SU1577034A1

SU1577034A1 - Резонасный транзисторный преобразователь посто нного напр жени

Info

Publication number: SU1577034A1
Application number: SU884471453A
Authority: SU
Inventors: Раис Каримович Мифтахутдинов
Original assignee: Предприятие П/Я М-5537
Priority date: 1988-08-09
Filing date: 1988-08-09
Publication date: 1990-07-07

Abstract

Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитани . Цель - повышение надежности путем снижени величины сквозных токов. Резонансный транзисторный преобразователь посто нного напр жени содержит два полупроводниковых ключа 1, 2, два конденсатора 3, 4, два возвратных диода 5, 6 и силовой трансформатор 7 с первичной 8 и дополнительной 9 обмотками, а также трансформатор 10 тока, блок 11 управлени и дроссель 12. При открытом полупроводниковом ключе 1 в конце полупериода работы возвратный ток протекает только через возвратный диод 5, так как полупроводниковый ключ 1 заперт напр жением на дополнительной обмотке 9. При переключении полупроводниковых ключей 1, 2 протекает только сквозной ток запирани возвратного диода 5(6), что снижает величину указанного сквозного тока. 2 з.п. ф-лы 3 ил.

Description

ъ -г

fas. / Увых.

. Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитани систем радиотехники, автоматики и вы- числительной техники.

Целью изобретени вл етс повышение надежности путем снижени величины сквозных токов.

На фиг. 1 приведена электрическа схема преобразовател ; на фиг. 2 - полупроводниковые ключи, выполненные на полевых транзисторах; на фиг. 3 - диаграммы напр жений и токов.

Резонансный преобразователь посто- нного напр жени содержит два полупроводниковых ключа на транзисторах 1 и 2, два конденсатора 3 и 4, два возвратных диода 5 и 6, силовой трансформатор 7 с первичной 8 и дополни- тельной 9 обмотками, трансформатор. 10 тока, блок 11 управлени и дроссель 12.

Преобразователь работает следующим образом.

Рассмотрим работу преобразовател , предположив, что обмотка 9 отсутствует , В течение времени t 0 t (фиг.З) ток первичной обмотки In протекает от дроссел 12 к ключу 1 и. диоду 5. Далее дл тока существует два пути. Первый путь - через обратный диод 5. В качестве возвратных диодов 5 и 6 используютс специальные быстродействующие диоды с малым временем восста- новлени , в результате при открывании транзистора 2 в момент времени Ц диод 5 быстро закрываетс и сквозной ток через транзистор 2 невелик. Однако при использовании магнитотранзис- торных1 ключей дл тока I 8 существует второй путь - через обмотки трансформатора 10 тока и коллекторный переход транзистора 1. В результате при открывании транзистора 2 происходит медленное восстановление обратного сопротивлени коллекторного перехода транзистора 1, что ведет к броску тока (фиг. 3) и к росту динамических потерь на включение. В следующий по- лупериод процессы повтор ютс , только направление тока Ig мен етс на противоположное, а бросок тока возникает уже при открывании транзистора 1 Дл устранени бросков тока при от- крывании транзисторов 1 и 2 необходимо предотвратить протекание обратного тока через коллекторный переход. Дл этого вводитс дополнительна обмотка 9, причем пол рность ее выбрана так, чтобы падение напр жени на ней совпадало с-направлением падени напр жени открытого в данный момент возвратного диода. Величина напр жени на дополнительной обмотке должна быть пор дка 0,5-1 В. При выполнении указанных условий напр жение на дополнительной обмотке закрывает коллекторный переход соответствующего транзистора и ток протекает только через возвратные диоды 5 и6 (на фиг.1 указаны пол рности напр жений на обмотках 8 и 9 и диоде 5 при протекании тока через диод 5 в пр мом направлении ) .

В случае использовани в преобразователе в качестве ключей полевых МДП-транзисторов также существует два пути дл протекани обратного тока (фиг. 2). Технологи изготовлени полевых МДП-транзисторов такова, что в них всегда присутствует паразитный возвратный диод, включенный в обрат- ,ной пол рности (на фиг. 2 паразитные

диоды указаны пунктирной линией). Частотные свойства этих диодов значительно уступают специально подобранным быстродействующим обратным диодам 5 и 6, поэтому дополнительна обмотка 9 позвол ет и в данном случае устранить путь обратного тока через паразитные диоды и уменьшить сквоз-- ные токи.

Claims

1. Резонансный транзисторный преобразователь посто нного напр жени , содержащий включенные последовательно между входными выводами два полупроводниковых ключа, два возвратных диода и два конденсатора, точка соединени которых соединена с общей точкой возвратных диодов через дроссель и первичную обмотку силового трансформатора , вторична обмотка которого соединена через выпр митель и фильтр с выходными выводами, отличающийс тем, что, с целью повышени надежности путем снижени величины сквозных токов, введена дополнительна обмотка силового трансформатора , включенна согласно-последовательно с первичной обмоткой между общей точкой возвратных диодов и точкой соединени полупроводниковых ключей .

2. Преобразователь по п. 1, отличающийс тем, что в качестве полупроводниковых ключей использованы магнитотранэисторные ключи, содержащие трансформатор тока, оомот- ки управлени которого подключены к выходу блока управлени , базовые обмотки подключены к базоэмиттерным переходам транзисторов, в цепь тока нагрузки каждого из которых включены токовые обмотки.

V

3. Преобразователь по п. 1, отличающийс тем, что в качестве полупроводниковых ключей использованы полевые транзисторы.

J-Ш

Фиг. г

Фиг.З