SU1653087A1 - Магнитна муфта - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике о Цель изобретени  - повышение динамической устойчивости муф- тыо Магнитна  муфта содержит наружную 1 и коаксиальную ей внутреннюю полумуфты, разделенные неподвижным немагнитным металлическим экраном. На наружной 1 и внутренней полумуфте расположены радиально намагниченные посто нные магниты 4 в виде отдельных таблеток„ Число слоев магнитов 4 по длине муфты кратно двум, посто нные магнитны 4 образуют переменно-полюсную магнитную систему в окружном и оксиальном направлени х На наружной 1 полумуфте посто нные магниты 4 расположены в  чеистой обойме 5, выполненной из электропроводного материал а с На полумуфтах размещены магни- топроводы, в частности на наружной полумуфте 1 магнитопровод 70 Магнито- проводы могут быть выполнены составными из колец с шириной, равной длине магнита 4С Выполнение демпфирующей обмотки в виде  чеистой обоймы 5, охватывающей каждый магнит, приводит к увеличению демпфирующего момента при переходных процессах и к повышению динамической устойчивости муфты. 1 з,п„ ф-лы, 3 ил« Л с Ј (/ о ел со о 00 1 фиг з

Description

Изобретение относитс  к электро- i технике, а именно к магнитным экранированным муфтам, и можед1 быть использовано в химической, микробиологической и других отрасл х промышленности дл  привода быстроходного вала герметичного аппарата

Цель изобретени  - повышение динамической устойчивости муфты0

На фиг о 1 показана магнитна  муфта с магнитами переменной пол рности как в окружном, так и в продольном направлении , продольное сечение; на фигс2 - сечение А-А на фиг„ 1; на фиг. 3 - участок наружной полумуфты с  чеистой обоймой„

Магнитна  муфта состоит из наружной полумуфты 1, коаксиальной ей внутренней полумуфты 2, раздел ющего их неподвижного экрана 3 0 Наружна  1 и внутренн   2 полумуфты содержат посто нные анизотропные магниты 4 в виде таблеток с направлением оси легкого намагничивани , перпендикул рном поверхности полумуфт0 Посто нные магниты 4 установлены в виде переменно- полюсной системы (фиг„ 1) Наружна  полумуфта содержит также  чеистую обойму 5 из электропроводного немагнитного материала, при этом каждый магнит наружной полумуфты размещен в отдельной  чейке обоймы Магнитопро- воды 6 и 7 полумуфт 1 и 2 могут быть составными из колец с шириной, равной длине магнитов 4С

Муфта работает следующим образом„ При вращении с помощью какого-либо приводного устройства наружной полумуфты 1 происходит рассогласование взаимного положени  магнитов 4 наружной 1 и внутренней 2 полумуфт0 При этом возникает магнитна  реактивна  сила, обеспечивающа  вращение внутренней полумуфты 2 синхронно с наружной полумуфтой 1 о Герметизирующий металлический немагнитный экран 3 обеспечивает герметизацию полости, в которую передаетс  вращениеt

При вращении 1 и 2 в экране 3 индуцируютс  выходные токи, св занные с пронизывающим экран переменным магнитным полемо Однако благодар  выполнению полумуфт 1 и 3 в осевом направлении в виде переменно-полюсной системы с количеством магнитов 4 по длине кратным двум, ЭДС, наводимые по длине муфты, компенсируют друг друга и суммарна  величина токов вдол

5

0

5

Q

0

5

0

45

50

55

всей длины экрана 3 равна нулю Отношение ЭДС локальных токов к длине их замыкающей мало, а значит и малы локальные вихревые токи в экране 3, что освобождает от необходимости применени  специальных устройств дл  охлаждени  экрана и увеличивает передаваемую мощность с

При резких изменени х в относительном положении полумуфт 1 и 2 в случае разгона или изменени  нагрузки в  чеистой обойме 5, охватывающей каждый магнит 4 наружной полумуфты 1, индуцируютс  токи, пропорциональные скорости изменени  магнитного потока в каждом магните 4„ Возникающие при этом дополнительное магнитное поле увеличивает синхронизирующую силу при увеличении рассогласовани  и уменьшает при уменьшении рассогласовани , т,е„ преп тствует быстрому изменению относительного положени  наружной 1 и внутренней 2 полумуфто

Проведенные исследовани  показали, что по сравнению с прототипом момент в динамических режимах возрастает на 25%, при этом почти в два раза уменьшаетс  температура нагрева экрана

Выполнение демпфирующей обмотки в виде  чеистой обоймы из электропроводного немагнитного материала и размещение элементарных магнитов в  чейках этой обмотки приводит к повышению динамического момента муфты в переходных режимах, поскольку в охватывающих каждый магнит обмотках индуцируютс  токи, компенсирующие изменение магнитных потоков в системе с, Это создает также дополнительные удобства при изготовлении и креплении магнитной системы,, Разделение магнитопровода на кольцевые участки с шириной, равной длине магнитов, позвол ет без увеличени  габаритов муфты снизить потоки рассе ни  между соседними кольцевыми сло ми магнитов вследствие увеличени  магнитного сопротивлени  участка между кольцевыми сло ми за счет удвоени  суммарной ширины зазоров между сло - ми0 Это также приводит к улучшению динамических свойств муфты„

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   1„ Магнитна  муфта, содержаща  наружную и внутреннюю коаксиальные полумуфты , разделенные немагнитным металлическим экраном, обойму на наружной

   Фиг.1

   А -А

   4