SU1624549A1 - Method for manufacture of contact plating of contacting parts of magnetically-controlled hermetically sealed contacts - Google Patents
Method for manufacture of contact plating of contacting parts of magnetically-controlled hermetically sealed contacts Download PDFInfo
- Publication number
- SU1624549A1 SU1624549A1 SU884665463A SU4665463A SU1624549A1 SU 1624549 A1 SU1624549 A1 SU 1624549A1 SU 884665463 A SU884665463 A SU 884665463A SU 4665463 A SU4665463 A SU 4665463A SU 1624549 A1 SU1624549 A1 SU 1624549A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- magnetically
- contacts
- increase
- contact
- substrates
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Contacts (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии изготовлени мзгнитоуправл емых контактов. Цель изобретени - повышение контактов за счет стабилизации величины переходного сопротивлени процесса эрозии приповерхностных слоев подложек контакт-дета- теи из магнитом гкого материала. В подложки контакт-деталей из магнитом гкого материала имплантируют ионы азота с энергией 104 - 2 -10 эВ и дозой электрофи- зичес их свойств подложек, привод щие к ограничению диффузии материала подложки в контактирующий слой из сплава на основе благородных металлов. Это преп тствует образованию на контактирующих поверхност х непровод щих пленок. При этом стабилизируетс значение переходного сопротивлени , что позвол ет повысить надежность и увеличить срок службы герконов. Имплантированные азотом подложки можно использовать в магнитоуправл емых контактах как без применени контактирующего покрыти на основе сплава из благородных металлов, так и с покрытием , толщина которого не превышает 50% от толщины, общеприн той в известных технологи х ЈThe invention relates to the manufacturing technology of anti-knit contacts. The purpose of the invention is to increase the contacts by stabilizing the magnitude of the transition resistance of the erosion process of the near-surface layers of contact parts made of magnetically soft material. Nitrogen ions with energies of 104–2–10 eV and a dose of electrophysical properties of the substrates are implanted into the contact parts made of magnetically soft material, limiting the diffusion of the substrate material into the contacting layer of an alloy based on noble metals. This prevents the formation of non-conductive films on the contacting surfaces. At the same time, the transient resistance value is stabilized, which allows to increase the reliability and increase the service life of the reed switches. Nitrogen-implanted substrates can be used in magnetically controlled contacts without the use of a contacting coating based on an alloy of noble metals, or with a coating whose thickness does not exceed 50% of the thickness commonly used in known technologies
Description
Изобретение относитс к электротехнике , а именно к технологии изготовлени мэг- нитоуправл емых контактов.The invention relates to electrical engineering, in particular, to the technology of making magnetically controlled contacts.
Целью изобретенип вл етс повышение надежности и увеличение срока службы магнитоуправл емых контактов (МК) за счет стабилизации переходного сопротивлени и экономи благородных металлов за счет замедлени процесса эрозии приповерхностных слоев подложек контакт деталей (КД) из магнитом гкого материала.The aim of the invention is to increase the reliability and increase the service life of magnetically controlled contacts (MC) by stabilizing the transient resistance and saving precious metals by slowing the erosion process of the near-surface layers of the substrates and contact details (CD) of a magnetically soft material.
Способ осуществл етс следующим образом .The method is carried out as follows.
Предварительно очищенные КД из магнитом гкого материала загружают в металлические кассеты и помещают в вакуумнуюPre-cleaned CDs from a magnet of a soft material are loaded into metal cassettes and placed in a vacuum.
камеру, откачиваемую до давлени 10 Па. Поток высокоэнергетичных ионов формируетс с помощью ионного источника типа ду- оплазматрона с холодным катодом, подключаемого к регулируемым источникам электропитани , в результате чего можно легко контролировать параметры ионного пучка. Сформированный пучок ионов азота с энергией 10 - 2 1 О4 эВ облучает поверхность КД в течение 2-10 мин. Так как в диапазоне используемой энергии ионов кроме процесса имплантации имеет место катодное распыление, увеличивающее степень шероховатости поверхностей КД, то производитс их сглаживание методом ионного травлени . Дл этого источник ионовthe chamber pumped to a pressure of 10 Pa. The flow of high-energy ions is formed using an ion source of a cold cathode type douplasmatron connected to adjustable power sources, as a result of which the parameters of the ion beam can be easily monitored. The formed beam of nitrogen ions with an energy of 10 - 2 1 O4 eV irradiates the surface of a CD for 2–10 min. Since in the range of ion energy used, in addition to the implantation process, cathode sputtering takes place, which increases the degree of roughness of the CD surfaces, they are smoothed by ion etching. For this, the ion source
(X(X
гоgo
4four
слcl
N ЮN Yu
переключаетс в режим травлени с общеприн тыми параметрами пучка. После ионной обработки КД покрывают слоем контактного покрыти из сплава на основе благородных металлов толщиной около 10- 50% от общеприн той.switches to etch mode with conventional beam parameters. After ion treatment, CDs are covered with a layer of a contact coating made of an alloy based on noble metals with a thickness of about 10-50% of the conventional.
При таком способе обработки поверхностей КД достигаетс положительный эффект , определ емый физическими процессами, происход щими при обработ- ке магнитом гкого материала подложек КД ионами азота с энергией (1-2)104 эВ. Эффект заключаетс в замедлении эрозионного процесса за счет ограничени диффузии материала подложки на поверхность кон- тактного покрыти из сплава на основе благородных металлов, что преп тствует образованию на нем непровод щих пленок и развитию процесса электроэрозии.With this method of surface treatment of CDs, a positive effect is achieved, which is determined by the physical processes that occur when the magnet material treats the CD substrates with nitrogen ions with an energy of (1-2) 104 eV. The effect is to slow down the erosion process by limiting the diffusion of the substrate material to the surface of a contact coating made of an alloy based on noble metals, which prevents the formation of non-conductive films on it and the development of electroerosion.
При этом стабилизируетс значение пе- реходного сопротивлени контакта.In this case, the value of the transition resistance of the contact stabilizes.
Применение предлагаемого способа обеспечивает значительную экономию дорогосто щих благородных металлов, повышение надежности и увеличение срока службы МК за счет замедлени эрозии после имплантации ионов азота в материал подложки КД, улучшение режима управлени МК за счет уменьшени толщины магнитного зазора, точную регулировку направлени физического процесса, так как параметры пучка известны с большой степенью точности, а разброс ионов по энерги м пор дка дес тков электронвольт.The application of the proposed method provides significant savings in costly precious metals, increases reliability and increases the service life of the MK by slowing erosion after implantation of nitrogen ions into the CD substrate material, improving the MK control mode by reducing the magnetic gap thickness, precise adjustment of the physical process direction, as the beam parameters are known with a high degree of accuracy, and the ion spread over energy is in the order of tens of electron volts.
Дл оценки эффективности предлагав- мого способа проведены сравнительные испытани на выпускаемых серийно герконах средней мощности типа КЭМ-1 и МКА 27101. Контактные покрыти наносились на герконы гальваническим способом. Толщи- на покрыти из сплава AuNIRh МКА 27101 составл ла 2 мкм.To assess the effectiveness of the proposed method, comparative tests were carried out on commercially available medium-capacity reed switches of the KEM-1 and MKA 27101 types. Contact coatings were deposited onto the reed switches by electroplating. The thickness of the AuNIRh MKA 27101 alloy coating was 2 µm.
Испытывались две партии герконов КЭМ-1, причем одна была изготовлены по известной технологии способом электро- технического осаждени , а друга имелаTwo batches of CEM-1 reed switches were tested, one of which was manufactured according to a known technology by the method of electrical engineering deposition, and the friend had
КД, имплантированные ионами азота без покрыти . Испытани проводились в следующем режиме: U 30 В и I 1 А. В испытательной колодке было 14 герконов (по 7 каждого вида). В результате испытаний отказали 2 геркона, изготовленные по известной технологии, после 2,5-105 и 1,55 -106 включений.CD implanted with uncoated nitrogen ions. The tests were carried out in the following mode: U 30 V and I 1 A. In the test block there were 14 reed switches (7 of each type). As a result of the tests, 2 reed switches, made according to the known technology, failed after 2.5–105 and 1.55 -106 inclusions.
Кроме того, испытывались герконы МКА 27101 в режимах: U 60 В, I 0.025 A; U 60 В, I 0.08 A; U 20 мВ, I 10 мкА, в бестоковом режиме.In addition, MCA 27101 reed switches were tested in the following modes: U 60 V, I 0.025 A; U 60 V, I 0.08 A; U 20 mV, I 10 μA, in a non-current mode.
Результаты испытаний показали, что токовые режимы обеспечиваютс в отсутствие контактных покрытий при облучении КД ионами азота согласно предлагаемому способу . При работе в микротоковом и бестоковом режимах кроме ионной имплантации необходимо нанести контактное покрытие из традиционного материала толщиной 0,2 мкм.The test results showed that the current modes are provided in the absence of contact coatings when irradiated with CD by nitrogen ions according to the proposed method. When working in microcurrent and currentless modes, in addition to ion implantation, it is necessary to apply a contact coating of traditional material with a thickness of 0.2 μm.
Таким образом, проведенные испытани показали, что предлагаемый способ изготовлени КД позвол ет существенно увеличить ресурс наработки герконов с одновременным сокращением расхода благородных металлов.Thus, the tests carried out showed that the proposed method for the manufacture of CDs significantly increases the service life of reed switches while simultaneously reducing the consumption of precious metals.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884665463A SU1624549A1 (en) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | Method for manufacture of contact plating of contacting parts of magnetically-controlled hermetically sealed contacts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884665463A SU1624549A1 (en) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | Method for manufacture of contact plating of contacting parts of magnetically-controlled hermetically sealed contacts |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1624549A1 true SU1624549A1 (en) | 1991-01-30 |
Family
ID=21435586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884665463A SU1624549A1 (en) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | Method for manufacture of contact plating of contacting parts of magnetically-controlled hermetically sealed contacts |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1624549A1 (en) |
-
1988
- 1988-12-26 SU SU884665463A patent/SU1624549A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент PL №85867, кл. Н01 Н 11/04, 1973. Авторское свидетельство СССР Ne 1179447, кл. Н 01 Н 11/04, 1984. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970002242B1 (en) | Method of plasma processing of materials | |
US3324019A (en) | Method of sputtering sequentially from a plurality of cathodes | |
US20030178301A1 (en) | Planar magnetron targets having target material affixed to non-planar backing plates | |
SU1624549A1 (en) | Method for manufacture of contact plating of contacting parts of magnetically-controlled hermetically sealed contacts | |
RU2068032C1 (en) | Method of anti-wear coating application on pieces of titanium and its alloys and piece made of titanium and its alloys | |
KR20130128733A (en) | Apparatus and method for ion-implantation and sputtering deposition | |
Andoh et al. | A new machine for film formation by ion and vapour deposition | |
KR101819918B1 (en) | Method of Plasma electrolytic oxidation | |
JP7265081B1 (en) | ALUMINUM MATERIAL, SURFACE PROPERTIES-MODULATING FILM FOR ALUMINUM MATERIAL, AND SURFACE TREATMENT METHOD FOR ALUMINUM MATERIAL | |
US6627095B2 (en) | Magnetic recording disk and method of manufacturing same | |
US3869368A (en) | Methods of sputter deposition of materials | |
SU1179447A1 (en) | Method of manufacturing contact coating of hermetically sealed ferreed switch | |
JPS59173265A (en) | Sputtering device | |
JPS63140078A (en) | Film formation by sputtering | |
SU1721651A1 (en) | Method of manufacture of contact plating of magnetically controlled air-tight contact | |
JP3828514B2 (en) | Dry etching method and information recording medium manufacturing method | |
KR100351197B1 (en) | Method of forming a metal thin film by using plasma which contains metal ions | |
JP3305654B2 (en) | Plasma CVD apparatus and recording medium | |
JP7077460B1 (en) | Electrostatic discharge characteristic adjustment film for aluminum materials and aluminum materials | |
SU1394258A1 (en) | Method of applying contact coating onto the contact-part of vacuum high-voltage ferreed switch | |
US5914017A (en) | Apparatus for, and method of, removing hydrocarbons from the surface of a substrate | |
JPH027870Y2 (en) | ||
KR100205682B1 (en) | Planar magnetron sputtering source prodcing improved coating thickness uniformity step coverage and step coverage uniformity | |
JPS6127463B2 (en) | ||
JPS5969223A (en) | Method of machining silicon carbide sintered body by electric discharge machining |