SU1641834A1 - Method of manufacturing photoresists - Google Patents

Method of manufacturing photoresists Download PDF

Info

Publication number
SU1641834A1
SU1641834A1 SU884619127A SU4619127A SU1641834A1 SU 1641834 A1 SU1641834 A1 SU 1641834A1 SU 884619127 A SU884619127 A SU 884619127A SU 4619127 A SU4619127 A SU 4619127A SU 1641834 A1 SU1641834 A1 SU 1641834A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
powder
processing time
powders
cds
polymer
Prior art date
Application number
SU884619127A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Магомед Габибулла Оглы Шахтахтинский
Али Иса Оглы Мамедов
Мирза Абдул Оглы Курбанов
Махаммадали Ахмед Оглы Рамазанов
Мусафир Мазаир Оглы Кулиев
Мамед Фарман Оглы Азизов
Муса Абдулали Оглы Нуриев
Original Assignee
Особое Конструкторское Бюро "Регистр" С Опытным Производством Института Физики Ан Азсср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Особое Конструкторское Бюро "Регистр" С Опытным Производством Института Физики Ан Азсср filed Critical Особое Конструкторское Бюро "Регистр" С Опытным Производством Института Физики Ан Азсср
Priority to SU884619127A priority Critical patent/SU1641834A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1641834A1 publication Critical patent/SU1641834A1/en

Links

Landscapes

  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к опто- электронике и может быть использовано дл  создани  фоторезисторов. Изобретение позвол ет повысить фотЪчувст- вительность до значений 910, что достигаетс  смешением порошков полимеров по лиолефинового р да, предварительно обработанных в поле барьерного разр да при нормальном атмосферном давлении, относительной влажности воздуха 57% и частоте пол  50-100 Гц с напр женностью пол  The invention relates to optoelectronics and can be used to create photoresistors. The invention makes it possible to increase the photosensitivity to values of 910, which is achieved by mixing polymer powders in a linolefin series, previously treated in the field of barrier discharge at normal atmospheric pressure, 57% relative humidity and a field frequency of 50-100 Hz.

Description

Изобретение относитс  к оптоэлект- ронике и может быть использовано дл  создани  фоторезисторов.The invention relates to optoelectronics and can be used to create photoresistors.

Цель изобретени  - повышение фоточувствительности композиционных фото- резисторов,The purpose of the invention is to increase the photosensitivity of composite photoresistors,

Способ осуществл ют следующим образом .The method is carried out as follows.

Полимерный порошок обрабатывают электрическим разр дом в воздушной среде при атмосферном давлении и комнатной температуре.The polymer powder is electrically discharged in air at atmospheric pressure and at room temperature.

На чертеже показана установка дл  обработки порошка.The drawing shows a powder treatment plant.

Установка содержит кварцевую пробирку диаметром 15 мм с толщиной стенок 1 мм, на поверхность которойThe apparatus contains a quartz test tube with a diameter of 15 mm and a wall thickness of 1 mm, to the surface of which

нанесен заземленный электрод 2, при этом высоковольтный электрод 3 диаметром 2 мм пропущен в пробирку через фторопластовую втулку 4, которые обеспечивают соосность электродов и их электрическую изол цию. между электродом 3 и внутренней поверхностью пробирки заполн ют полимерным порошком. Электрический разр д возникает в системе высоковольтный элект род - воздушный зазор, заполненный порошком, - кварцева  стенка пробирки - заземленный электрод. Т.к. емкость зазора, заполненного порошком, меньше емкости кварцевой стенки, то приложенное переменное высокое напр жение частотой 50 Гц падает практически на зазор. Толщина сло  полимера при обработке не играет роли, так как интенсивность обработки определ етс  напр женностью электрического пол  (1,0-2,5) Е„, а не толщиной полимерного сло . Частицы порошка полимера имеют средний диаметр 1-10 мкм. Разр д возникает в воздушных микропрослойках между частицами порошка.a grounded electrode 2 is applied, while a high-voltage electrode 3 with a diameter of 2 mm is passed into the tube through a fluoroplastic sleeve 4, which ensure the coaxiality of the electrodes and their electrical insulation. between the electrode 3 and the inner surface of the tube is filled with polymeric powder. An electrical discharge arises in a high-voltage electrode system — an air gap filled with powder — a quartz wall of a test tube — a grounded electrode. Because the capacity of the gap filled with powder is less than the capacity of the quartz wall, then the applied alternating high voltage with a frequency of 50 Hz falls almost on the gap. The thickness of the polymer layer during processing does not play a role, since the intensity of processing is determined by the intensity of the electric field (1.0-2.5) E, and not the thickness of the polymer layer. The particles of polymer powder have an average diameter of 1-10 microns. The discharge occurs in the air micro-gaps between the powder particles.

Разр д, возникающий в указанной системе т.е. при наличии, кроме воздушного зазора, еще диэлектрического барьера (кварцева  стенка), назы- ваетс  барьерным разр дом. Затем при определенном объемном соотношении смешивают обработанный полимерный порошок и фотопроводник, получают смесьо Из смеси прессуют образцы в виде дисков толщиной 80 мкм и диаметром 10 мм при давлении 10-15 МПа и температуре 443-493 К, Образцы выдерживают под давлением в течение 10 мин, а затем охлаждают в воде со скоростью 2000 град/мин до комнатной температуры. Температурный интервал прессовани  зависит от величины температуры плавлени  выбранного полимера дл  каждой конкретной композиции В процессе прессовани  к образцам припрессовывают электропровод щие стекла. Темновой и световой ток измер ют с помощью электрометрического усилител  Образец освещают через один из электродов белым светом от лампы накаливани . Интенсивность света 6,3 мВт/см2.The discharge arising in the specified system i.e. if there is, in addition to the air gap, another dielectric barrier (quartz wall), it is called the barrier discharge. Then, at a certain volumetric ratio, the treated polymer powder and photoconductor are mixed; a mixture is obtained. The mixture is pressed into samples in the form of disks with a thickness of 80 μm and a diameter of 10 mm at a pressure of 10-15 MPa and a temperature of 443-493 K. The samples are held under pressure for 10 minutes and then cooled in water at a rate of 2000 degrees / min to room temperature. The temperature range of the extrusion depends on the melting point of the selected polymer for each specific composition. During the extrusion process, electrically conducting glasses are pressed into the samples. Dark and light currents are measured using an electrometric amplifier. The sample is illuminated through one of the electrodes with white light from an incandescent lamp. Light intensity 6.3 mW / cm2.

Изобретение иллюстрируетс  следующими примерами.The invention is illustrated by the following examples.

Пример t. Полимерный порошок полиэтилена высокой плотности (ПЭВП) смешивают с порошком полупроводниковы фотопроводников CdS (40 об,%). Из смеси получают образцы гор чим прессованием при 453 К   давлении 15 МПа в течение 5 .мин, фоточувствительность образцов составл ет 1С/1Г .Example t. Polymeric powder of high density polyethylene (HDPE) is mixed with CdS semiconductor photoconductor powder (40% by volume). Samples are obtained from the mixture by hot pressing at 453 K at a pressure of 15 MPa for 5 minutes. The photosensitivity of the samples is 1 C / 1 G.

Пример 2, Полимерный порошок ПЭВП, обработанный электрическим разр дом в течение 30 мин, смешивают с порошком CdS (40 об.%). Услови  получени  образцов идентичны примеру 1 . Фоточувствительность составл  ет О ЧО4 .Example 2 Polymer powder HDPE treated by electric discharge for 30 minutes is mixed with CdS powder (40% by volume). The conditions for obtaining the samples are identical to Example 1. Photosensitivity is O CHO4.

В табл. 1 приведены значени  фоточувствительности при различном времени разр дной обработки дл  композиции ПЭВП + CdS (40 об.%).In tab. Figure 1 shows the photosensitivity values at various discharge treatment times for a HDPE + CdS composition (40% by volume).

00

5five

5 five

5five

00

Напр женность пол  во всех примерах составл ет 2 Е Пр (где Епр - пробивна  прочность воздуха).The intensity of the field in all examples is 2 E Pr (where Epr is the breakdown strength of the air).

Пример 3. Полимерный порошок полипропилена (ПП) смешивают с порошком CdSe (40 об.%). Из смеси получают образцы гор чим прессованием при 473 К и давлении 15 Ша диаметром 10 мм, толщиной 80 мкм. Фоточувствительность равна 640 .Example 3. Polymer powder of polypropylene (PP) is mixed with CdSe powder (40% by volume). Samples are obtained from the mixture by hot pressing at 473 K and a pressure of 15 Sha with a diameter of 10 mm and a thickness of 80 μm. Photosensitivity is 640.

Пример 4. Полимерный порошок ПН, обработанный электрическим разр дом в течение 30 мин, смешивают с порошком CdSe (40 об.%). Услови  получени  образцов идентичны примеру 1. Фоточувствительность составл ет 9-4 -104.Example 4. Polymeric powder, MO, treated with electric discharge for 30 minutes, is mixed with CdSe powder (40% by volume). The conditions for obtaining the samples are identical to Example 1. The photosensitivity is 9-4-104.

В табл. 2 приведены значени  фоточувствительности при различном времени разр дной обработки дл  композиции ПП + CdSe (40 об.%).In tab. Figure 2 shows the photosensitivity values at different discharge treatment times for the PP + CdSe composition (40 vol.%).

В табл. 3 приведены значени  Ic/If дл  композитов ПЭВП + CdS (40 об.%) при различных средних размерах частиц полимера.In tab. Figure 3 shows the Ic / If values for HDPE + CdS composites (40 vol.%) For different average particle sizes of the polymer.

В табл. 4 приведены значени  отношени  IC/IT при различных времени обработки полимера в разр де при частоте 50 и 100 Гц дл  композиции ПЭВП + CdS (40 об.%). Остальные данные приведены в табл. 5-8,In tab. Figure 4 shows the IC / IT ratio for various polymer processing times in a discharge at a frequency of 50 and 100 Hz for a HDPE + CdS composition (40% by volume). The remaining data is given in Table. 5-8,

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ получени  композиционных фоторезисторов путем смешивани  полимерного порошка с порошком фотопроводника и гор чего прессовани  полученной смеси при температуре плавлени  полимера, отличающийс  тем, что, с целью повышени  фоточувствительности, в качестве полимеров используют порошки полиолефинов, а в качестве фотопро- водника - порошки CdS или CdSe при соотношении компонентов, об.%: ПолиолеЛин60The method of obtaining composite photoresistors by mixing polymer powder with photoconductor powder and hot pressing the resulting mixture at the melting point of the polymer, characterized in that, to increase photosensitivity, polyolefin powders are used as polymers, and CdS or CdSe powders are used as polymers with a ratio of components, vol.%: Polyolelin60 Порошки CdS или CdSe 40 причем сначала порошок полиолефина обрабатывают в поле барьерного разр да при нормальном атмосферном давлении , относительной влажности воздуха 57% и частоте пол  50-100 Гц с напр женностью пол , равной (1,0CdS or CdSe 40 powders, and first, the polyolefin powder is treated in a barrier discharge field at normal atmospheric pressure, 57% relative humidity and a floor frequency of 50-100 Hz with a field strength of (1.0 „р, где ЕПр - пробивна  проч2 ,5) Е„P, where EPR is penetrative2, 5) E ность воздуха при указанных выше услови х, в течение 1,5-2,5 ч с последующим смешением компонентов.air under the above conditions for 1.5-2.5 hours, followed by mixing the components. Таблица fTable f Врем  обработки , чProcessing time, h О0,51,01,52,03,04,0O0,51,01,52,03,04,0 1С/1Т1C / 1T 8.104 9,4-10 3-10 5-10 9 -10Г б-Ю5 200s8.104 9.4-10 3-10 5-10 9 -10G b-Yu5 200s Врем  обработки , чProcessing time, h ТаблицаTable О I 0,51,01,5 | 1,75 Т 2 1 2,5 Т 3 IAbout I 0,51,01,5 | 1.75 T 2 1 2.5 T 3 I 5-Ю4 8-Ю4 1 -10s it -1055-Ю4 8-Ю4 1 -10s it -105 SHO4 9-Ю4 1,8МО&5-Юе 8,Ы05 7 -10б 5,4-10SHO4 9-U4 1.8MO & 5-Yue 8, Y05 7 -10b 5.4-10 8-10 6-Ю5 8-10 6-U5 Давление , атмPressure, atm 0,50.5 1one 22 Врем  обработки, ч Processing time, h О °.5 | I f 1-5 j 2 225 25 3 O ° .5 | I f 1-5 j 2 225 25 3 5-Ю4 7-Ю49-Ю45-Ю4 7-Ю49-Ю4 2,5-Юе2.5-Yue 5-Ю4 8-Ю41-Ю5 4-105-Ю4 8-Ю41-Ю5 4-10 5-105-10 1,5-Ю55-Ю5 7,9-Ю5 7.2М051,5-Ю55-Ю5 7,9-Ю5 7.2М05 6-Ю5 7,8106 6,«-10е 8-10s6-U5 7,8106 6, "-10e 8-10s 6 10S 2-105 Ю5 4,8- 10s .Т,°С6 10S 2-105 Ю5 4,8-10s .Т, ° С Врем  обработки, чProcessing time, h 11Ј i 11Ј i 20 5«104 10Г 4ЧО20 5 "104 10Г 4ЧО ....--8 10s 6-Ю5 2Ч05....-- 8 10s 6-Ю5 2Ч05 60 5-10f2«105 6.10 .Ю5 5И05 ЫО560 5-10f2 "105 6.10 .Y5 5I05 YO5 Таблица 2table 2 Таблица 3Table 3 Таблица 4 4Table 4 4 5 Т 3 I5 T 3 I 7 -10б 5,4-107-10b 5.4-10 8-10 6-Ю5 2-Ю5 t 10Таблица 58-10 6-Ю5 2-Ю5 t 10 Table 5 7,8106 6,«-10е 7.8106 6, "- 10e 6 10S 2-105 Ю5 4,8- 10s Таблица 66 10S 2-105 Ю5 4,8- 10s Table 6 Влажность ,Humidity 5-10 5.10«5-10 5.10 " 7,8-10 4,2-Ю5 8.104 4,10s 8/104 4,1-К5 7.8-10 4.2-U5 8.104 4.10s 8/104 4,1-К5 1 5 Е пр1 5 Е pr 2ЕПР 2,5 Епр2EPR 2.5 EPR SHOf 6,8 Ю4 S.S to 1 З ЮSHOf 6.8 S4 S.S to 1 W S .. 1 . 105one . 105 1.10s 4 10б1.10s 4 10b 6,440s 7,8 МО 7МО8-1«:6,440s 7.8 MO 7MO8-1 ": 6МО6MO 3-10Э 2МОе3-10E 2MO 6,3tlO 8,2-10s 7,9 -10s 6,2-lJS 4 -105 b10J6,3tlO 8,2-10s 7,9 -10s 6,2-lJS 4 -105 b10J Таблица 7Table 7 8.10Ь 5,8-Ю5 2,1MOS8.10Ь 5,8-Ю5 2,1MOS ОЧО5 бИО5 2«10ЈOCHO5 BIO5 2 “10Ј 8,2«10 6, 1,8.10Ј8.2 "10 6, 1.8.10Ј Таблица 8Table 8 6,440s 7,8 МО 8-1«:6,440s 7.8 MO 8-1 ": 7,9 -10s 6,2-lJS 7.9 -10s 6.2-lJS S/iS / i
SU884619127A 1988-01-13 1988-01-13 Method of manufacturing photoresists SU1641834A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884619127A SU1641834A1 (en) 1988-01-13 1988-01-13 Method of manufacturing photoresists

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884619127A SU1641834A1 (en) 1988-01-13 1988-01-13 Method of manufacturing photoresists

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1641834A1 true SU1641834A1 (en) 1991-04-15

Family

ID=21414648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884619127A SU1641834A1 (en) 1988-01-13 1988-01-13 Method of manufacturing photoresists

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1641834A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2827753C1 (en) * 2024-05-31 2024-10-01 Федеральное государственное бюджетное образовательно учреждение высшего образования "Уфимский университет науки и технологий" Thin-film organic photoresistor of ultraviolet radiation

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Navneet and P.К.С. Filial. A Study of the photoconductinc properties od Hg/Cd (S.Se):Cu mixed pictnentrensin System. I.Electrostatics, 16(1984), If 1, p. 21-31. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2827753C1 (en) * 2024-05-31 2024-10-01 Федеральное государственное бюджетное образовательно учреждение высшего образования "Уфимский университет науки и технологий" Thin-film organic photoresistor of ultraviolet radiation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Deng et al. Role of the size of particles of alumina trihydrate filler on the life of RTV silicone rubber coating
Stancu et al. Space charge and electric field in thermally aged multilayer joints model
ATE280806T1 (en) ALKOXYSILANE AND ORGANIC POLYMER COMPOSITIONS FOR PRODUCING THIN INSULATING LAYERS AND THEIR USE
Fréchette et al. Polymer composites with a large nanofiller content: a case study involving epoxy
An et al. Comparative study on direct fluorination and surface properties of alumina-filled and unfilled epoxy insulators
IL125564A0 (en) Materials having high electrical conductivity at room temperature and methods for making same
SU1641834A1 (en) Method of manufacturing photoresists
Zhou et al. Enhanced surface insulation of micron alumina/epoxy composites brought by plasma co‐hydrothermal fluorination of filler
Pradeep et al. Effect of ATH content on electrical and aging properties of EVA and silicone rubber blends for high voltage insulator compound
Zhang et al. Mechanical properties of high-temperature vulcanized silicone rubber under acid-fog with AC energized
Atkinson et al. Surface component of vacuum absorption and resorption currents in polymers. I. Origin and magnitude
Hedvig Electron spin resonance study of radiation degradation of polytetrafluoroethylene
Gamez-Garcia et al. Modification of XLPE exposed to partial discharges at elevated temperature
Sekii et al. A study on the space charge formation in XLPE
Kireche et al. Experimental study of polymethyl methacrylate: damage under corona discharge
Gao et al. Interfacial microstructure and withstand voltage of polyethylene for power cables
Morsalin et al. Influence of cavity geometry on partial discharge measurement at very low frequency
Chiu A luminescent and fluorescent region associated with prebreakdown and breakdown in n-hexane
Collins et al. Development and evaluation of a new product line of silicone elastomers for high voltage applications. Part 2
Syakur Morphological study of epoxy resin after electrical tracking
Mammone et al. Increased breakdown strengths of polypropylene films melt‐extruded from plasma‐treated resin
Thue et al. The Origin and Effect of Small Discontinuities in Polyethylene Insulated URD Cables
RU2696623C1 (en) Method of producing polymer electret
JPS5857448A (en) Anti-treeing ethylene polymer composition
Hosticka Insulating Characteristics of Dimethyl Silicone in Bare and Insulated Uniform Field Gaps