SU1608486A1 - Устройство дл определени момента окончани травлени нарушенного сло полупроводниковых структур - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к полупроводниковой технике и может быть использовано в промышленных услови х, а также в лабораторной практике дл  контрол  травлени  нарушенного после механической обработки сло  полупроводниковых структур и определени  момента его полного стравливани . Целью изобретени   вл етс  повышение точности определени  момента окончани  травлени  нарушенного сло . Устройство содержит весы, сосуд с травителем, штангу и элемент дл  закреплени  полупроводниковой структуры. Один конец штанги установлен на коромысле весов, а другой соединен с сосудом дл  травител . Устройство снабжено системой из двух неподвижных блоков. При этом у каждого из блоков к одному концу нити подвешен сосуд с травителем, а к другому концу нити - элемент дл  закреплени  полупроводниковой структуры. 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к полупроводниковой технике и может быть ис- польровано в промышленных услови х, в лабораторной практике дл  контрол  травлени  нарушенного после нической обработки сло  полу- идниковых структур и определени  1та его полного стравливани . 11ль изобретени  - повышение точ-, определени  момента окончани  нарушенного сло  полупро- водн1}1ковых структур.

фиг. 1 показано устройство дл .

момента окончани  трав- лени) нарушенного сло  полупроводни- структур; на фиг. 2 - график

а также конт меха прев моме Ц

ностй травлени 

определени 

ковьс;

. зависимости скорости изменени  массы полупроводниковой структуры от времени травлени .

Устройство содержит сосуд 1 дл  травител  и элемент 2 дл  закрепле- ни  полупроводниковой структуры 3, св занные между собой посредством двух блоков 4, нити которых одними концами 5 прикреплены к элементу 2, а-другими концами 6 присоединены к сосуду 1. Сосуд 1 с травителем установлен на передающей штанге 7, соединенной с коромыслом 8 аналитических весов с автоматической регистрацией изменени  величины разбаланса и скорости изменени  разбаланса.

Х 00

4

00 05

Изменение массы и скорость изменени  массы фиксируютс  на фотобумаге 9 (барабан) с помощью регистрирующей системы, состо щей из катушки 10 индуктивности, магнитов 11 и гальванометров 12 и 13.

Устройство работает следующим образом .

Сосуд 1 устанавливают на передающую штангу 7, нити двух блоков 5 закрепл ют как показано на фиг. 1. Полупроводникова  структура 3 с нарушением в результате механической обработки приповерхностным слоем закрепл етс  на элементе 2. Далее сосуд заполн ют травителем и производ т балансировку весов с учетом массы сосуда с травителем, массы элемента с закрепленной полупроводниковой структурой и действующей на них выталкивающей силы.

При достижении балансировки весов производ т их включение дл  регистрации суммарного эффекта от увеличени  массы травител  за счет растворени  в нем нарушенного сло  и от уменьшени - массы и объема ползттроводниковой структуры в процессе травлени .

Напр жение, возникающее при движении катушки 10 в тюле магнита 11, определ ет скорость травлени  нарушенного сло . Изменени  веса и скорость регистрируют с помощью гальванометров 12 и 13 и световых сигналов на фотобумаге 9, закрепленной на вращающемс  барабане.

Благодар  тому, что с помощью системы блоков устанавливаетс  динамическа  взаимосв зь между полупроводниковой структурой и сосудом с травителем , при погружении в травитель . элемента с закрепленной полупроводниковой структурой к разбалансу аналитических весов приводит как изменение массы травител  за счет перехода в него стравливаемого полупроводникового вещества, так и изменение массы и объема полупроводниковой структуры в процессе ее травлени , что повышает точность определени  момента окончани  травлени  нарушенного сло .

Момент окончани  травлени  именно нарушенного сло  полупроводниковых структур определ ют по графикам зави5

симости массы полупроводниковой (структуры и скорости изменений этой массы от времени травлени , которые регистрируютс  с помощью гальванометра- 12 и световых сигналов на фоточувствительной бумаге 9, закрепленной на вращающемс  в процессе травлени  барабане (фиг. 1), на которых

Q в некоторый момент времени наблюдаетс  излом, после которого график изменени  массы ползшроводника измен ет посто нный наклон к оси времени , а-график скорости изменени  массы принимает посто нное значение (фиг.2), характерное дл  монолитной монокристаллической структуры данного полупроводника. Момент времени, когда наблюдаетс  излом на регистри0 РУемых графиках, указывает на полное стравливание нарушенного сло  полу- .проводниковой структуры, а по вление излома св зано с различием в скорости стравливани  нарушенного сло 

5 и монолитной монокристаллической толщи полупроводниковой структуры.

Использование устройства при производстве полупроводниковьпс приборов и интегральных схем позвол ет исключить перетравливание полупроводниковых структур, что обеспечивает повышение процента выхода годных приборов . Устройство может быть использовано как дл  выборочного контрол , так и стопроцентного контрол  полупроводниковых структур..

Ф о рмулаиз обретени 

0

5

45

Устройство дл  определени  момент 40 окончани  травлени  нарушенного сло  полупроводниковых структур, содержащее весы, сосуд с травителем, штангу , один конец которой закреплен на коромысле весов, а другой соединен с сосудом дл  травител , и элемент дл  закреплени  полупроводниковой структуры, отличающеес  тем, что, с целью повьшени  точности определени , оно снабжено системой 50 из двух неподвижных блоков, у каждого из которых к одному концу нити подвешен сосуд с травителем, а к дру- гому концу нити подвешен элемент дл  закреплени  полупроводниковой 55 структуры.

//////////////////у/у/

ThT

/2

лм

At f

Фиг, Z

Редактор Е.Папп

Составитель С.Зуев Техред М.Ходанич

Заказ 3609

Тираж 485

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени м и открыти м при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

- t

Корректор С.Черни

Подписное

Claims (1)

1. Формула из обр ет ения

   Устройство для определения момента 40 окончания травления нарушенного слоя полупроводниковых структур, содержащее весы, сосуд с травителем, штангу, один конец которой закреплен на коромысле весов, а другой соединен 45 с сосудом для травителя, и элемент для закрепления полупроводниковой структуры, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения, оно снабжено системой 50 из двух неподвижных блоков, у каждого из которых к одному концу нити подвешен сосуд с травителем, а к другому концу нити подвешен элемент для закрепления полупроводниковой

   55 структуры.

   Фиг. 1

   ΔΜ At ΐ

   Фиг. 2