SU160605A1

SU160605A1 -

Info

Publication number: SU160605A1
Application number: SU776328A
Authority: SU

Description

Изобретение относитс к устройствам дл контрол темиературы объекта, содержащим полунроводниковое термосонротнвление, работающее в реотейном режиме.The invention relates to devices for monitoring the temperature of an object, comprising a semiconductor thermal inspection, operating in a rote mode.

В известных устройствах полупрогводннковое термосопротивление быстро выходит нз стро вследствие протекани по нему большого тока при настунлении релейного эффекта .In the known devices, the semi-wired thermal resistance quickly goes out of failure due to the high current flowing through it when the relay effect is set.

В предложенном устройстве последовательно с термосопротивлением включено дополнительное сопротивление, служащее катодной нагрузкой тиратрона, цепь зажигани которого подключена к выходной обмогке при помощи феррит-диодиой схемы. При новыщении темнературы объекта н наступлении релейного эффекта термосонротивлеии происходит зажигание тиратрона, вызывающее падение напр жени на катодной пагрузке.In the proposed device, in series with a thermal resistance, an additional resistance is applied, which serves as the cathode load of the thyratron, the ignition circuit of which is connected to the output obmogka using a ferrite-diode circuit. With an increase in the temperature of the object and the onset of the relay effect of thermal resistance, the thyratron ignites, causing a voltage drop on the cathode loading.

Такое выполнение устройства позвол ет ограничить ток, текущий через термосопротивление , вощедшее в релейный режим.Such an embodiment of the device makes it possible to limit the current flowing through a thermal resistance, which is waxed into relay mode.

На чертеже изображена нринцнпиальна электрическа схема устройства.The drawing shows the electrical circuit diagram of the device.

Полупроводниковое термосопротивление 1, контролирующее температуру объекта (на чертеже не показан), включено последовательно с дополнительным сопротивление 2 и входной обмоткой 3 феррит-диодной схемы 4 в цепь источника 5 посто нного тока.The semiconductor thermal resistance 1, which controls the temperature of the object (not shown), is connected in series with the additional resistance 2 and the input winding 3 of the ferrite-diode circuit 4 to the circuit of the DC source 5.

В тактовую обмотку 6 феррит-диодн ой схемы 4 подаютс пр моугольные импульсы напр жени , намагничивающие ферритозыйRectangular voltage pulses magnetizing ferrite are fed to the clock winding 6 of the ferrite-diode circuit 4.

сердечник 7 схемы 4 Сердечник имеет пр угольную форму ИСТЛИ гистерезиса В;-- о core 7 of the circuit 4 The core has a right-angled USTLE hysteresis B angle; - o

с, обмотка 8 сердечника включена через ли в цепь зажигани тиратрона 10, к , приложе)Ю посто нное напр жение источ ;;ка 11. Сопротивление 2 служит като.-jio:: н v грузкой тиратрона.c, the winding 8 of the core is connected through the ignition circuit of the thyratron 10, c, appending) constant source voltage ;; ka 11. Resistance 2 serves as cathode-jio :: n v as the load of the thyratron.

При повыщеннн температуры объекта н частуиленнн релейного эффекта термосопрог-г;лени / происходит зажигание тиратрона 10. Анодный ток тиратрона, нроход щий по сопротивлению , вызывает в нем падение напр жени , приложенное встречно напр жс.чиго источника 5. Суммарное напр жение на гермосопротивленнн оказываетс недостаточп:чл; дл поддержанн релейного эффекта, вследствие чего ток, идущи11 через термосопрптп ленне , резко уменьшаетс .When the temperature of the object rises and the relay effect of the thermosoprog-g; laziness / increases, the thyratron is ignited 10. The anode current of the thyratron, which is resistance-wise, causes a voltage drop in it applied to the opposite voltage of the source 5. insufficient: p; for a sustained relay effect, as a result of which the current through the thermopower probe is drastically reduced.

Дл сигналнзации об измеиеннн температуры объекта может быть иснользоваш напр жение обмотки 5 феррит-диодной схемы /, а тиратрон 10 может быть использован как визуальный индикатор. Предложенное устройство может быть нримеиено в бесконтакпплх системах контрол и регулировани те.мпературы .To signal the measured temperature of the object, the used voltage of the winding 5 of the ferrite-diode circuit 1 can be used, and the thyratron 10 can be used as a visual indicator. The proposed device can be implemented in bestaktlkh systems of monitoring and regulation of the temperature.

Предмет изобретени Subject invention

Устройство дл контрол темперлтл-ры объекта, содержащее полупроводниковое термосопротивление , работающее в релейном режиме, отличающеес тем, что, с цельюA device for controlling the temperature of an object, containing a semiconductor thermal resistance, operating in a relay mode, characterized in that

ограничени тока, нротекающего через термосопротнвление , носледовательно с ним во входную обмотку феррит-диодной схемы включены источник питани и донолпительное сопротивление, служащее катодной нагрузкой тиратрона,. цепь зажигани которого подключена к выходной обмотке ферритдиодной схемы.limiting the current flowing through the thermal protection, next to it, the input winding of the ferrite-diode circuit includes a power source and a donor resistance, which serves as the cathode load of the thyratron. The ignition circuit of which is connected to the output winding of the ferrite diode circuit.