SU1624522A1

SU1624522A1 - Memory unit

Info

Publication number: SU1624522A1
Application number: SU884470197A
Authority: SU
Inventors: Владимир Владимирович Лесных
Original assignee: Предприятие П/Я В-2969
Priority date: 1988-08-02
Filing date: 1988-08-02
Publication date: 1991-01-30

Abstract

Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретение вл етс повышение надежности запоминающего модул . Модуль содержит корпус из магнитом гкого материала, в котором расположены доменосодержащий кристалл, магнитосв занный с источником магнитного пол управлени в виде сердечника пр моугольной формы, на котором расположены две взаимоортогональные катушки индуктивности, и источником магнитного пол смещени в виде двух посто нных магнитов. Кристалл вместе с сердечником и катушками окружен провод щим экраном, на котором расположены параллельно кристаллу посто нные магниты . При этом о корпусе напротив посто нных магнитов выполнены пазы наклонной формы таким образом, что они образуют переменные по высоте воздушные зазоры с корпусом, равномерно измен ющиес с посто нным градиентом вдоль линии посто нных магнитов За счет этого вдоль длины посто нных машитов возникает неравномерна плотность магнитных зар дов 2 ил. СО сThe invention relates to computing and can be used in the development of storage devices on cylindrical magnetic domains (CMD). The aim of the invention is to improve the reliability of the storage module. The module contains a body of magnetically soft material, in which a domain-containing crystal is located, magnetically coupled to a source of magnetic control field in the form of a rectangular core, on which two mutually orthogonal inductors are located, and a source of magnetic bias field in the form of two permanent magnets. The crystal, together with the core and the coils, is surrounded by a conducting screen, on which permanent magnets are arranged parallel to the crystal. At the same time, the housing opposite the permanent magnets is made with slots of an inclined shape so that they form air gaps of variable height with the body, evenly varying with a constant gradient along the line of the permanent magnets. Due to this, an uneven magnetic density occurs along the length of the constant waves. charges 2 Il. SO with

Description

Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).The invention relates to computing and can be used in the development of storage devices on cylindrical magnetic domains (CMD).

Цель изобретени - повышение надежности запоминающего модул .The purpose of the invention is to increase the reliability of the storage module.

На фиг. 1 и 2 - показаны варианты конструктивного исполнени предложенного запоминающего модул .FIG. 1 and 2 show the embodiments of the proposed storage module.

Запоминающий модуль содержит корпус 1 из магнитом гкого материала, в котором расположены доменосодержащий кристалл 2. магнитосв занный с источником магнитного пол управлени в виде сердечника 3 пр моугольной формы, на котором расположены две взаимоортогональные катушки индуктивности, источником магнитного пол смещени в виде двух посто нных магнитов 5. Кристалл 2 вместе с сердечником 3 и катушками 4 окружен провод щимThe storage module comprises a housing 1 made of a magnetically soft material, in which a domain-containing crystal 2 is located. A magnetic control field magnetically tied to a source in the form of a rectangular core 3, on which two mutually orthogonal inductors are located, a source of magnetic bias in the form of two permanent magnets 5. Crystal 2, together with the core 3 and the coils 4, is surrounded by a conductive

экраном б, на котором расположены параллельно кристаллу 2 посто нные магниты 5. причем в корпусе из магнитом гкого материала напротив посто нных магнитов выполнены пазы наклонной формы так, что они образуют переменные по высоте воздушные зазоры с корпусом, равномерно измен ющиес с посто нным градиентом вдоль длины посто нных магнитов, за счет чего вдоль длины посто нных магнитов возникает неравномерна плотность магнитных зар дов Вследствие этого результирующий вектор напр женности магнитного пол смещени направлен неперпендикул рно поверхности микросхемы пам ти и посто нных магнитов смещени , а под углом к ним. В результате создаетс посто нна составл юща этого вектора в плоскости микросхемы пам ти, обеспечивающа сохранность информации при отклюOsa screen b on which 2 permanent magnets 5 are parallel to the crystal; moreover, in a body of magnetically soft material opposite to the permanent magnets there are slots of an inclined shape so that they form air gaps with a body that vary in height, varying uniformly with a constant gradient along lengths of permanent magnets, due to which an uneven density of magnetic charges arises along the length of permanent magnets. As a result, the resulting vector of strength of the magnetic field of displacement is directed to non-perpendicular the surface of the microcircuit of the memory chip and the permanent displacement magnets, and at an angle to them. As a result, a constant component of this vector is created in the plane of the memory microcircuit, which ensures the preservation of information during switching off

ГОGO

ел ю ate yu

N)N)

чении питани . На фиг. 2 изображено другое конструктивное исполнение предложен- ного запоминающего модул . Доменосодержащий кристалл 2 вместе с сердечником 3 и катушками 4 окружен провод щим экраном 6, на котором расположены параллельно кристаллу 2 посто нные магниты 5, причем провод щий экран 6 закреплен на корпусе 1 из магнитом гкого материала так, что внешн поверхность посто нных магнитов 5 образует угол определенной величины с внутренней поверхностью корпуса 1. Это достигаетс закреплением, например методом сварки или приклеивани провод щего экрана 6 на поперечных гран х корпуса 1. Величина рассто ний определ етс в соответствии с величиной угла наклона корпуса 1 по отношению к провод щему экрану и посто нным магнитам, который определ етс согласно элементарным законам тригонометрии .nutrition. FIG. 2 shows another design of the proposed storage module. The domain-containing crystal 2, together with the core 3 and the coils 4, is surrounded by a conductive screen 6, on which two permanent magnets 5 are parallel to the crystal 2, and the conductive screen 6 is fixed on the body 1 of magnetically soft material so that the outer surface of the permanent magnets 5 forms an angle of a certain magnitude with the inner surface of the housing 1. This is achieved by fixing, for example, by welding or gluing a conductive screen 6 on the transverse faces of the housing 1. The distance is determined in accordance with cause of the inclination angle of the body 1 relative to the conductive screen and the permanent magnets, which is determined according to the basic laws of trigonometry.

Кроме того, за счет плоскопараллельного расположени кристалла 2 и посто нных магнитов путем ликвидации зазора необходимого дл конструктивной реализации наклона кристалла 2 относительно посто нных магнитов в прототипе, значительно улучшаетс однородность за счет плоскопараллельного сближени посто нных магнитов, что повышает надежность запоминающего модул , в том числе при выполнении принципа сохранности информации при отключении питани .In addition, due to the plane-parallel arrangement of the crystal 2 and permanent magnets by eliminating the gap required for the constructive implementation of the inclination of the crystal 2 relative to the permanent magnets in the prototype, uniformity is significantly improved due to the plane-parallel convergence of the permanent magnets, which increases the reliability of the storage module, including when the principle of preservation of information is fulfilled when the power is turned off.

Экспериментально подобрано значение этого угла, составл ющее величинуExperimentally chosen value of this angle, which is the value of

а 1 - 2,5° , зависит от величины результирующего вектора напр женности магнитного пол смещени .and 1 - 2.5 °, depends on the magnitude of the resultant vector of magnetic field displacement.

Запоминающий модуль работает следующим образом.The storage module operates as follows.

При подаче переменного тока на катушки 4 создаетс вращающеес магнитное поле , которое обеспечивает запись, продвижение, считывание и деление информации .When an alternating current is applied to the coils 4, a rotating magnetic field is created which provides for recording, advancing, reading and dividing the information.

При этом сохранность записанной информации при отключении катушек 4 может быть обеспечена только за счет посто нных магнитов 5. Причем в данном случае посто нную составл ющую магнитного пол смещени в плоскости кристалла 2 создаетIn this case, the preservation of the recorded information when disconnecting the coils 4 can only be ensured by the permanent magnets 5. Moreover, in this case the constant component of the magnetic displacement field in the plane of the crystal 2 creates

неравномерное распределение плотности магнитного потока вдоль плоскости посто нных магнитов 5, а наличие посто нного градиента способствует стабильности сохранности информации при отключении питани . Наличие угла наклона корпуса 1 из магнитом гкого материала по отношению к посто нным магнитам 5 и кристаллом 2 обуславливает неравномерную плотностьthe uneven distribution of the magnetic flux density along the plane of the permanent magnets 5, and the presence of a constant gradient contributes to the stability of the information when the power is turned off. The presence of the angle of inclination of the housing 1 of a magnetically soft material with respect to the permanent magnets 5 and the crystal 2 causes an uneven density

магнитного потока вдоль плоскости этих посто нных магнитов, а посто нный градиент изменени зазора между корпусом 1 и посто нными магнитами 5 создает необходимый градиент изменени плотностиflux along the plane of these permanent magnets, and the constant gradient of variation of the gap between the housing 1 and the permanent magnets 5 creates the necessary gradient of change in density

магнитного потока вдоль плоскости посто нных магнитов 5.magnetic flux along the plane of permanent magnets 5.

Кроме того, путем ликвидации зазора, необходимого дл конструктивной реализации наклона кристалла относительно посто нных магнитов в прототипе и локализации магнитного пол смещени в ограниченном пространстве между плоскопараллельно расположенными посто нными магнитами 5 за счет их сближени между собой и с1In addition, by eliminating the gap required for the constructive realization of the tilt of the crystal relative to the permanent magnets in the prototype and localizing the magnetic displacement field in the limited space between the parallel-sided permanent magnets 5 due to their proximity to each other and c1

кристаллом 2, значительно улучшаетс однородность магнитного пол смещени , что повышает надежность запоминающего модул , в том числе при выполнении принципа сохранности информации при отключенииcrystal 2, significantly improves the uniformity of the magnetic field bias, which increases the reliability of the storage module, including when performing the principle of information security when disconnecting

питани .nutrition

Claims

Claims of the invention. A storage module comprising a casing of a magnet of a flexible material in which a domain containing

a crystal placed inside a conducting screen and magnetically coupled to a source of magnetic control field in the form of two mutually orthogonal inductors and a source of magnetic displacement field in the form of two permanent magnets located on both sides of the domain-containing crystal, differing from simplifying and increasing the reliability of the storage module, the permanent magnets are arranged parallel to the domain-containing crystal on the outer surfaces of the conductive screen, and between the inner surface of the housing and variable magnets are made variable

0 in height, air gaps with a constant magnetic field displacement gradient.

KyV x UCHHHH-

V ///////////;

/

5 figure 1

FIG. 2