SU1626272A1

SU1626272A1 - Phase shifter

Info

Publication number: SU1626272A1
Application number: SU884645649A
Authority: SU
Inventors: Олег Креонидович Сизиков; Аркадий Яковлевич Лехциер
Original assignee: Организация П/Я В-8942
Priority date: 1988-08-01
Filing date: 1988-08-01
Publication date: 1991-02-07

Abstract

Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано дл управлени фазой электромагнитных колебаний. Целью изобретени вл етс снижение паразитной амплитудной модул ции и неравномерности фазочастотной характеристики Фазовращатель содержит отрезок 1 поло- сковой линии передачи, включающий экран 2, первый и второй полосковые проводники 3 и 4, расположенные параллельно в одной плоскости, одни их ребра разделены зазором 5, в котором установлены полупроводниковые диоды 6 на рассто нии I один от другого и подключены первыми электродами к второму, а вторыми - к первому полосковым проводникам 3 и 4 соответственно. Другое ребро второго полоскового проводника 4 по всей своей длине соединено с экраном 2. Рассто ние W между другими ребрами первого и второго полосковых проводников 3 и 4. а так- i же величина I выбраны из соотношений Ai/12 I Ai/6 , W Я2/4 , где Ai иЯг - длины Т-типа в отрезке 1 на верхней и нижней рабочих частотах соответственно. При закрытых полупроводниковых диодах 6 в отрезке 1 распростран етс электромагнитна волна Т-типа, а при открытых - Н-типа. Отличие дисперсионных характеристик этих волн обеспечивает разностный фазовый сдвиг в полосе частот. Изменение числа одновременно включенных диодов 6 измен ет величину вносимого фазовращател разностного фазового сдвига 1 ил сл сThe invention relates to radio engineering and can be used to control the phase of electromagnetic oscillations. The aim of the invention is to reduce the parasitic amplitude modulation and the non-uniformity of the phase-frequency characteristic. The phase shifter contains a segment 1 of the transmission line, including screen 2, the first and second strip conductors 3 and 4, arranged in parallel in the same plane, some of their edges are separated by a gap 5, in semiconductor diodes 6 are mounted at a distance I from one another and connected by the first electrodes to the second, and the second to the first strip conductors 3 and 4, respectively. Another edge of the second strip conductor 4 is connected with shield 2 along its entire length. The distance W between the other edges of the first and second strip conductors 3 and 4. Also, the value I is chosen from the ratios Ai / 12 I Ai / 6, W Я2 / 4, where Ai and Yag are T-type lengths in segment 1 at the upper and lower operating frequencies, respectively. With closed semiconductor diodes 6 in section 1, an electromagnetic T-type wave propagates, and with open semiconductor diodes 6, an electromagnetic T-type wave propagates, and with open semiconductor diodes 6, an H-type propagates. The difference in the dispersion characteristics of these waves provides a difference phase shift in the frequency band. A change in the number of simultaneously switched on diodes 6 changes the value of the phase shifter introduced by the difference phase shift 1 or after

Description

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для управления фазой электромагнитных колебаний.The invention relates to radio engineering and can be used to control the phase of electromagnetic waves.

Целью изобретения является снижение паразитной амплитудной модуляции и неравномерности фазочастотной характеристики.The aim of the invention is to reduce spurious amplitude modulation and uneven phase-frequency characteristics.

На чертеже показана конструкция фазовращателя.The drawing shows the design of the phase shifter.

Фазовращатель содержит отрезок 1 полосковой линии передачи, включающий экран 2, первый 3 и второй 4 полосковые проводники, расположенные параллельно в одной плоскости, одни их ребра разделены зазором 5, в котором установлены полупроводниковые диоды 6 на расстоянии I один от другого и подключены первыми электродами к второму, а вторыми - к первому полосковым проводникам 4 и 3 соответственно. Другое ребро второго полоскового проводника 4 по всей своей длине соединено с экраном 2. Расстояние W между другими ребрами первого и второго полосковых проводников 3 и 4, а также величина I выбраны из соотношений λι/12 < I < Λι/6 , W =Λ₂/4 , где Λι и λΐ - длины волн Т-типа в отрезке 1 на верхней и нижней рабочих частотах соответственно.The phase shifter contains a segment 1 of the strip transmission line, including the shield 2, the first 3 and second 4 strip conductors located in parallel in one plane, one of their ribs separated by a gap 5, in which semiconductor diodes 6 are installed at a distance I from one another and connected by the first electrodes to second, and second - to the first strip conductors 4 and 3, respectively. The other edge of the second strip conductor 4 is connected along the entire length with the shield 2. The distance W between the other edges of the first and second strip conductors 3 and 4, as well as the value I, are selected from the relations λι / 12 <I <Λι / 6, W = Λ ₂ / 4, where Λι and λΐ are the T-type wavelengths in segment 1 at the upper and lower working frequencies, respectively.

Фазовращатель работает следующим образом.Phaser is as follows.

При закрытых полупроводниковых диодах 6 в отрезке 1 распространяется электромагнитная волна Т-типа. Длина А_т этой волны на частоте f равнаWhen semiconductor diodes 6 are closed, a T-type electromagnetic wave propagates in segment 1. The length A _{t of} this wave at a frequency f is

А_т = ( f аЛбф · μ ) , где т_Эф - эффективная диэлектрическая проницаемость:And _t = (f aLbf · μ), where t _e f - effective dielectric constant:

μ - магнитная проницаемость.μ is the magnetic permeability.

На участке отрезка 1 длиной (₀ электромагнитные колебания приобретают фазовый сдвиг φ\ = 2 л Ιο А г'.On a section of segment 1 of length ( _0, electromagnetic oscillations acquire a phase shift φ \ = 2 l Ιο A g '.

При открытых полупроводниковых диодов 6 в отрезке 1 распространяется электромагнитная волна Н-типа, что обеспечивается выбором ширины \Ν. Длина Я_н такой волны на той же частоте равнаWith open semiconductor diodes 6 in segment 1, an H-type electromagnetic wave propagates, which is ensured by the choice of the width \ Ν. The length I _{n of} such a wave at the same frequency is

Ян — λι [ 1 - А т/( 2 Зэке )² ] , где а₃кв размер широкой стенки эквивалентного прямоугольного волновода.Jan - λι [1 - A t / (2 Zeke) ² ], where a ₃ kv is the size of the wide wall of the equivalent rectangular waveguide.

На участке отрезка 1 длиной 1₀ электромагнитные колебания имеют фазовый сдвиг у?2 ~ 2 Л 1о Л нIn the section of section 1 of length 1 _{0, the} electromagnetic oscillations have a phase shift of? 2 ~ 2 L 1 _° L n

Таким образом, при изменении состояния полупроводниковых диодов 6 обеспечивается разностный фазовый сдвигThus, when the state of the semiconductor diodes 6 changes, a differential phase shift is provided

А ³ A ³

----- ^Т ..... л +...].----- ^T ..... l + ...].

8(2 Ээкв ) частотная зависимость которого, в значительной мере, определяется параметрами Ээкв, зависимым от величины I. При выбранных значениях I обеспечивается минимальная зависимость величины разностного фазового сдвига от частоты.8 (2 EEC), the frequency dependence of which is largely determined by the EEC parameters, which depend on the value I. For the selected values of I, the minimum dependence of the value of the difference phase shift on the frequency is provided.

Изменение числа одновременно включенных полупроводниковых диодов 6 обеспечивает изменение длины 1₀ и, тем самым, величины вносимого фазовращателем разностного фазового сдвига.A change in the number of simultaneously connected semiconductor diodes 6 provides a change in length 1 ₀ and, thereby, the magnitude of the difference phase shift introduced by the phase shifter.

<<

Claims

Claim

Phase shifter containing a segment of a strip transmission line including a screen, first and second strip conductors arranged in parallel, and semiconductor diodes connected by the first electrodes to the second strip conductor and placed along it, characterized in that, in order to reduce spurious amplitude modulation and unevenness phase-frequency characteristic, the second strip conductor is located in the same plane with the first strip conductor, some of their ribs are separated by a gap, and the other edge of the second oloskovogo conductor along its entire length is connected with the screen, the semiconductor diodes are mounted in the gap at a distance I from each other and connected to the second electrodes to the first strip conductor, the distance W between the other edges of the first and second strip conductors, as well as the quantity I is selected from ratios of

Λι / 12 <I <Λι / 6: W = A _2/4, where Ai and - wavelengths of T-type segments stripline transmission line at the upper and lower operating frequencies respectively.