SU1670773A1 - Формирователь импульсов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к наносекундной импульсной технике и может быть использовано дл  формировани  импульсов с регулируемой длительностью и задержкой. Цель изобретени  - расширение функциональных возможностей путем обеспечени  независимого управлени  задержкой и длительностью импульсов - достигаетс  тем, что в формирователь введены переменные резисторы 5, 7. Устройство также содержит транзистор 1, диоды 2, 3 с накоплением зар да и резисторы 4, 6. 1 ил.

Description

Изобретение относится к наносекундной импульсной технике и может быть использовано для формирования импульсов с регулируемой длительностью и задержкой.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей формирователя путем обеспечения независимого управления задержкой и длительностью импульсов.

На чертеже приведена принципиальная схема формирователя импульсов.

Формирователь содержит транзистор 1, первый диод 2 и второй диод 3 с накоплением заряда (ДНЗ) и резисторы 4-7. Диод 2 включен между базой транзистора и общим приводом, а, диод 5 - в цепь эмиттера транзистора, катоды диодов 2 и 3 соединены через переменные резисторы 5 и 7 с источником напряжения смещения. Входной сигнал подается через резистор 4 на катод диода 2 и базу транзистора 1. Выходной си< нал снимается с коллектора, который через резистор 6 соединен с источником питания.

Формирователь работает следующим образом.

В исходном состоянии через диоды 2 и 3 протекает прямой ток и переход база эмиттер транзистора 1 закрыт за счет падения напряжения на диоде 2, связанного с протеканием прямого тока. При поступлении через резистор 4 на вход формирователя запирающего перепада напряжения первым переключится диод 2 и вызовет отпирание транзистора 1, что приведет к появлению фронта формируемого импульса в цепи коллектора транзистора ^Возрастание тока транзистора 1 приведет к рассасыванию накопленного заряда в базе диода 3 и его переключению. В результате переключения диода 3 потенциал эмиттера резко возрастает, что приводит к запиранию тран зистора 1 и к формированию спада импульса. Задержка формируемого импульса относительно входного перепада напряжения определяется временем высокой обратной проводимости диода 2. Так как время высокой обратной проводимости ДНЗ определяется величиной прямого тока смещения, то изменяя переменным резистором 5 величину прямого тока, протекающего через диод

2, регулируется задержка формируемых импульсов. Длительность формируемых импульсов определяется временем высокой обратной проводимости диода 3. Поэтому, изменяя переменным резистором 7 величину прямого тока, протекающего через диод

3, независимо регулируется длительность формируемых импульсов.

При необходимости формирования импульсов другой полярности в схеме изменяется полярность включения диодов, используется транзистор другой проводимости и изменяется полярность источников питания на противоположную.

Claims (1)

1. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

   Формирователь импульсов на транзисторе и двух диодах с накоплением заряда, первый диод включен между эмиттером транзистора и общей шиной, второй диод катодом соединен с базой транзистора и с первым резистором, коллектор транзистора соединен с вторым резистором и шиной питания, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него введены два подстроечных резистора, причем первый подстроечный резистор соединен с базой транзистора и с шиной смещения, второй подстроечный резистор соединен с катодом первого диода, эмиттером транзистора и с шиной смещения, анод второго диода соединен с общей шиной.