SU1571011A1 - Fusible glass - Google Patents
Fusible glass Download PDFInfo
- Publication number
- SU1571011A1 SU1571011A1 SU884406624A SU4406624A SU1571011A1 SU 1571011 A1 SU1571011 A1 SU 1571011A1 SU 884406624 A SU884406624 A SU 884406624A SU 4406624 A SU4406624 A SU 4406624A SU 1571011 A1 SU1571011 A1 SU 1571011A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transition temperature
- glass transition
- glass
- glasses
- maintaining
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии силикатов, в частности к производству легкоплавких стекол, которые могут использоватьс в электронной технике в качестве припоев и герметиков. С целью снижени температурного коэффициента линейного расширени и повышени температуры стекловани при сохранении значений химической устойчивости стекла к воде оно содержит, мас.%: PBO 78,0-80,0The invention relates to the technology of silicates, in particular to the production of low-melting glasses, which can be used in electronic equipment as solders and sealants. In order to reduce the temperature coefficient of linear expansion and increase the glass transition temperature while maintaining the values of chemical resistance of glass to water, it contains, wt.%: PBO 78.0-80.0
B2O3 4,8-6,5B 2 O 3 4.8-6.5
BI2O3 8,7-11,0BI 2 O 3 8.7-11.0
ZNO 1,5-3,0ZNO 1.5-3.0
SIO2 0,5-2,0 и TEO2 1,0-3,0. Температура стекловани 315-325°С, ТКЛР, α.(104,7-108,6).10-7 град-1 SIO 2 0.5-2.0 and TEO 2 1.0-3.0. Glass transition temperature 315-325 ° C, TCLE, α . (104.7-108.6) . 10 -7 degrees -1
химическа устойчивость 0,16-0,18%chemical stability 0.16-0.18%
диэлектрическа проницаемость 9-11 и плотность 4720-4810 кг/м3. 2 табл.the dielectric constant is 9-11 and the density is 4720-4810 kg / m 3 . 2 tab.
Description
(21)4406624/23-33(21) 4406624 / 23-33
(22)11.04.88(22) 04/11/88
(46) 15.06.90. Бюл. № 22(46) 06/15/90. Bul No. 22
(71)Белорусский политехнический институт и Производственное объединение Электромодуль(71) Belarusian Polytechnic Institute and the Electromodul Industrial Association
(72)Е,А.Дубовик, Н.Н.Ермоленко, И.Н.Савелов, В.М.Якунин, Н.Н.Бернаш, Д.Г.Змеев, В.И.Русанович(72) E., A. Dubovik, N. N. Ermolenko, I. N. Savelov, V. M. Yakunin, N. N. Bernash, D. G. Zmeev, V. I. Rusanovich
и А.В.Пеньковand A.V. Penkov
(53)666.112.4(088.8)(53) 666.112.4 (088.8)
(56)Авторское свидетельство СССР № 865320, кл. С 03 С 3/074, 1980.(56) USSR Copyright Certificate No. 865320, cl. C 03 C 3/074, 1980.
Авторское свидетельство СССР № 1316986, кл. С 03 С 8/24, 1985.USSR Author's Certificate No. 1316986, cl. From 03 to 8/24, 1985.
(54)ЛЕГКОПЛАВКОЕ СТЕКЛО (57)Изобретение относитс к технологии силикатов, в частности к производству легкоплавких стекол, которые могут использоватьс в электронной технике в качестве припоев и герме- тиков. С целью снижени температурного коэффициента линейного расшире - ни и повышени температуры стекловани при сохранении значений химической устойчивости стекла к воде оно содержит, мас,%: РЬО 78,0-80,0; В703 4,8-6,5;- Bi.,,0 3 8,7-11,0; ZnO 1,5-3,0; SiO.2 0,5-2,0 и Те02 1,0- 3,0, Температура стекловани 315- 325°С, ТКПР, 4 (104,7-108,6)-1р град химическа устойчивость 0,16-0,18%; диэлектрическа проницаемость 9-11 и плотность 4720-4810 2 табл.(54) FLUID GLASS (57) The invention relates to the technology of silicates, in particular to the production of low-melting glasses that can be used in electronic equipment as solders and sealants. In order to reduce the temperature coefficient of linear expansion and increase the glass transition temperature while maintaining the values of chemical resistance of glass to water, it contains, by weight,%: PHO 78.0-80.0; B703 4.8-6.5; - Bi. ,, 0 3 8.7-11.0; ZnO 1.5-3.0; SiO.2 0.5-2.0 and Te02 1.0-3.0, Glass transition temperature 315-325 ° C, TKPR, 4 (104.7-108.6) -1 degree gradient chemical stability 0.16-0 ,18%; the dielectric constant is 9-11 and the density is 4720-4810. 2 tab.
а 9a 9
Изобретение относитс к технологии силикатов, в частности к производству легкоплавких стекол, которые могут использоватьс в электронной технике в качестве припоев и герме- тиков.The invention relates to the technology of silicates, in particular to the production of low-melting glasses, which can be used in electronic engineering as solders and hermetic.
Цель изобретени - снижение температурного коэффициента линейного расширени и повышение температуры стекловани при сохранении значений химической устойчивости стекол к воде.The purpose of the invention is to reduce the temperature coefficient of linear expansion and increase the glass transition temperature while maintaining the values of chemical resistance of glasses to water.
В качестве материалов при изготовлении шихты используют оксиды свинца , висмута, цинка, теллура, борную кислоту и обогащенньй кварцевый пе сок,The materials used in the manufacture of the charge are oxides of lead, bismuth, zinc, tellurium, boric acid and enriched quartz sand,
Стекла вар т в корундовых тигл х в электрической печи с силитовымиGlasses are cooked in corundum crucibles in a silith electrical furnace
нагревател ми при 850°С с выдержкой при максимальной температуре 0,5 ч,heaters at 850 ° С with an exposure at a maximum temperature of 0.5 h
Конкретные составы стекол приведены в табл. 1.Specific compositions of the glasses are given in table. one.
Свойства стекол даны в табл. 2,Properties of glasses are given in table. 2,
Из данных табл.2 следует, что предлагаемые составы стекол по сравнению с известным имеют более низкий ТКЛР (на 6-11%), более высокую температуру стекловани (на 5-35°С), а также не содержат высокотоксичный Те 0 з при сохранении показателей химической устойчивости.From the data of Table 2 it follows that the proposed glass compositions as compared with the known have lower TCLE (by 6-11%), higher glass transition temperature (by 5-35 ° C), and also do not contain highly toxic Te 0 C while maintaining indicators of chemical resistance.
Использование предлагаемых составов дл герметизации полупроводниковых диодов из никелированной меди технологично и обеспечивает надежную работу диодов.The use of the proposed compositions for sealing semiconductor diodes from nickel-plated copper is technologically advanced and ensures reliable operation of the diodes.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884406624A SU1571011A1 (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Fusible glass |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884406624A SU1571011A1 (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Fusible glass |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1571011A1 true SU1571011A1 (en) | 1990-06-15 |
Family
ID=21367252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU884406624A SU1571011A1 (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Fusible glass |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1571011A1 (en) |
-
1988
- 1988-04-11 SU SU884406624A patent/SU1571011A1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6534346B2 (en) | Glass and glass tube for encapsulating semiconductors | |
| JPWO2006035882A1 (en) | Semiconductor sealing glass, semiconductor sealing outer tube, and semiconductor electronic component | |
| JPS6238300B2 (en) | ||
| WO2012002174A1 (en) | Lead-free glass for sealing semiconductor | |
| JPH0428657B2 (en) | ||
| US3408212A (en) | Low melting oxide glass | |
| JP6650885B2 (en) | Low temperature sealing material | |
| SU1571011A1 (en) | Fusible glass | |
| JP2010228969A (en) | Glass | |
| JPH0149653B2 (en) | ||
| US3598620A (en) | Alkali-free molybdenum sealing hard glass | |
| JPS59164649A (en) | Glass composition for sealing | |
| SU1477706A1 (en) | Low-melting glass | |
| SU1516470A1 (en) | Glass composition | |
| SU1668326A1 (en) | Soldering glass | |
| US3551171A (en) | Bao-pbo-sio2 semiconductor encapsulation glass | |
| JPS5945620B2 (en) | Low melting point sealing composition | |
| US3702888A (en) | Micaceous tellurites and the method of making them | |
| JPS58184730A (en) | Glass composition for coating semiconductor | |
| SU1578092A1 (en) | Low-melting glass | |
| SU1675238A1 (en) | Low melting glass | |
| SU1303568A1 (en) | Low-fusible glass | |
| SU1520028A1 (en) | Glass | |
| SU1539173A1 (en) | Glass | |
| SU1284957A1 (en) | Glass for insulating instruments |