SU1578509A1

SU1578509A1 - Устройство дл измерени температуры

Info

Publication number: SU1578509A1
Application number: SU884401468A
Authority: SU
Inventors: Сергей Петрович Логвиненко; Виктор Семенович Мотузко; Владимир Георгиевич Зарб
Original assignee: Особое конструкторско-технологическое бюро Физико-технического института низких температур АН УССР
Priority date: 1988-01-04
Filing date: 1988-01-04
Publication date: 1990-07-15

Abstract

Изобретение относитс к технике измерени низких температур и позвол ет повысить точность измерени . Устройство содержит термочувствительные транзисторы 1, 2, 3. Коллектор транзистора 1 соединен с резистором 4 и инвертирующим входом дифференциального усилител 5. Коллектор транзистора 3 соединен с третьим резистором 6 и инвертирующим входом второго дифференциального усилител 7. Неинвертирующие входы дифференциальных усилителей 5 и 7 соединены с базами транзисторов 1, 2, 3, коллектором транзистора 2 и резистором 8. Первый вывод источника 9 напр жени соединен с резисторами 4, 6, 8, его второй вывод соединен с вторым выводом измерител 10 напр жени и эмиттером транзистора 2. Первый вывод измерител 10 напр жени соединен с первым выводом резисторного делител 11 и выходом дифференциального усилител 5. Средн точка делител 11 соединена с эмиттером транзистора 1, а второй вывод делител 11 соединен с эмиттером транзистора 3 и выходом дифференциального усилител 7. При определенном выборе коллекторных токов транзисторов выходной сигнал не зависит от сопротивлени эмиттерных переходов транзисторов. 1 ил.

Description

U&

3l

КТ т It

In - qID

R0i,;

(О + к„Ыч- V+dz- )+i2 -|f E-Rii

RT

где R ,$.- сопротивление резистора 4 .,

Токи 1,,1ги 1Э транзисторов определ ютс из услови эквипотенциаль- ности входов дифференциальных усилителей 5 и 7, которое обеспечиваетс отрицательной обратной св зью и боль- шим коэффициентом усилени усилите- лей:

(8)

(9) (Ю)

где R4,R6 и R- - сопротивлени резисторов 4, 6 и 8 соответственно,

Как следует из (7), условие независимости выходного напр жени от сопротивлени R эмиттерного перехода и имеет вид

p(ir т2) +(1г- I.) + if|f о

.

Ч

(Ю

Выражение (11) с учетом (8),(9) (10) приводитс к виду

|Ч (R R )+(4Ј +

I R6 RgReR4

+ 0

Rg-R4

Соблюдение услови (.12) обеспечиваетс соответствующим выбором сопротивлений резисторов 4, 6, 8и 12. В этом случае выходной сигнал устрой15785096

-.,4 ства не зависит от сопротивлени

4 ., 5

паль- лис оль- 10 е-

8)

) Ю)

15

20

е8

езасопа и

25

о

.

зо

(Ю

9)

35

(12) 40

ечиопро . В ой45

Claims

эмиттерных переходов транзисторов,. Формула изобретени

Устройство дл измерени температуры , содержащее два согласованных термочувствительных транзистора, базы которых соединены между собой, а их коллекторы соответственно через первый и второй резисторы - с первым выводом источника посто нного напр жени , первый дифференциальный усилитель , инвертирующий вход которого соединен с коллектором первого термочувствительного транзистора, а его выход - с первым выводом резистивного делител , средн точка которого соединена с эмиттером первого термочувствительного транзистора, второй дифференциальный усилитель, третий резистор и измеритель напр жени , включенный между выходом первого дифференциального усилител и вторым выводом источника посто нного напр жени , соединенным с эмиттером второго термочувствительного транзистора, отличающеес тем, что, с целью повышени точности измерени , в него введен третий термочувствительный транзистор, коллектор которого соединен через третий резистор с первым выводом источника посто нного . напр жени и непосредственно с инвертирующим входом второго дифференциального усилител , выход которого соединен с вторым выводом резистив-- ного делител и эмиттером третьего термочувстчительного транзистора, база которого соединена с базами двух первых термочувствительных транзисторов и неинвертирующими входами обоих дифференциальных усилителей, при этом коллектор второго термочувствительного транзистора соединен с его базой.