галлиевого граната КНГГ состава CaaNbi.eeTsGas sTsOo sO выращивают из расплава на ориентированную в направлении 111 затравку того же состава. Интервалы скоростей вращени , позвол ющих поддерживать максимально плоский фронт кристаллизации, определ ют экспериментально в зависимости от конструкции теплового узла и ограничивают 10-50 об/мин. Скорость выт гивани составл ет 3-4 мм/ч.Example 1. A monocrystalline boule of a calcium-niobium-gallium garnet KNHG of the composition CaaNbi.eeTsGas sTsOo sO is grown from melt on a seed of the same composition oriented in the direction 111 in the direction. Intervals of rotational speeds, which allow maintaining a maximally flat crystallization front, are determined experimentally depending on the design of the heat source and are limited to 10-50 rpm. The drawing speed is 3-4 mm / h.
Подложки вырезают параллельно грани 112, предварительно сориентировав кристалл .The substrate is cut parallel to the face 112, after orienting the crystal.
Обработку подложек осуществл ют с финишной химико-механической полировкой до 14-15 класса.The processing of the substrates is carried out with a finish chemical and mechanical polishing up to class 14-15.
Кристаллизацию эпитаксиальной пленки висмутсодержащего феррит-граната провод т по известной методике путем вертикального погружени подложки в переохлажденный раствор-расплав, содержащий РЬО-В2О3-Bi2O3 - Y2O3 - Lu2O3 - Fe2O3-Ga2O3. Проведено последовательное выращивание серии из четырех эпитаксиаль- ных пленок на подложках КНГГ 112. Контроль однородности полученных пленок, их кристаллографического совершенства, осуществл ют путем наблюдени их поверхности и подсчета свет щихс точек в темном поле микроскопа. Воспроизводимость физико-технических параметров исследуют путем измерени величины удельного фара- деевского вращени .The bismuth-containing ferrite-garnet epitaxial film crystallization is carried out according to a known method by vertical immersion of the substrate in a supercooled melt solution containing PbO-B2O3-Bi2O3 - Y2O3 - Lu2O3 - Fe2O3-Ga2O3. A series of four epitaxial films was sequentially grown on CNGG 112. Substrates. The homogeneity of the obtained films, their crystallographic perfection, was monitored by observing their surface and counting the light points in the dark field of the microscope. The reproducibility of the physicotechnical parameters is investigated by measuring the magnitude of the specific Faraday rotation.
Результаты исследовани свойств полученных магнитооптических структур в сравне нии с известными приведены в таблице.The results of the study of the properties of the obtained magneto-optical structures in comparison with the known are given in the table.
Пример 2. Монокристаллическую булю КНГГ состава, указанного в примере 1, выращивают на ориентированную в направлении 112 монокристаллическую затравкуExample 2. Single crystal bulls KNHG composition specified in example 1, is grown on oriented in the direction of 112 single crystal seed
оъ 1about 1
ОтFrom
ЈъЈъ
ОABOUT
СОWITH
того же состава. Режимы выращивани такие же, как и. в примере 1. Из 1000 г шихты выращена бул диаметром 35 мм и массой 700 г. Около 90% фронта кристаллизации занимает плоска грань 112. Подложки вырезают параллельно этой грани без проведени предварительной рентгеновской ориентации. Рентгеновский контроль показал , что ориентаци подложек в пределах измерений была 112. Обработку подложек и наращивание эпитаксиальных пленок провод т так же, как указано в примере 1.the same composition. Cultivation modes are the same as. in example 1. Of the 1000 g of batch, a 35 mm diameter and 700 g bulge was grown. A flat face 112 occupies about 90% of the crystallization front. Substrates are cut parallel to this face without prior X-ray orientation. X-ray inspection showed that the orientation of the substrates within the limits of the measurements was 112. The processing of the substrates and the growth of epitaxial films were carried out in the same manner as indicated in Example 1.
Результаты исследовани полученных магнитооптических структур приведены в таблице.The results of the study of the obtained magneto-optical structures are given in the table.
Как видно из таблицы, предлагаемый способ позвол ет получать магнитооптические структуры с высокой кристаллографической однородностью и воспроизводимостью физико-технических параметров. Кристаллографическое совершенство, в свою очередь, обеспечивает высокое качество получаемых структур. Кроме того, предлагаемый по- соб позвол ет исключить трудоемкую операцию рентгеновской ориентации були при изготовлении подложек.As can be seen from the table, the proposed method allows to obtain magneto-optical structures with high crystallographic uniformity and reproducibility of physico-technical parameters. Crystallographic perfection, in turn, ensures the high quality of the structures obtained. In addition, the proposed method eliminates the time-consuming x-ray operation of the boule during the manufacture of substrates.
Направление 112 определ ет морфологически устойчивую грань соединени структуры граната, устойчивую к трав щему действию висмутсодержащего раствора-расплава . На этой поверхности реализуетс тангенциальный послойный механизм роста, обеспечивающий высокую однородность пленки и воспроизводимость физико-техническихDirection 112 defines a morphologically stable face of a garnet structure compound that is resistant to the herbal action of a bismuth-containing melt solution. A tangential layer-by-layer growth mechanism is realized on this surface, which ensures high film homogeneity and reproducibility of physical and technical properties.
5 параметров.5 parameters.
При выращивании подложечного монокристалла в указанном направлении подложка , вырезанна параллельно поверхности 112, вл ющейс плоской межфазной границей були, не содержит концентрационЮ но напр женных областей неоднородного состава, что обеспечивает высокое качество эпитаксиальной пленки и всей магнитооп15When growing a substrate single crystal in the indicated direction, the substrate cut out parallel to the surface 112, which is the flat interphase boundary of the boule, does not contain concentration but strained regions of non-uniform composition, which ensures high quality of the epitaxial film and the entire magneto-optical
тическои структуры.tic structure
2525
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894736608A SU1675409A1 (en) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | Method of obtaining magnetooptic structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894736608A SU1675409A1 (en) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | Method of obtaining magnetooptic structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1675409A1 true SU1675409A1 (en) | 1991-09-07 |
Family
ID=21469393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894736608A SU1675409A1 (en) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | Method of obtaining magnetooptic structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1675409A1 (en) |
-
1989
- 1989-09-11 SU SU894736608A patent/SU1675409A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Еськов Н. А. и др. Эпитаксиальные пленки феррит-гранатов на подложках Ca3(NbGa)5O|2. - Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, вып. 2, с. 27-30. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cockayne et al. | The dislocation-free growth of gadolinium gallium garnet single crystals | |
| Bäuerle et al. | Laser grown single crystals of silicon | |
| Maserjian | Single-crystal germanium films by micro-zone melting | |
| McPherson et al. | The use of heterogeneous and epitaxial nucleants to promote the growth of protein crystals | |
| US3194691A (en) | Method of manufacturing rod-shaped crystals of semi-conductor material | |
| SU1675409A1 (en) | Method of obtaining magnetooptic structure | |
| Ciszek et al. | Growth and characterization of silicon ribbons produced by a capillary action shaping technique | |
| Nakatani et al. | Crystal form of phosphoric-acid-doped triglycine sulfate | |
| JPS62202528A (en) | Manufacture of semiconductor substrate | |
| Iseler | Advances in LEC growth of InP crystals | |
| Ivleva et al. | The growth of multicomponent oxide single crystals by stepanov's technique | |
| Bhalla et al. | Crystal growth of antimony sulphur iodide | |
| Chao et al. | Top seeded growth of KTiOPO4 from molten tungstate solution | |
| Hemmerling et al. | Real structure investigations of LiNbO3 single crystals grown by the flux method | |
| RU2556114C2 (en) | Method of growing sodium-bismuth molybdate monocrystals | |
| RU2177513C1 (en) | Method of growing silicon monocrystals | |
| RU2067626C1 (en) | Method of growing of monocrystals | |
| Tsukioka et al. | Growth of Uncracked Barium-Sodium Niobate Crystals | |
| Belt et al. | X-ray perfection and residual defects in gadolinium gallium garnet substrates | |
| Maciolek et al. | The growth of low dislocation density Sr 1− x, Ba x Nb 2 O 6 crystals | |
| RU2094549C1 (en) | Method for heat treatment of highly alloyed monocrystals of silicium | |
| Tsedrik et al. | Triglycine sulphate single crystals growing doped with copper and cobalt ions and study of their dielectric properties | |
| SU1684357A1 (en) | Method of growing single crystals of potassium hydrogen phthalate | |
| RU1793014C (en) | Method of determination of error sign for epitaxial film and substrate parameters | |
| SU1633032A1 (en) | Method of producing semiconductor hetero-structures |