SU1619008A1

SU1619008A1 - Вихретоковый способ измерени толщины диэлектрических покрытий на электропровод щей основе

Info

Publication number: SU1619008A1
Application number: SU894636434A
Authority: SU
Inventors: Евгений Готтович Беликов; Леонид Константинович Тимаков
Original assignee: Московский энергетический институт
Priority date: 1989-01-12
Filing date: 1989-01-12
Publication date: 1991-01-07

Abstract

Изобретение относитс к контрольно-измерительной технике и может быть использовано дл вихретокового контрол толщины диэлектрических покрытий, рассто ни до электропровод щих изделий, амплитуды вибраций и диаметра цилиндрических электропровод щих изделий. Цель изобретени - повышение точности и надежности измерений толщины диэлектрических покрытий - достигаетс тем, что частоту тока возбуждени вихретокового преобразовател (ВТП) выбирают в соответствии с соотношением 10 R Уо Ц г мин Стмин Н мин 5 20 , где R V R 1 R 2 ,Ri.R2 - эквивалентные радиусы измерительной и возбуждающей обмоток ВТП; амин гмин минимальные удельна электрическа проводимость и абсолютна магнитна проницаемость основы издели ; Нмин (hi + h2)/R, hi,2 - минимальные рассто ни от обмоток ВТП до поверхности электропровод щей основы издели . 2 ил.

Description

Изобретение относитс к контрольно- измерительной технике и может быть использовано дл вихретокового контрол толщины диэлектрических покрытий, рассто ни до электропровод щих изделий, амплитуды вибрации и диаметра цилиндрических электропровод щих изделий.

Целью изобретени вл етс повышение точности и надежности измерений за счет уменьшени методической погрешности измерений.

На фиг. 1 представлено взаимное расположение вихретокового преобразовател накладного типа и объекта контрол в виде плоского издели ; на фиг. 2 - зависимость максимальной методической погрешности 6 измерений толщины диэлектрического покрыти от произведени ft VH в диапазонах вариации, обобщенной параметрами ft от 0,625 до 360, толщины покрыти Н от 0,4 до 35, магнитной проницаемости

ОСНОВЫ ,

Вихретоковый преобразователь 1 (ВТП) размещен на поверхности контролируемого издели 2. Измерительна обмотка 3 ВТП и возбуждающа обмотка 4 ВТП подключены соответственно к блоку 5 измерени и генератору 6.

Способ осуществл етс следующим образом .

Радиусы Ri, R2 измерительной и возбуждающей обмоток и конструктивный зазор ho ВТП выбирают, например, из услови обеспечени необходимой локальности контрол . Затем ВТП устанавливают на изделие 2 с минимальными значени ми толщины t диэлектрического покрыти (например t 0), удельной электрической проводимости стмин и магнитной проницаемости гмин (например,/ur 1) основы издели . После этого по известным конструктивным параметрам R, hi, h2 и h0 (R R 2 ; hi, h2 - рассто ни от измерительной и возбуждающей обмоток до основы издели 2; ho - конструктивный зазор) определ ют минимальное рассто ние Нмин (hi + ha)/R до поверхности электропровод щей основы издели , затем из отношени

10 : R Vet) /Лгмин Омин Нмин 20 определ ют частоту о) тока возбуждени ВТП и задают найденное значение частоты с помощью генератора 6. Выходное напр жение с измерительной обмотки 3 ВТП подают на вход блока 5, в котором осуществл ют выделение составл ющих вносимого в ВТП сигнала и их обработку по известному алгоритму функционировани толщиномера диэлектрических покрытий.

Из полученной в результате исследований зависимости д (/ VFT) видно, что она имеет излом в области 5 (фиг. 2). Отклонение от этого значени /3 VH влево приводит к резкому возрастанию методической погрешности измерений толщины диэлектрических покрытий, а вправо - к относительно медленному ее снижению.

Таким образом выбор частоты тока возбуждени ВТП из услови /3 VrT 10 приводит к резкому увеличению методической погрешности измерений. С другой стороны, увеличение /3 VH от 10 до 30 приводит к уменьшению абсолютного значени методической погрешности измерений всего на 0,2 %, но требует существенного ( в 10 раз) увеличени частоты тока возбуждени ВТП.

0

5

0

5

Последнее (при выбранных фиксированных геометрических параметрах ВТП) существенно усложн ет реализацию устройства, особенно толщиномеров тонких диэлектрических покрытий, работающих на частотах пор дка дес тков мегагерц. Отсюда вытекает другое ограничение на/3 VJT;

р- .

Claims

Формула изобретени Вихретоковый способ измерени толщины диэлектрических покрытий на электропровод щей основе, заключающийс в том, что преобразователь размещают в зоне контрол , возбуждают его переменным током, изме- р ют и обрабатывают составл ющие вносимого напр жени преобразовател и по результатам их обработки определ ют толщину покрыти , отличающийс тем, что, с целью повышени точности и надежности измерени , частоту о тока возбуждени вихретокового преобразовател задают в соответствии с соотношением

10 R Vw уИгмин 7мин Нмин 20

где R VRi Ra ;

Ri,2 - эквивалентные радиусы измерительной и F .-эзбуждающей обмоток преобразовател ;

Омини/ гМИн минимальные удельна электрическа проводимость и абсолютна магнитна проницаемость основы издели ;

НМин (hi + h2)/R.

hi.2 - минимальные рассто ни от обмоток преобразовател до поверхности электропровод щей основы издели .

6

/у гг

Фиг.2

30