SU1608750A2 - Способ формировани решетки цилиндрических магнитных доменов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной и измерительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Цель изобретени  - повышение надежности формировани  решетки ЦМД. В соответствии со способом воздействуют на магнитную пленку градиентным радиально-симметричным посто нным магнитным полем, лежащим в плоскости магнитной пленки. При этом перемещают магнитную пленку в ее плоскости, компенсируют составл ющие пол , перпендикул рные этой плоскости, и воздействуют на магнитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикул рно градиентному посто нному магнитному полю, а амплитуда не превышает значени  пол  Колланса ЦМД в магнитной пленке. 1 ил.

Description

И: и

зованЬ роист 3 нах ваниеЫ

наден

Не

цмд

нитной

2с

3по 5 и 6, в

основ лoжe и 6 к 9

Фс ной

юбретение относитс  к вычислительной измерительной технике, может быть исполь- при разработке запоминающих уст- на цилиндрических магнитных доме- (ЦМД) и  вл етс  усовершенствоспособа по авт. св. № 1108352. изобретени   вл етс  повышение ности формировани  решетки ЦМД. чертеже изображено устройство дл  формировани  решетки ЦМД, реализующее предлагаемый способ.

Устройство дл  формировани  решетки содержит исследуемый образец маг- пленки 1, закрепленный в кассете юзможностью перемещени  в зазоре иаправл юодим 4, посто нные магниты обращенные одноименными полюсами стброну зазора 3 и закрепленные на ании 7, катушки 8 модул ции, распо- ные соосно посто нным магнитам 5 подключенные к выходу генератора

тока.

рмирование решетки ЦМД в магнит- пйенке в соответствии с предложенным спософом осуществл ют следующим образом.

переменного

i

сл

Воздействуют на магнитную пленку градиентным радиально-симметричным посто нным магнитным полем, лежащим в плоскости магнитной пленки, при этом одновременно перемещают магнитную пленку в ее плоскости и компенсируют составл ющие пол , перпендикул рные этой плоскости, и воздействуют на магнитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем , вектор которого ориентирован перпендикул рно градиентному посто нному магнитному полю, а амплитуда не превышает значени  прл  коллапса ЦМД в магнитной пленке.

Посто нное градиентное магнитное поле, с помощью которого в образце магнитной пленки формируетс  гексогональна  решетка ЦМД, создаетс  с помощью магнитной системы, состо щей из .двух плоских, включенных встречно, посто нных .магнитов 5 и 6. Локализуетс  посто нное магнитное поле в зоне взаимодействи  с образцом - плоскости симметрии магнитной системы , лежащей в центре зазора 3, образованного одноименными полюсами магнитов 5

05.

о оо сд

гч

и 6. Величина этого пол  измен етс  по радиусу зоны взаимодействи , причем его максимальное значение превышает поле одноосной анизотропии исследуемых образцов магнитных пленок.

Когда исследуемый образец 1 перемещают через зону взаимодействи  по направл ющим 4, величина посто нного магнитного пол  на поверхности образца 1 сначала возрастает от нул  до значени , пре- вьЕшающего ноле одноосной анизотропии, а затем уменьшаетс  до нул . Тем самым обеспечиваетс  выполнение первого из условий формировани  гексогональной решетки ЦМД - на образец 1 воздействует магнитное поле, величина которого превышает поле одноосной анизотропии образца. Под действием магнитного пол  такой величины образец 1 переходит в однодоменное состо ние (достигаетс  насыщение магнитной пленки).

При выходе образца 1 из зоны взаимодействи  величина действующего на него магнитного пол  уменьшаетс  от максимального значени  до нул  и в образце 1 формируетс  решетка ЦМД.

При выдвижении образца 1 из зоны взаимодействи  величина магнитного пол  постепенно уменьшаетс  .сначала от максимального значени  до значени , равного полю одноосной анизотропии, затем до значени , при котором формируетс  гексо- нальна  решетка ЦМД. При этом образец 1 находитс  в насыщенном однодоменном состо нии и изменение ориентации посто нного магнитного пол  или иные воздействи  на него не могут привести к возникновению доменной структуры.

При дальнейшем выдвижении образца 1 величина посто нного магнитного пол  продолжает уменьшатьс  от значени , при котором возможно формирование решетки ЦМД, до значени , при котором в образце 1 спонтанно возникает структура лабиринтных доменов. Как известно, структура лабиринтных доменов формируетс  при меньшем на 5-10% значени  магнитного пол , чем гексогональна  решетка ЦМД., В это врем  магнитна  пленка находитс  в квазиустойчивом состо нии - структура лабиринтных доменов возникнуть еще не может, а дл  возникновени  решетки ЦМД требуетс  выполнение дополнительного услови  - воздействующее на образец 1 магнитное поле должно быть направлено перпендикул рно его оси легкого намагничивани  (ОЛН).

Гексогональную решетку ЦМД можно сформировать в образце 1 только на этом этапе, причем необходимым условием  вл етс  то, что воздействующее на образец 1 магнитное поле должно быть перпендикул рно его ОЛН.

В отличие от известного способа, в- котором ориентаци  магнитного пол  была

фиксирована вдоль плоскости образца, в предлагаемом способе направление вектора магнитного пол  периодически измен етс  (модулируетс ). Дл  этого на образец 1,

кроме посто нного магнитного пол  Но, дополнительно воздействуют модулирующим магнитным полем Н„, вектор которого направлен перпендикул рно посто нному магнитному полю Но. Модулирующее магнитное поле создаетс  катушками 8 модул ции , через которые протекает переменный ток, формируемый генератором 9. Суммарное магнитное поле Н, воздействующее на образец 1, представл ет векторную сумму посто нного магнитного пол  Нр и перпендикул рного ему переменного магнитного пол  Н,периодически отклон етс  от плоскости образца 1, причем максимальный угол а отклонени  магнитного пол  Н от плоскости образца равен

20

a rctg- -.

HC

Таким образом, в предлагаемом способе, в отличие от известного, угол между направлением нормали к плоскости образца 1 и вектором воздействующего на него магнитного пол  Н периодически измен етс  от 90°-а до 90°4-а.

Если угол отклонени  ОЛН образца I от направлени  нормали к его плоскости меньше а, то на образце 1 периодически обеспечиваютс  услови  формировани  решетки ЦМД: вектор суммарного магнитного пол  ориентируетс  перпендикул рно ОЛН образца 1. Когда такие услови  создаютс  в первый раз, в образце 1 возникает устойчива  доменна  структура в виде гексо- гональной решетки ЦМД.

При дальнейшем уменьшении величины магнитного пол  сформированна  решетка ЦМД сохран етс .

Единственное условие, которое должно соблюдатьс  дл  устойчивого сохранени  в образце 1 решетки ЦМД, - после извлечени  образца 1 из межполюсного зазора 3 воздействующие на него магнитные пол  не должны превышать пол  коллапса ЦМД. В предлагаемом способе это условие вы- полн етс  автоматически, так как посто нное и модулирующее магнитные пол  локализованы в межполюсном зазоре 3 магнитной системы.

Таким образом, предложенный способ обеспечивает надежное формирование гек- согональной решетки ЦМД как в образцах магнитных пленок, не имеющих отклонени  ОЛН от направлени  нормали к плоскости образца, так и в образцах с отклонением ОЛН.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ формировани  решетки цилиндрических магнитных доменов по авт. ев

   № 110.5352, отличающийс  тем, что, с целью повышгни  надежности формировани  решетки цилиндрических магнитных доменов, одновременно с воздействием градиентным посто 4НЫМ магнитным полем воздействуют на ма -нитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикул рно градиентному посто нному магнитному полю, а амплитуда не превышает значени  пол  коллапса цилиндрических магнитных доменов магнитной пленки.